詳細(xì)摘要： Booster SWA單片退火系統(tǒng)主要用于12英寸后段金屬互聯(lián)退火工藝。該機(jī)臺為多腔集群設(shè)備，能夠進(jìn)行全自動并行工藝處理。系統(tǒng)主要由傳輸模塊和3個工藝模塊組成，...
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華兆科技（廣州）有限公司
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詳細(xì)摘要： Booster SWA單片退火系統(tǒng)主要用于12英寸后段金屬互聯(lián)退火工藝。該機(jī)臺為多腔集群設(shè)備，能夠進(jìn)行全自動并行工藝處理。系統(tǒng)主要由傳輸模塊和3個工藝模塊組成，...
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詳細(xì)摘要： AGF Series電阻式SiC長晶爐適用于6/8英寸導(dǎo)電和高純半絕緣型SiC晶體生長，多加熱器設(shè)計允許靈活的工藝和熱場設(shè)置，下裝載結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)便捷的開裝爐及維護(hù)...
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詳細(xì)摘要： APS Series感應(yīng)式SiC長晶爐適用于6/8英寸導(dǎo)電和高純半絕緣型SiC晶體生長，創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)設(shè)計，可提供高純材料生長能力，擁有高精度的控溫、控壓能力，工藝...
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詳細(xì)摘要： NVT-HG單晶生長爐主于光伏產(chǎn)業(yè)8-12英寸單晶硅制備工藝，該機(jī)臺具有大投料量，高拉速，低能耗，自動化、智能化的優(yōu)點。能夠進(jìn)行全自動并進(jìn)行工藝處理。系統(tǒng)主要由...
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詳細(xì)摘要： SC3080 12英寸單片清洗設(shè)備可同時配備多種藥液，主要用于12英寸后段和前段清洗工藝。該機(jī)臺主要由傳輸模塊、工藝模塊、藥液供給模塊、電源柜等組成，標(biāo)配8個腔...
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詳細(xì)摘要： Pinnacle300 12英寸槽式清洗設(shè)備適用于集成電路、功率半導(dǎo)體、襯底材料、硅基微顯示領(lǐng)域的清洗工藝。該機(jī)臺主要由傳輸模塊、工藝模塊、藥液供給系統(tǒng)、電源柜...
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詳細(xì)摘要： GAMA Series 6/8英寸全自動槽式清洗機(jī)滿足全部濕法工藝需求，覆蓋RCA、PR Strip、Solvent、Wet Etch等應(yīng)用，可用于典型0.35...
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詳細(xì)摘要： EPEE i200等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)主要用于6/8英寸氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等薄膜沉積工藝，平臺式多反應(yīng)腔架構(gòu)，兼容Si、Si...
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詳細(xì)摘要： HORIC L200臥式低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，主要用于半導(dǎo)體產(chǎn)線8英寸及以下晶圓淀積SiN、POLY、SiO?等薄膜，設(shè)備工藝性能好、產(chǎn)能大、可靠性高，可滿足半...
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詳細(xì)摘要： Esther E320R 8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)主要用于體硅外延、埋層外延、選擇性外延等多種特色工藝的運行。該設(shè)備主要由傳輸系統(tǒng)模塊、工藝腔室模塊、壓力控制模...
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詳細(xì)摘要： NMC 508RIE介質(zhì)刻蝕機(jī)為電容耦合等離子體干法刻蝕機(jī)，適用6/8英寸介質(zhì)層刻蝕工藝，具有高刻蝕速率和均勻性，工藝類型覆蓋前道和后道所有介質(zhì)刻蝕。該機(jī)臺為多...
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詳細(xì)摘要： NMC 508M金屬刻蝕機(jī)為高密度等離子體刻蝕機(jī)，適用6/8英寸金屬干法刻蝕工藝。具備良好的鋁線形貌控制能力、高刻蝕速率、高刻蝕均勻性、低顆粒/缺陷等性能優(yōu)勢。...
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詳細(xì)摘要： NMC 508CG多晶硅刻蝕機(jī)為高密度等離子體刻蝕機(jī)，適用6/8英寸多晶硅、硅等干法刻蝕工藝。具備良好的形貌控制能力、高刻蝕速率、高刻蝕均勻性、低顆粒/缺陷等性...
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詳細(xì)摘要： eVictor PVD Al金屬鋁薄膜物理氣相沉積系統(tǒng)，適用于12英寸集成電路領(lǐng)域，是一款PVD設(shè)備。該系統(tǒng)集成高溫去氣、等離子體預(yù)清洗、高溫Al、TaN、TT...
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詳細(xì)摘要： Polaris Series硅通孔物理氣相沉積系統(tǒng)主要由大氣平臺，真空傳輸平臺，去氣腔室，預(yù)清潔腔室和工藝腔室組成，設(shè)備采用Cluster Tool結(jié)構(gòu)，可配置...
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詳細(xì)摘要： eVictor Series 8英寸物理氣相沉積系統(tǒng)主要用于8英寸晶圓金屬薄膜沉積工藝。該機(jī)臺為多腔室前后雙平臺結(jié)構(gòu)，可支持10個工藝模塊，能夠進(jìn)行全自動工藝處...
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