設(shè)備特點(diǎn)
•精密的腔室微環(huán)境控制能力：可減少環(huán)境因素對清洗效果的干擾，確保不同批次晶圓的工藝一致性。
•支持多種化學(xué)品兼容：設(shè)備在藥液管路設(shè)計(jì)、腔室材質(zhì)選擇上充分考慮化學(xué)品兼容性，避免不同試劑混合產(chǎn)生危險(xiǎn)或影響工藝，滿足多工藝場景下的試劑需求。
•高效的化學(xué)品回收效率：針對高成本試劑（如部分有機(jī)溶劑、專用蝕刻液），設(shè)備配備專用回收模塊。這一設(shè)計(jì)不僅大幅降低了化學(xué)品采購成本，還減少了廢液排放量，契合半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) “綠色生產(chǎn)" 的發(fā)展趨勢。
•4 腔或 8 腔靈活可選：設(shè)備提供兩種腔室配置方案，適配不同產(chǎn)能需求 ——4 腔配置適合小批量生產(chǎn)、工藝研發(fā)或?qū)嶒?yàn)室場景，占地面積更小，投資成本更低；8 腔配置則針對大規(guī)模量產(chǎn)需求，可通過多腔并行處理將單位時(shí)間晶圓處理量提升至 4 腔配置的 1.8-2 倍，靈活匹配客戶產(chǎn)能規(guī)劃。
•優(yōu)秀的干燥效果：清洗后的晶圓若殘留水分，易導(dǎo)致金屬層氧化、介質(zhì)膜結(jié)合不良等問題。設(shè)備干燥模塊加速晶圓內(nèi)部殘留水分蒸發(fā)，干燥后無肉眼可見水痕或顆粒殘留，為后續(xù)封裝、薄膜沉積等工藝提供潔凈干燥的基底。
產(chǎn)品應(yīng)用
•晶圓尺寸適配：專為12 英寸晶圓設(shè)計(jì)，從傳輸模塊的晶圓承載臺(tái)尺寸、工藝腔室的內(nèi)徑到清洗噴頭的覆蓋范圍，均針對 12 英寸晶圓的物理特性（直徑 300mm）優(yōu)化，可穩(wěn)定處理 12 英寸裸晶圓、帶膜晶圓等不同類型產(chǎn)品，避免因尺寸不匹配導(dǎo)致的清洗不均或晶圓損傷，適配當(dāng)前主流大尺寸晶圓產(chǎn)線需求。
•適用材料覆蓋：兼容半導(dǎo)體制造中多種核心材料，且針對不同材料特性優(yōu)化清洗方案：
單晶硅 / 多晶硅：作為襯底核心材料，采用低腐蝕性試劑（如稀釋*）去除表面氧化層與雜質(zhì)，保護(hù)晶體結(jié)構(gòu)不被破壞；
氧化硅 / 氮化硅：常用于介質(zhì)層或保護(hù)層，通過選擇性試劑（如濃*可去除氧化硅、熱磷酸可去除氮化硅）實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)清洗或剝離，不影響周邊材料；
介質(zhì)膜：針對光刻膠、聚酰亞胺等介質(zhì)膜，采用專用有機(jī)溶劑或等離子輔助清洗，實(shí)現(xiàn)無殘留去除；
金屬膜：針對銅（Cu）、鋁（Al）等互連層金屬膜，采用溫和的酸性清洗液去除表面氧化層與蝕刻殘留，保障金屬導(dǎo)電性。
•適用工藝場景：聚焦晶圓后段關(guān)鍵工藝，同時(shí)覆蓋部分前段需求，每個(gè)工藝均對應(yīng)明確生產(chǎn)價(jià)值：
后段 Cu/Al 制程刻蝕后清洗：去除刻蝕后殘留的聚合物、金屬碎屑與蝕刻試劑，避免雜質(zhì)影響金屬互連的導(dǎo)電性與可靠性；
AlPad 清洗：針對鋁焊盤（AlPad）表面的氧化層與污染物，通過專用清洗方案恢復(fù)焊盤活性，確保后續(xù)鍵合工藝的良率；
背面清洗 / 背面刻蝕：清洗晶圓背面的顆粒與雜質(zhì)，或選擇性刻蝕背面多余的介質(zhì)層 / 金屬層，避免背面污染影響封裝質(zhì)量，同時(shí)優(yōu)化晶圓散熱性能；
后段控?fù)跗厥眨簩蠖萎a(chǎn)線中用于保護(hù)晶圓、優(yōu)化工藝均勻性的控?fù)跗M(jìn)行清洗，去除表面殘留的金屬雜質(zhì)與介質(zhì)膜，實(shí)現(xiàn)控?fù)跗貜?fù)利用，降低耗材成本。
•適用領(lǐng)域延伸：深度適配多類半導(dǎo)體核心場景的工藝需求：
集成電路領(lǐng)域：支撐 12 英寸邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片（如 3D NAND、DRAM）后段金屬互連工藝的清洗需求，保障芯片電學(xué)性能；
封裝領(lǐng)域：針對封裝（如 CoWoS、SiP）前的晶圓清洗，去除表面微污染物，確保封裝時(shí)的鍵合精度與可靠性；
功率半導(dǎo)體領(lǐng)域：適配碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）功率器件的清洗需求，采用溫和工藝避免損傷功率器件的高壓結(jié)構(gòu)，提升器件壽命；
硅基微顯示領(lǐng)域：針對硅基 OLED、Micro LED 等微顯示器件的精細(xì)結(jié)構(gòu)，提供高精度清洗，確保微小像素區(qū)域無殘留，保障顯示效果。
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