國(guó)產(chǎn)品牌半導(dǎo)體參數(shù)分析儀特點(diǎn)

30μV-1200V，1pA-100A 寬量程測(cè)試能力

測(cè)量精度高，全量程下可達(dá)0.03%

內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試程序，直接調(diào)用測(cè)試簡(jiǎn)便 

自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取、 數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)

在CV和IV測(cè)量之間快速切換而無(wú)需重新布線

供靈活的夾具定制方案，兼容性強(qiáng)

免費(fèi)提供上位機(jī)軟件及SCPI指令集

應(yīng)用場(chǎng)景及測(cè)試參數(shù)

納米材料：電阻率、載流子遷移率、載流子濃度、霍爾電壓

柔性材料：拉伸/扭轉(zhuǎn)/彎折、V-t、I-t、R-t、電阻率、靈敏度

IC芯片：O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O  Pin IV曲線

分立器件：BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、輸出/轉(zhuǎn)移/CV曲線等

光電探測(cè)器：暗電流ID、結(jié)電容Ct、反向擊穿電壓VBR、響應(yīng)度R

鈣鈦礦電池：VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh

LD/LED/OLED：Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲線

傳感器/憶阻器：V-t、I-t、R-t、直流/脈沖/交流IV測(cè)試

特色優(yōu)勢(shì)

模塊化配置：可靈活配置多種測(cè)量單元，預(yù)留升級(jí)空間，方便后期升級(jí)

圖形化界面：內(nèi)置常用器件模板，可直接調(diào)用，并且支持輸出三種模式測(cè)試報(bào)告

自動(dòng)化測(cè)試：內(nèi)嵌低漏電矩陣開關(guān)，可自動(dòng)切換測(cè)試電路，實(shí)現(xiàn)一鍵測(cè)試功能

夾具可定制：支持二極管、三極管、Si及SiC  MOS管、IGBT等器件

多設(shè)備聯(lián)動(dòng)：可與探針臺(tái)、溫控模塊等搭配使用，溫控范圍：室溫~250℃

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