Polaris Series硅通孔物理氣相沉積系統(tǒng)主要由大氣平臺(tái)，真空傳輸平臺(tái)，去氣腔室，預(yù)清潔腔室和工藝腔室組成，設(shè)備采用Cluster Tool結(jié)構(gòu)，可配置多個(gè)工藝腔室、預(yù)清洗腔室和去氣腔室，適合封裝領(lǐng)域TSV粘附層、擴(kuò)散阻擋層以及種子層薄膜制備大規(guī)模生產(chǎn)。Polaris系列PVD為全自動(dòng)大產(chǎn)能設(shè)備，具有反應(yīng)腔自動(dòng)開(kāi)閉蓋、晶圓自動(dòng)傳輸、工藝去氣、晶圓表面預(yù)清潔、薄膜沉積自動(dòng)化等特點(diǎn)。

詳細(xì)介紹

設(shè)備特點(diǎn)

•專(zhuān)業(yè)磁控濺射源與腔室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：該設(shè)備搭載經(jīng)過(guò)精密研發(fā)的專(zhuān)業(yè)磁控濺射源，同時(shí)配合定制化的腔室結(jié)構(gòu)。通過(guò)對(duì)濺射源磁場(chǎng)分布的精準(zhǔn)調(diào)控，以及腔室內(nèi)氣流場(chǎng)、壓力場(chǎng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)，能夠減少靶材在濺射過(guò)程中的無(wú)效損耗 —— 避免靶材因磁場(chǎng)不均導(dǎo)致局部過(guò)度消耗，或因腔室環(huán)境紊亂造成靶材粒子的無(wú)效沉積，從而顯著提高靶材的實(shí)際利用率，降低企業(yè)在靶材耗材上的成本投入，同時(shí)減少因靶材頻繁更換帶來(lái)的生產(chǎn)停機(jī)時(shí)間，提升整體生產(chǎn)效率。

•高離化率磁控濺射源的優(yōu)勢(shì)：設(shè)備的磁控濺射源采用高離化率設(shè)計(jì)，這一設(shè)計(jì)能大幅提升濺射粒子的離化比例。在膜層沉積過(guò)程中，高離化的粒子具有更強(qiáng)的方向性與附著力，即便基片表面存在臺(tái)階、溝槽等復(fù)雜形貌，也能均勻、完整地覆蓋在基片表面，有效解決傳統(tǒng)濺射工藝中臺(tái)階覆蓋率不足的問(wèn)題。良好的臺(tái)階覆蓋率可確保膜層在復(fù)雜結(jié)構(gòu)處的連續(xù)性與穩(wěn)定性，為后續(xù)封裝工藝的可靠性奠定關(guān)鍵基礎(chǔ)，尤其適用于高精度封裝場(chǎng)景的需求。

•封裝領(lǐng)域?qū)俜€(wěn)定傳輸系統(tǒng)：針對(duì)封裝領(lǐng)域的生產(chǎn)特性，設(shè)備配備了經(jīng)過(guò)專(zhuān)項(xiàng)優(yōu)化的傳輸系統(tǒng)。該系統(tǒng)具備高度的穩(wěn)定性，能夠精準(zhǔn)控制基片的傳輸速度、位置與姿態(tài)，避免基片在傳輸過(guò)程中出現(xiàn)劃傷、偏移或污染等問(wèn)題。同時(shí)，傳輸系統(tǒng)兼容性強(qiáng)，可適配多種類(lèi)型的基片，包括硅基基片、陶瓷基片、玻璃基片等不同材質(zhì)、不同規(guī)格的基片，滿足封裝領(lǐng)域多樣化的生產(chǎn)需求，為批量生產(chǎn)提供穩(wěn)定、靈活的保障。

•專(zhuān)業(yè)偏壓基座：設(shè)備采用專(zhuān)業(yè)設(shè)計(jì)的偏壓基座，除了具備出色的冷卻性能外，還通過(guò)特殊的冷卻通道布局實(shí)現(xiàn)了冷卻效果的均勻分布。在膜層沉積過(guò)程中，基座溫度的穩(wěn)定與否直接影響膜層質(zhì)量，該偏壓基座能有效控制溫度波動(dòng)，避免因基片局部過(guò)熱或溫度不均導(dǎo)致的膜層開(kāi)裂、性能衰減等問(wèn)題。此外，良好的冷卻性能還能延長(zhǎng)基座的使用壽命，降低設(shè)備的維護(hù)成本，保障長(zhǎng)期生產(chǎn)的穩(wěn)定性。

•優(yōu)化工藝流程的雙重效益：設(shè)備的工藝流程經(jīng)過(guò)深度優(yōu)化，在保證膜層精度與質(zhì)量的前提下，通過(guò)簡(jiǎn)化不必要的操作步驟、提升各環(huán)節(jié)的協(xié)同效率，大幅縮短了單批次基片的加工周期，實(shí)現(xiàn)了大產(chǎn)能表現(xiàn)，能夠滿足企業(yè)規(guī)?；a(chǎn)的需求。同時(shí)，優(yōu)化后的工藝流程減少了能源消耗與輔助耗材的使用量，降低了設(shè)備的日常運(yùn)營(yíng)成本，幫助企業(yè)在提升產(chǎn)能的同時(shí)，進(jìn)一步提高生產(chǎn)效益與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

產(chǎn)品應(yīng)用

•適配主流晶圓尺寸：設(shè)備主要適配 8 英寸與 12 英寸兩種晶圓尺寸，這兩種尺寸是當(dāng)前集成電路封裝領(lǐng)域的主流規(guī)格。其中，8 英寸晶圓適用于中小批量、高精度的封裝生產(chǎn)，滿足消費(fèi)電子、汽車(chē)電子等領(lǐng)域中中低端芯片的封裝需求；12 英寸晶圓則更適合大規(guī)模量產(chǎn)，可支撐服務(wù)器芯片、人工智能芯片等芯片的封裝生產(chǎn)，覆蓋全場(chǎng)景晶圓封裝需求。

•覆蓋關(guān)鍵封裝材料：設(shè)備可針對(duì)封裝領(lǐng)域的多種關(guān)鍵材料進(jìn)行膜層沉積，具體包括銅、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭。不同材料在封裝中承擔(dān)不同功能：銅因具備優(yōu)異的導(dǎo)電性，常用于封裝結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電互聯(lián)層，確保芯片間信號(hào)與電流的高效傳輸；鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭則具有出色的阻擋性能，可作為阻擋層使用，有效防止導(dǎo)電層金屬原子向周?chē)橘|(zhì)擴(kuò)散，避免芯片性能受到影響，保障封裝結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

•支持 TSV 沉積工藝：設(shè)備專(zhuān)門(mén)針對(duì) 2.5D/3D TSV（硅通孔）沉積工藝進(jìn)行適配優(yōu)化。TSV 技術(shù)是實(shí)現(xiàn) 2.5D/3D 封裝的核心技術(shù)，通過(guò)在硅片上制作通孔并進(jìn)行金屬化沉積，可打破傳統(tǒng)封裝的平面互聯(lián)限制，實(shí)現(xiàn)芯片間的垂直互聯(lián)，大幅提升封裝密度與芯片運(yùn)行速度。該設(shè)備能穩(wěn)定完成 TSV 孔內(nèi)的膜層沉積，確保孔內(nèi)膜層的均勻性與附著力，滿足封裝對(duì)工藝精度的嚴(yán)苛要求。

•聚焦封裝核心領(lǐng)域：設(shè)備的核心應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)榧呻娐贩庋b，尤其適用于高密度、高可靠性的封裝場(chǎng)景。例如，在智能手機(jī)芯片的封裝中，可通過(guò)該設(shè)備實(shí)現(xiàn)小型化、高集成度的膜層結(jié)構(gòu)；在服務(wù)器 CPU、GPU 以及人工智能芯片的封裝中，能滿足高功率、高頻率下的膜層穩(wěn)定性需求，為這些芯片的性能發(fā)揮提供關(guān)鍵工藝支持，助力封裝技術(shù)向更高精度、更高集成度的方向發(fā)展。

關(guān)鍵詞：服務(wù)器