摘要 刻蝕設(shè)備PlasmaPro1000 Astrea新型的PlasmaPro1000 Astrea刻蝕設(shè)備，該設(shè)備可以為PSS, GaN 和AlGaInP提供大批量刻蝕提供解決方案，有助于HBLED制造商提高良率和降低使用者成本。

摘要 離子束刻蝕/沉積系統(tǒng)

摘要 NMC 508RIE介質(zhì)刻蝕機為電容耦合等離子體干法刻蝕機，適用6/8英寸介質(zhì)層刻蝕工藝，具有高刻蝕速率和均勻性，工藝類型覆蓋前道和后道所有介質(zhì)刻蝕。該機臺為多腔室集群設(shè)備，可全自動并行工藝、易維護、性能穩(wěn)定、產(chǎn)能高、客戶擁有成本低。

摘要NMC 508M金屬刻蝕機為高密度等離子體刻蝕機，適用6/8英寸金屬干法刻蝕工藝。具備良好的鋁線形貌控制能力、高刻蝕速率、高刻蝕均勻性、低顆粒/缺陷等性能優(yōu)勢。該機臺為多腔室集群設(shè)備，含金屬腔和去膠腔組合，可全自動并行工藝，PM維護周期長，性能穩(wěn)定，產(chǎn)能高，客戶擁有成...

摘要NMC 508CG多晶硅刻蝕機為高密度等離子體刻蝕機，適用6/8英寸多晶硅、硅等干法刻蝕工藝。具備良好的形貌控制能力、高刻蝕速率、高刻蝕均勻性、低顆粒/缺陷等性能優(yōu)勢。該機臺為多腔室集群設(shè)備，可全自動并行工藝，易維護、性能穩(wěn)定、產(chǎn)能高、客戶擁有成本低 。已廣泛量產(chǎn)應(yīng)用...

摘要JBX-6300FS的電子光學(xué)系統(tǒng)在100kV的加速電壓下能自動調(diào)整直徑為（計算值）2.1nm的電子束，簡便地描畫出線寬在8nm以下（實際可達5nm）的圖形。此外，該光刻系統(tǒng)還實現(xiàn)了9nm以下的場拼接精度和套刻精度，性能比。利用最細(xì)電子束束斑（實測值直徑≦2.9nm）...

摘要 JBX-9500FS是一款100kV圓形束電子束光刻系統(tǒng)，兼具高水平的產(chǎn)出量和定位精度，能容納300mmφ的晶圓片和6英寸的掩模版，適合納米壓印、光子器件、通信設(shè)備等多個領(lǐng)域的研發(fā)及生產(chǎn)。

摘要 JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm節(jié)點的掩模版/中間掩模版（mask/reticle）的可變矩形電子束光刻系統(tǒng)。的技術(shù)實現(xiàn)了高速、高精度和高可靠性。是基于加速電壓50 kV的可變矩形電子束和步進重復(fù)式的光刻系統(tǒng)?

摘要 JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 節(jié)點的掩模版/中間掩模版（mask/reticle）的可變矩形電子束光刻系統(tǒng)。的技術(shù)實現(xiàn)了高速、高精度和高可靠性。是基于加速電壓50 kV的可變矩形電子束和步進重復(fù)式的光刻系統(tǒng)。

摘要 高精密JBX-8100FS圓形電子束光刻系統(tǒng)，通過的設(shè)計優(yōu)化，實現(xiàn)更簡便的操作，更快的刻寫速度，更小的占地面積和安裝空間，并且更加綠色節(jié)能。

摘要PLUTO-WIN是面向科研及企業(yè)研發(fā)客戶使用需求設(shè)計的高性價比ICP等離子體系統(tǒng)。作為一個多功能系統(tǒng)，它通過優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計與靈活的配置方案，獲得高性能ICP刻蝕工藝。該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊占地面積小，專業(yè)的機械設(shè)計與優(yōu)化的自動化操作軟件使該設(shè)備操作簡便、安全，且工藝穩(wěn)定重復(fù)...

摘要PLUTO-WIN是面向科研及企業(yè)研發(fā)客戶使用需求設(shè)計的高性價比CCP等離子體系統(tǒng)。作為一個多功能系統(tǒng)，它通過優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計與靈活的配置方案，獲得高性能CCP刻蝕工藝。該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊占地面積小，專業(yè)的機械設(shè)計與優(yōu)化的自動化操作軟件使該設(shè)備操作簡便、安全，且工藝穩(wěn)定重復(fù)...

摘要 二手刻蝕機OXFORDPLASMALAB800PLUS，反應(yīng)離子刻蝕機（RIE），可對尺寸為5英寸的晶圓進行蝕刻工藝加工處理

摘要 OXFORDIONFAB300PLUS二手刻蝕設(shè)備，多模式離子束刻蝕系統(tǒng)，可對4-8英寸的晶圓進行蝕刻工藝加工處理

摘要 OXFORDNGP1000TR二手刻蝕機現(xiàn)貨，2011年設(shè)備，隨時可以發(fā)貨

摘要 OXFORDPLASMALAB二手刻蝕機現(xiàn)貨供應(yīng)，反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備，隨時發(fā)貨

摘要 OXFORDPLASMALAB133二手刻蝕機，2006年RIE干法蝕刻設(shè)備

摘要 二手刻蝕機OXFORDPLASMALAB80PLUS，RIE蝕刻系統(tǒng)，2003年設(shè)備，可對8英寸晶圓進行蝕刻工藝處理

摘要 OXFORDPLASMALAB90PLUS二手刻蝕機現(xiàn)貨，RIE刻蝕系統(tǒng)，打包封裝完成，隨時可以發(fā)貨

摘要 MATTSONASPENII二手刻蝕機，1995年設(shè)備，雙室ICP刻蝕系統(tǒng)，已打包封裝完成，可隨時發(fā)貨

摘要 MATTSON二手刻蝕機ASPENIII，2006年設(shè)備，lightetcher，可對12英寸晶圓進行蝕刻工藝處理

摘要 MATTSONASPENIIINEXION二手刻蝕機現(xiàn)貨,已經(jīng)拆解并打包封裝完成，隨時可以發(fā)貨，支持技術(shù)修改、調(diào)試和售后維修

摘要 二手刻蝕機MATTSONPARADIGM，PRAsher設(shè)備，雙工作腔室，可對尺寸為12英寸的晶圓進行蝕刻工藝加工處理，已拆卸和打包完成，可隨時發(fā)貨

摘要 MATTSONPARADIGMEE二手刻蝕機，打包封裝完成，隨時可以發(fā)貨

摘要 二手刻蝕機MATTSONPARADIGMESI，2011年設(shè)備，可對尺寸為12英寸的晶圓進行刻蝕工藝加工處理

摘要 二手刻蝕機MATTSONSUPREMAIM，2012年設(shè)備，可對12英寸大小的晶圓進行蝕刻工藝處理

摘要 二手刻蝕機現(xiàn)貨供應(yīng)MATRIX102/105,打包封裝完成，隨時發(fā)貨

摘要 二手刻蝕機現(xiàn)貨MATRIX105，Plasmaasher設(shè)備，可對尺寸大小為6英寸的晶圓進行蝕刻工藝加工處理

摘要 二手刻蝕機MATRIX205，采用干法刻蝕，可對6英寸大小的晶圓進行蝕刻工藝處理

摘要 MATRIX303二手刻蝕機,等離子氧化刻蝕系統(tǒng)，可對尺寸為2~6英寸的晶圓進行蝕刻工藝加工處理

摘要 MATRIXCHEETAH200刻蝕機二手現(xiàn)貨，Plasmaasher設(shè)備，正常運行，打包封裝完成，可隨時發(fā)貨

摘要 MATRIXJAGUAR300MM刻蝕機二手現(xiàn)貨供應(yīng)，2000年設(shè)備，可對尺寸大小為12英寸的晶圓進行蝕刻工藝處理

摘要 MATRIXPLATEMATEPLUS二手刻蝕機，打包封裝完成，隨時可以發(fā)貨

摘要 MATRIXSYSTEM10二手刻蝕機，反應(yīng)離子刻蝕RIE、Plasmaasher雙模式，可對6-8英寸的晶圓進行蝕刻工藝加工處理

摘要 MATRIX二手刻蝕機SYSTEMONE，Plasmaasher設(shè)備，可對6英寸大小的晶圓進行加工處理

摘要 二手刻蝕機MATRIXSYSTEMONE103，可對50mm~150mm尺寸的晶圓進行蝕刻工藝加工

摘要 二手刻蝕機現(xiàn)貨供應(yīng)MATRIXSYSTEMONE106，1995年設(shè)備，可對4-6英寸的晶圓進行蝕刻工藝加工

摘要 二手刻蝕機現(xiàn)貨TOKYOOKA/TOKTCE-3822，2011年設(shè)備，可對尺寸為5英寸的晶圓進行蝕刻工藝處理

摘要 刻蝕機二手現(xiàn)貨供應(yīng)AXCELIS/FUSION200ACU，2004年asher設(shè)備，可對8英寸的晶圓進行工藝處理

摘要 AXCELIS/FUSION200MCU二手刻蝕機，1993年設(shè)備，可對8英寸晶圓進行蝕刻工藝加工處理

摘要 二手刻蝕機現(xiàn)貨供應(yīng)AXCELIS/FUSION300MM，打包封裝完成，可隨時發(fā)貨

摘要 二手刻蝕機現(xiàn)貨AXCELIS/FUSIONES3，2001年P(guān)lasmaasher設(shè)備，可對12英寸大小的晶圓進行蝕刻工藝處理

摘要 AXCELIS/FUSIONG03刻蝕機二手現(xiàn)貨，Ozoneasher設(shè)備，打包封裝完成，可隨時發(fā)貨

摘要 AXCELIS/FUSIONRADIANTSTRIP320ES刻蝕機，Stripper/Asher系統(tǒng)，現(xiàn)貨供應(yīng)，打包完成，可隨時發(fā)貨

摘要 二手現(xiàn)貨刻蝕機PVATEPLA/TECHNICS200SERIES，2005年設(shè)備，可對2~6英寸的晶圓進行蝕刻工藝加工處理