eVictor PVD Al金屬鋁薄膜物理氣相沉積系統(tǒng)，適用于12英寸集成電路領(lǐng)域，是一款PVD設(shè)備。該系統(tǒng)集成高溫去氣、等離子體預(yù)清洗、高溫Al、TaN、TTN等多種工藝模塊，能在系統(tǒng)內(nèi)部實現(xiàn)工藝整合，還涉及大平臺傳輸、高溫靜電卡盤、磁控濺射源設(shè)計、厚鋁Whisker Defect控制及軟件控制等多項關(guān)鍵技術(shù)。

詳細介紹

設(shè)備特點

•磁控濺射系統(tǒng)性能：設(shè)備搭載磁控濺射系統(tǒng)，通過優(yōu)化磁場分布與濺射參數(shù)調(diào)控，能夠有效提升薄膜沉積過程中的均勻性 —— 確保晶圓表面不同區(qū)域的薄膜厚度、成分保持一致，減少因薄膜不均導致的產(chǎn)品性能差異；同時，該系統(tǒng)可優(yōu)化靶材的濺射路徑，減少靶材的無效消耗，顯著提高靶材利用率，降低材料浪費，幫助企業(yè)控制原材料成本。

•溫度控制組件設(shè)計：設(shè)備配備專業(yè)的加熱基座與高溫靜電卡盤，二者協(xié)同作用實現(xiàn)良好的溫度均勻性。加熱基座采用精準的溫度傳導結(jié)構(gòu)，可避免局部過熱或溫度不足的情況；高溫靜電卡盤則能緊密吸附晶圓，確保晶圓與基座間的熱傳導穩(wěn)定，進一步保障晶圓整體溫度分布均勻。穩(wěn)定的溫度環(huán)境為后續(xù)工藝提供了可靠基礎(chǔ)，減少因溫度波動對薄膜質(zhì)量、刻蝕效果等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的影響。

•雙腔傳輸平臺配置：設(shè)備采用全新雙腔傳輸平臺，具備較強的可配置性 —— 企業(yè)可根據(jù)實際生產(chǎn)需求，靈活調(diào)整平臺的運行參數(shù)與模塊組合方式；同時，該平臺支持接入 10 個工藝模塊，能夠?qū)崿F(xiàn)多道工藝的集成化處理，無需頻繁轉(zhuǎn)移晶圓至不同設(shè)備，大幅縮短生產(chǎn)流程耗時，提升整體生產(chǎn)效率。

•缺陷解決方案效果：設(shè)備針對 Whisker Defect（晶須缺陷）配備了優(yōu)秀的解決方案，通過優(yōu)化工藝參數(shù)（如濺射功率、溫度控制）、改進腔室內(nèi)部環(huán)境等方式，有效抑制晶須缺陷的產(chǎn)生，降低產(chǎn)品表面的缺陷率。這一設(shè)計減少了因缺陷導致的不合格品，提升了產(chǎn)品良率，間接降低了企業(yè)的生產(chǎn)成本與返工成本。

•產(chǎn)能與運營成本優(yōu)勢：在產(chǎn)能方面，設(shè)備具備較大的處理能力，單位時間內(nèi)可完成更多晶圓的加工任務(wù)，能夠滿足企業(yè)規(guī)?；a(chǎn)的需求，助力提升整體產(chǎn)能；在運營成本上，設(shè)備運行過程中能耗較低，且日常維護頻率較低、維護操作難度較小，所需維護配件的更換成本也相對可控，有效降低了企業(yè)長期運營過程中的資金投入。

產(chǎn)品應(yīng)用

•晶圓尺寸適配性：設(shè)備在晶圓尺寸適配方面專注于 12 英寸晶圓的加工處理，針對 12 英寸晶圓的尺寸特性優(yōu)化了腔室結(jié)構(gòu)、傳輸路徑與工藝參數(shù)，能夠穩(wěn)定實現(xiàn) 12 英寸晶圓的精準加工，無需額外進行復雜的設(shè)備改造或參數(shù)調(diào)試，確保 12 英寸晶圓生產(chǎn)過程中的穩(wěn)定性與一致性，滿足企業(yè)對大尺寸晶圓加工的需求。

•適用材料范圍：設(shè)備可適配鋁、氮化鉭、氮化鈦、鈦等多種金屬及金屬化合物材料的加工需求。針對不同材料的物理特性（如熔點、硬度）與化學特性（如反應(yīng)活性、導電性），設(shè)備通過調(diào)整磁控濺射參數(shù)、溫度控制范圍等，確保各類材料在沉積過程中能夠形成質(zhì)量穩(wěn)定的薄膜，滿足后續(xù)工藝對材料性能的要求，為半導體器件的導電層、保護層等結(jié)構(gòu)制造提供支持。

•適配工藝類型：設(shè)備可廣泛支持 AlPad（鋁焊盤）、鋁線、熱鋁等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)。其中，AlPad 工藝用于制造半導體器件的電極引出端，設(shè)備可保障鋁焊盤的平整度與導電性；鋁線工藝用于芯片內(nèi)部的金屬互聯(lián)，設(shè)備能精準控制鋁線的線寬與厚度；熱鋁工藝則針對高溫環(huán)境下的鋁材料加工需求，設(shè)備通過穩(wěn)定的溫度控制確保熱鋁工藝的順利實施，為不同工藝環(huán)節(jié)的質(zhì)量提供保障。

•覆蓋應(yīng)用領(lǐng)域：設(shè)備的應(yīng)用領(lǐng)域集中在集成電路、功率半導體、硅基微型顯示三大領(lǐng)域。在集成電路領(lǐng)域，可為芯片的金屬互聯(lián)層、電極結(jié)構(gòu)制造提供支持；在功率半導體領(lǐng)域，能夠滿足功率器件中導電層、緩沖層的加工需求，保障器件的耐高壓、大電流性能；在硅基微型顯示領(lǐng)域，可用于顯示面板中金屬電極、連接線路的制造，助力提升顯示面板的分辨率與穩(wěn)定性。