設備特點
•16 區(qū)加熱設計，保障溫場均勻性
設備采用 16 個獨立加熱區(qū)的設計，每個加熱區(qū)可通過精準控溫算法單獨調節(jié)功率：通過對爐內不同區(qū)域的溫度進行細分控制，有效減少爐內溫度差異，使溫場均勻性保持在良好水平。這種設計對濕法氧化工藝至關重要 —— 二氧化硅的生長速率與溫度直接相關，均勻的溫場能確保晶圓各區(qū)域（從中心到邊緣）的氧化反應速率一致，避免出現(xiàn)局部氧化層過厚、過薄或質量不均的問題，最終保障二氧化硅層的厚度精度與性能穩(wěn)定性。
•單腔 / 多腔靈活選擇，適配不同需求
針對不同客戶的產能規(guī)劃與應用場景，設備提供兩種腔室配置：
單腔配置：結構相對簡潔，適合實驗室研發(fā)、小批量試產或對產能需求較低的場景，可降低客戶初始設備采購成本，同時便于針對特定工藝進行參數(shù)調試；
多腔配置：集成多個獨立工藝腔，各腔室可同步運行相同或不同工藝，大幅提升整體產能，適配集成電路、功率半導體領域的規(guī)模化量產需求，減少產線設備占地面積。
低擁有成本與低運營成本，兼顧經濟性
低擁有成本：設備設計簡化了部分復雜配套組件，初始采購成本更具優(yōu)勢，同時無需大規(guī)模改造廠房即可安裝調試，減少前期基建投入；
低運營成本：通過優(yōu)化加熱系統(tǒng)能耗、采用易維護的部件設計（如關鍵組件模塊化，更換便捷），降低日常能耗支出與維護成本；此外，工藝過程中試劑利用率較高，減少耗材浪費，進一步壓縮運營成本。
•友好的人機交互與安全性設計，保障穩(wěn)定高效
人機交互方面：設備配備直觀的操作界面，工作人員可便捷地設置工藝參數(shù)（如溫度、壓力、氧化時間），同時支持工藝數(shù)據(jù)存儲與追溯，降低操作復雜度，減少人為操作誤差；
安全性設計方面：集成多重安全保護功能，包括異常溫度報警、壓力超限保護、試劑泄漏檢測及緊急停機裝置，可實時監(jiān)測設備運行風險，及時響應突發(fā)狀況，既保障操作人員安全，又避免因異常情況導致設備損壞或工藝中斷，確保系統(tǒng)長期穩(wěn)定、高效運行。
產品應用
•晶圓尺寸適配：12 英寸單片處理
設備專為 12 英寸晶圓設計，從工藝腔室尺寸、晶圓傳輸軌道寬度到加熱區(qū)域覆蓋范圍，均針對 12 英寸晶圓的物理特性（直徑 300mm）優(yōu)化：傳輸系統(tǒng)可穩(wěn)定承載 12 英寸晶圓，避免傳送過程中出現(xiàn)偏移或劃傷；加熱區(qū)域能完整覆蓋晶圓表面，確保全片溫場均勻，適配當前 12 英寸晶圓在集成電路、功率半導體領域的主流應用需求，無需對設備進行大規(guī)模改造即可處理該尺寸晶圓。
•適用材料：二氧化硅制備
核心用于二氧化硅的濕法氧化制備，二氧化硅是半導體制造中的核心材料 —— 在集成電路中常用作器件間的絕緣層，避免信號干擾；在功率半導體中可提升器件的耐壓性；在襯底材料領域可作為襯底表面的保護層或預處理層。設備通過減壓原位濕法氧化工藝，能制備出純度高、致密性好的二氧化硅層，滿足不同領域對二氧化硅材料的性能要求。
•適用工藝：濕法氧化與減壓 Spike
濕法氧化：在減壓環(huán)境下，通過通入氧化劑（如氧氣與水蒸氣的混合氣體）與硅晶圓表面發(fā)生反應，生成二氧化硅層。減壓環(huán)境可減少氧化過程中氣泡的產生，提升二氧化硅層的致密性與平整度，同時控制氧化速率，確保氧化層厚度精準；
減壓 Spike：一種快速升溫 - 降溫的輔助工藝，常用于濕法氧化后對二氧化硅層進行處理 —— 通過短暫的高溫處理（在減壓環(huán)境下避免氧化層損傷），優(yōu)化二氧化硅層的微觀結構，減少缺陷，提升其絕緣性能與與硅基底的結合力，進一步優(yōu)化器件可靠性。
•適用領域延伸
集成電路領域：用于邏輯芯片、存儲芯片（如 DRAM、NAND）制造中絕緣層、掩膜層的二氧化硅制備，保障芯片內部器件的電氣隔離與光刻工藝的精度；
功率半導體領域：為硅基功率器件（如 IGBT、MOSFET）制備高質量二氧化硅層，提升器件的耐壓等級與長期工作穩(wěn)定性；
襯底材料領域：對硅襯底進行表面氧化處理，形成二氧化硅保護層，或為后續(xù)薄膜沉積工藝提供優(yōu)質基底，提升襯底材料的使用性能；
科研領域：支持實驗室對濕法氧化工藝的參數(shù)探索（如不同壓力、溫度對二氧化硅質量的影響），為新型半導體材料或器件的研發(fā)提供工藝設備支持。
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