Booster SWA單片退火系統(tǒng)主要用于12英寸后段金屬互聯(lián)退火工藝。該機(jī)臺(tái)為多腔集群設(shè)備，能夠進(jìn)行全自動(dòng)并行工藝處理。系統(tǒng)主要由傳輸模塊和3個(gè)工藝模塊組成，其中工藝模塊主要用于Post Etch和Post Cu CMP退火工藝，通過去除Low-K材料吸附的水汽以恢復(fù)K值，傳輸模塊用于將晶圓安全而準(zhǔn)確地送達(dá)到指定工位。

詳細(xì)介紹

設(shè)備特點(diǎn)

•設(shè)備加熱系統(tǒng)采用 “雙模式 + 雙腔式" 結(jié)構(gòu)：“雙模式" 指加熱系統(tǒng)支持不同溫度區(qū)間、不同升溫速率的工藝設(shè)置，可根據(jù)具體工藝需求靈活切換，無需更換加熱組件；“雙腔式" 則是每個(gè)工藝模塊內(nèi)部集成兩個(gè)獨(dú)立加熱腔，可同時(shí)處理兩片晶圓，進(jìn)一步提升單模塊處理效率。這種設(shè)計(jì)既增強(qiáng)了工藝適配靈活性，又為產(chǎn)能提升提供了結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)。

•穩(wěn)定的溫度均勻性與良好的設(shè)備產(chǎn)能

溫度均勻性：加熱系統(tǒng)搭載多組溫度傳感器與閉環(huán)控溫算法，可實(shí)時(shí)監(jiān)測加熱腔不同區(qū)域的溫度，將腔室內(nèi)溫度差異控制在較小范圍。均勻的溫度環(huán)境能確保晶圓各區(qū)域退火效果一致，避免因局部溫度不均導(dǎo)致的 “部分區(qū)域 K 值未恢復(fù)、部分區(qū)域銅層應(yīng)力殘留" 等問題，保障晶圓工藝質(zhì)量的一致性；

設(shè)備產(chǎn)能：依托多腔集群架構(gòu)與并行處理能力，3 個(gè)工藝模塊可同時(shí)運(yùn)行，加上全自動(dòng)操作減少人工干預(yù)時(shí)間，設(shè)備整體產(chǎn)能可適配 12 英寸晶圓產(chǎn)線的批量生產(chǎn)節(jié)奏，無需頻繁增加設(shè)備投入即可滿足產(chǎn)線產(chǎn)能需求。

•設(shè)備配備高速 Load-lock（真空過渡室），核心作用是減少工藝模塊的真空切換時(shí)間：退火工藝需在特定氣氛（如惰性氣體保護(hù)）或真空環(huán)境下進(jìn)行，傳統(tǒng)設(shè)備切換晶圓時(shí)需先破真空、取放晶圓、再抽真空，耗時(shí)較長；而高速 Load-lock 可提前完成晶圓的真空過渡 —— 晶圓先要進(jìn)入 Load-lock 完成抽真空 / 氣氛置換，再快速傳入工藝模塊，無需頻繁破環(huán)工藝模塊的穩(wěn)定環(huán)境。這一設(shè)計(jì)不僅縮短了單片晶圓的工藝周期，還減少了工藝模塊的真空系統(tǒng)損耗，降低設(shè)備維護(hù)成本與運(yùn)營能耗，實(shí)現(xiàn) “大產(chǎn)能、低運(yùn)營成本" 的平衡。

產(chǎn)品應(yīng)用

晶圓尺寸適配：專為12 英寸晶圓設(shè)計(jì)，設(shè)備的傳輸軌道寬度、工藝模塊腔室尺寸、晶圓承載結(jié)構(gòu)均針對 12 英寸晶圓的物理特性（直徑 300mm）優(yōu)化，可穩(wěn)定承載、傳輸 12 英寸晶圓，避免因尺寸不匹配導(dǎo)致的晶圓傳送偏移或工藝腔室適配誤差，契合當(dāng)前 12 英寸集成電路產(chǎn)線的主流需求。

•適用工藝：Sub 40nm BEOL 單片退火

BEOL（后段工藝）：指集成電路制造中 “器件制備完成后，進(jìn)行金屬互聯(lián)、絕緣層沉積" 的工序，退火工藝是 BEOL 的關(guān)鍵輔助步驟，直接影響金屬互聯(lián)的可靠性；

Sub 40nm：表示設(shè)備可適配特征尺寸小于 40 納米的集成電路工藝，這類工藝對金屬互聯(lián)的精度、絕緣性能要求更高，設(shè)備通過穩(wěn)定的溫度控制與 Low-K 材料水汽去除能力，可滿足 Sub 40nm 工藝對退火效果的嚴(yán)苛要求；

單片退火：采用單片式處理方式，可針對每片晶圓的工藝參數(shù)進(jìn)行細(xì)微調(diào)整（如根據(jù)前序工藝的偏差，微調(diào)退火溫度或時(shí)間），保障每片晶圓的退火效果均符合標(biāo)準(zhǔn)，避免批量處理中 “一片異常、多片受影響" 的問題。

•適用領(lǐng)域：集成電路

核心應(yīng)用于集成電路制造領(lǐng)域，具體覆蓋邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片（如 DRAM、NAND）等各類集成電路的后段金屬互聯(lián)工序。在集成電路向 “更小制程、更大尺寸晶圓" 發(fā)展的趨勢下，設(shè)備通過適配 12 英寸晶圓與 Sub 40nm 工藝，可保障后段金屬互聯(lián)的穩(wěn)定性，間接提升芯片的性能（如降低信號(hào)延遲）與使用壽命，是集成電路制程制造中的重要輔助設(shè)備。

關(guān)鍵詞：標(biāo)準(zhǔn) 溫度傳感器