Esther E320R 8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)主要用于體硅外延、埋層外延、選擇性外延等多種特色工藝的運行。該設(shè)備主要由傳輸系統(tǒng)模塊、工藝腔室模塊、壓力控制模塊等組成。精準的壓力、氣流場與溫場控制，保證了外延片良好的工藝性能，保證成膜質(zhì)量。傳輸模塊可兼容多種晶圓尺寸，同時滿足多種類的工藝需求。

詳細介紹

設(shè)備特點

•專業(yè)的氣流場和溫度場設(shè)計：通過優(yōu)化氣流通道結(jié)構(gòu)與加熱組件布局，實現(xiàn)反應(yīng)氣體在工藝腔室內(nèi)的均勻擴散，同時保證晶圓表面溫度分布的高度一致性，有效避免因氣流、溫度不均導(dǎo)致的外延層質(zhì)量問題，最終獲得優(yōu)異的工藝性能，確保外延片各項參數(shù)達標；

•高精度的壓力控制系統(tǒng)：搭載高靈敏度壓力檢測元件與快速響應(yīng)的壓力調(diào)節(jié)裝置，能夠?qū)崟r監(jiān)測并調(diào)整工藝腔室內(nèi)壓力，將壓力波動控制在極小范圍內(nèi)，為薄膜生長提供穩(wěn)定的壓力環(huán)境，從根本上保證成膜質(zhì)量的穩(wěn)定性與可靠性；

•穩(wěn)定的傳輸和電機升降系統(tǒng)：傳輸系統(tǒng)采用平穩(wěn)的輸送機構(gòu)，可避免晶圓在傳輸過程中產(chǎn)生晃動或位置偏移；電機升降系統(tǒng)則具備高精度定位能力，能精準調(diào)節(jié)工藝相關(guān)部件的高度，兩者協(xié)同工作可盡可能限度減少工藝誤差，保證不同批次、不同位置晶圓的工藝結(jié)果一致性；

•友好的人機交互和全面的安全性設(shè)計：人機交互界面采用直觀的操作邏輯，工作人員可便捷地設(shè)置工藝參數(shù)、監(jiān)控設(shè)備運行狀態(tài)，降低操作復(fù)雜度；安全性設(shè)計覆蓋過載保護、異常報警、緊急停機等功能，能實時監(jiān)測設(shè)備運行風(fēng)險，及時響應(yīng)突發(fā)狀況，保障設(shè)備系統(tǒng)穩(wěn)定、操作人員安全及整體生產(chǎn)高效；

•靈活的機型選擇：提供單腔和多腔兩種機型，單腔機型適合小批量生產(chǎn)、工藝研發(fā)等場景，多腔機型則能滿足大規(guī)模量產(chǎn)需求，可根據(jù)客戶的產(chǎn)能規(guī)劃與應(yīng)用場景，提供個性化的設(shè)備配置方案。

產(chǎn)品應(yīng)用

•晶圓尺寸適配：兼容 6 英寸與 8 英寸晶圓，無需對設(shè)備進行大規(guī)模改造即可切換不同尺寸晶圓的生產(chǎn)，提升設(shè)備在不同產(chǎn)線中的適用性，降低客戶的設(shè)備投入與產(chǎn)線調(diào)整成本；

•適用材料：專門針對硅材料設(shè)計，可滿足硅基外延工藝對反應(yīng)材料的要求，契合集成電路、功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域?qū)Ω哔|(zhì)量硅基材料的核心需求，為硅基半導(dǎo)體器件的制備提供基礎(chǔ)支持；

•適用工藝：可穩(wěn)定運行體硅外延、埋層外延、選擇性外延工藝 —— 體硅外延用于制備厚度均勻、純度高的硅襯底層；埋層外延用于在晶圓內(nèi)部形成特定導(dǎo)電埋層，優(yōu)化器件電學(xué)性能；選擇性外延則可在晶圓指定區(qū)域生長硅膜，滿足復(fù)雜器件結(jié)構(gòu)的制備需求；

•適用領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域（用于芯片制造中關(guān)鍵的外延層制備環(huán)節(jié)）、功率半導(dǎo)體領(lǐng)域（助力高耐壓、高功率半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)）、襯底材料領(lǐng)域（用于制備高性能硅襯底，為后續(xù)器件制造提供優(yōu)質(zhì)基底）、科研領(lǐng)域（支持高校、科研機構(gòu)開展半導(dǎo)體材料與外延工藝的研發(fā)實驗，推動相關(guān)技術(shù)創(chuàng)新）。

關(guān)鍵詞：控制系統(tǒng)