摘要 PVATEPLA/TECHNICS300AUTOLOADPC刻蝕機(jī)

摘要 二手現(xiàn)貨刻蝕機(jī)PVATEPLA/TECHNICS300SEMI-AUTO，等離子刻蝕系統(tǒng)，已打包封裝完成，隨時(shí)可發(fā)貨

摘要 PVATEPLA/TECHNICS300TL1000刻蝕機(jī)二手現(xiàn)貨，Plasmaasher設(shè)備，已運(yùn)行2065小時(shí)

摘要 PVATEPLA/TECHNICS刻蝕機(jī)400INLINE/PS400二手現(xiàn)貨，微波等離子刻蝕系統(tǒng)，打包封裝完成，隨時(shí)發(fā)貨

摘要 PVATEPLA/TECHNICS600AUTOLOAD二手刻蝕機(jī)現(xiàn)貨，Plasmaasher設(shè)備，已運(yùn)行1731小時(shí)

摘要 PVATEPLA/TECHNICS660刻蝕機(jī)二手現(xiàn)貨，2008年設(shè)備，僅運(yùn)行16小時(shí)，微波等離子刻蝕設(shè)備

摘要 PVATEPLA/TECHNICSGIGA690二手現(xiàn)貨刻蝕機(jī)，2010年等離子刻蝕系統(tǒng)

摘要 PVATEPLA/TECHNICSGIGABATCH360M刻蝕機(jī)，2013年設(shè)備，等離子刻蝕系統(tǒng)

摘要 HITACHIKOKUSAIAsherRAM-8500ZX，針對于8英寸晶圓Asher設(shè)備，生產(chǎn)于1996年

摘要 AspenIII基于具有接地法拉第屏蔽的專有ICP源設(shè)計(jì)，為半導(dǎo)體制造商提供經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證且具有成本效益的剝離和蝕刻解決方案

摘要 Novellus二手翻新刻蝕系統(tǒng)Gamma2130，屬Asher類設(shè)備，針對于12英寸(300mm)晶圓處理

摘要 AMAT二手刻蝕系統(tǒng)CenturaEnabler，于2010年開始使用，采用氧化物刻蝕法，針對12英寸晶圓進(jìn)行處理

摘要 Axcelis二手刻蝕系統(tǒng)Integra于2012年投入使用，針對于12英寸晶圓的蝕刻處理

摘要 Hitachi日立二手刻蝕系統(tǒng)DM421P與1995年投入使用，針對于8英寸晶圓的刻蝕工藝

摘要 Mattson二手刻蝕設(shè)備ParadigmE于2012年開始使用，針對于12寸晶圓的刻蝕處理

摘要 Mattson二手刻蝕系統(tǒng)ParadigmEXP于2010年投入使用，針對于12英寸晶圓的LightEtch工藝

摘要 TEL二手刻蝕設(shè)備TactrasVigus-0于2012年開始使用

摘要 TEL刻蝕系統(tǒng)Tactras™是一種高度可靠的300毫米等離子蝕刻系統(tǒng)，可提高蝕刻工藝的工作效率

摘要 TEL刻蝕系統(tǒng)CertasLEAGA™是一種環(huán)保、高通量的氣體化學(xué)蝕刻系統(tǒng)，專為300毫米晶圓而設(shè)計(jì)，無需使用液體即可提供表面蝕刻和清潔

摘要 UNITY™Me在200毫米晶圓內(nèi)實(shí)現(xiàn)等離子蝕刻工藝的性價(jià)比，提供的可靠性和生產(chǎn)力

摘要 AMAT刻蝕設(shè)備CENTURADPS2，具有4個(gè)作業(yè)腔室，3個(gè)DPSII腔室和一個(gè)Axiom室，采用ASHERS過程工藝，針對于12英寸晶圓進(jìn)行高效處理

摘要 AMAT二手刻蝕設(shè)備Centura5200生產(chǎn)于1998年，針對于6-8英寸JMF形晶圓進(jìn)行刻蝕處理

摘要 AMAT等離子蝕刻機(jī)AME8100用于反應(yīng)離子氧化物、氮化物和抗蝕劑除渣的蝕刻

摘要 HITACHI二手翻新現(xiàn)貨刻蝕機(jī)M308AT采用金屬蝕刻工藝，針對于8英寸(200mm)尺寸的晶圓處理

摘要 LRCRainbowEtcher是全自動(dòng)在線單晶圓等離子/RIE蝕刻系統(tǒng)，可處理6英寸或8英寸晶圓，具有頂部或/和底部供電電極板、可編程電極間距和自動(dòng)非接觸式晶圓對齊和放置

摘要 LAMRESEARCH刻蝕系統(tǒng)TCP9400最初設(shè)計(jì)用于生產(chǎn)多晶硅蝕刻

摘要 Gasonics等離子刻蝕系統(tǒng)L3510設(shè)計(jì)用于半導(dǎo)體晶圓的灰化和清洗

摘要 SAMCO等離子刻蝕機(jī)RIE-300NR是一種理想的反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)，適用于加工?300mm晶圓和多晶圓（?3"×12，?4"×8等），具有優(yōu)異的均勻性

摘要 RIE等離子蝕刻系統(tǒng)RIE-200NL是一種負(fù)載鎖定型的反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)，它提高了工藝的可重復(fù)性，并允許腐蝕性氣體化學(xué)

摘要 RIE-200C是在擁有豐富交貨業(yè)績的CCPRIE系統(tǒng)"RIE-10NR"的基礎(chǔ)上開發(fā)的量產(chǎn)型盒式裝載系統(tǒng)

摘要 SAMCOICP刻蝕機(jī)RIE-230iP是以電感耦合等離子體為放電方式，高速進(jìn)行各種材料的超精細(xì)加工的負(fù)載鎖定型ICP蝕刻系統(tǒng)

摘要 SAMCO二手現(xiàn)貨ICP刻蝕機(jī)RIE-400iP是用于?4"晶圓的負(fù)載鎖定型蝕刻系統(tǒng)，可對各種半導(dǎo)體和絕緣膜進(jìn)行高精度、高均勻性加工

摘要 SAMCOICP-RIE等離子體蝕刻設(shè)備RIE-800iP是一種能夠產(chǎn)生高密度等離子體的ICP（感應(yīng)耦合等離子體）蝕刻系統(tǒng)

摘要 SAMCOICP刻蝕設(shè)備RIE-350iPC是一種盒式裝載電感耦合等離子體(ICP)蝕刻設(shè)備，可處理多達(dá)?350毫米的載盤，用于多晶圓批量處理

摘要 SAMCO深硅刻蝕設(shè)備RIE-400iPB是一款電感耦合等離子體放電設(shè)備，用于博世MEMS和電子元件工藝中的高速硅深孔加工

摘要 SAMCO深硅刻蝕系統(tǒng)RIE-800BCT是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產(chǎn)型硅DRIE系統(tǒng)

摘要 SAMCO深硅蝕刻設(shè)備RIE-802BCT是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個(gè)反應(yīng)室的量產(chǎn)用硅深孔系統(tǒng)

摘要 SAMACOICP蝕刻設(shè)備RIE-800iPC，具有優(yōu)良工藝再現(xiàn)性的生產(chǎn)設(shè)備它是一種使用感應(yīng)耦合等離子體作為放電類型的高密度等離子體蝕刻設(shè)備

摘要 SAMCO二手翻新ICP刻蝕機(jī)RIE-400iPC，是高密度等離子體蝕刻系統(tǒng)，采用電感耦合等離子體作為放電形式

摘要 TEL/TOKYOELECTRON氧化物刻蝕系統(tǒng)TE8500采用VEXTA5相驅(qū)動(dòng)器，針對8英寸晶圓的可是處理

摘要 TEL/TOKYOELECTRON二手翻新現(xiàn)貨刻蝕機(jī)TELIUSSP305SCCMTE，針對于12英寸的晶圓進(jìn)行刻蝕處理，采用接觸式刻蝕作業(yè)方式，可4個(gè)腔室同時(shí)工作

摘要 LAMRESEARCH刻蝕機(jī)4400二手設(shè)備現(xiàn)貨供應(yīng)，針對6英寸晶圓進(jìn)行刻蝕處理

摘要 LAMRESEARCH二手翻新刻蝕機(jī)4500，針對6英寸晶圓的氧化刻蝕設(shè)備

摘要 AMATAPPLIEDMATERIALS刻蝕機(jī)CENTURADPSG5生產(chǎn)于2008年，針對12英寸的晶圓進(jìn)行刻蝕作業(yè)

摘要 AMATAPPLIEDMATERIALS二手刻蝕機(jī)CENTURAMXP+生產(chǎn)與1997年，針對8英寸的晶圓進(jìn)行氧化刻蝕處理