摘要 熱墊式治療溫度測試裝置 操作簡單 產(chǎn)品用途：用來校驗(yàn)熱墊的溫度等性能指標(biāo)。執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：YY/T0165-2016

摘要TONY扭力測試儀 型號(hào):TONY-HP-10庫號(hào)：M410366 查看hh采樣頻率：600Hz扭力測試儀是為測試和檢測各種扭力工具而制造的一種計(jì)量測試儀.主要用于計(jì)量檢測各種電動(dòng)螺絲批.風(fēng)動(dòng)螺絲批.扭力起子和 扭力扳手的扭力,使之符合需要.還可以測量其他工具的扭...

摘要 大面積刻蝕與沉積的量產(chǎn)型解決方案 詢價(jià) 增加到詢價(jià)列表 在詢價(jià)列表中查看此產(chǎn)品

摘要 KG/DYI-A型鈉離子濃度計(jì)是根據(jù)能斯特方程結(jié)合計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)而成。儀器以KG/DYI-A微型單片機(jī)為核心，控制整個(gè)分析進(jìn)程，并進(jìn)行數(shù)據(jù)采集和處理，計(jì)算顯示鈉離子的濃度，儀器具有操作靈活、界面友好、方法多樣等優(yōu)點(diǎn)

摘要 牛津儀器等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 該設(shè)備是一個(gè)靈活和功能*的等離子體刻蝕和淀積工藝設(shè)備。 采用真空進(jìn)樣室進(jìn)樣可進(jìn)行快速的晶片更換、采用多種工藝氣體并擴(kuò)大了允許的溫度范圍。

摘要AL-MLDMHS20型 微波制備大面積金剛石膜散熱片反應(yīng)儀是根據(jù)我公司的控制技術(shù)并按照高校廣大師生需求設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，此AL-MLDMHS20型 微波制備大面積金剛石膜散熱片反應(yīng)儀主要特點(diǎn)是采用915MHz微波頻率，2000W高功率固態(tài)微波源，微波穩(wěn)定輸出?？梢詫?00...

摘要 原子層沉積系統(tǒng)ALD產(chǎn)品

摘要 1、鋁型材機(jī)架+防指紋拉絲不銹鋼面板，觸摸屏人機(jī)操作

摘要 涂層織物耐低溫測定儀? 符合標(biāo)準(zhǔn) 紡織物涂層低溫脆化試驗(yàn)儀是測定涂層織物在低溫下受到一定的沖擊力后，涂層面產(chǎn)生破壞的溫度，或限脆化溫度。

摘要 化學(xué)防護(hù)服裝整體抗水滲漏性能測試儀 指導(dǎo) 本儀器從不同角度用水槍沖刷化學(xué)防護(hù)服裝，測定服裝內(nèi)部滲漏情況。

摘要Classic經(jīng)典鍍膜系統(tǒng)用于研發(fā)、實(shí)驗(yàn)室和樣品處理應(yīng)用的客戶訂制化 PVD 真空鍍膜設(shè)備近 25 余年，普發(fā)真空（Pfeiffer Vacuum） 在鍍膜系統(tǒng)項(xiàng)目化、生產(chǎn)和銷售方面代表著的技術(shù)解決方案。已超過 270 套設(shè)計(jì)、建造、生產(chǎn)和安裝的系統(tǒng)，證明了我們在該領(lǐng)...

摘要 ALD-PECVD系統(tǒng)1

摘要MFLPECVD408-12是一款PECVD系統(tǒng)的管式爐系統(tǒng)。由真空管式爐、射頻電源、供氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)組成。溫度可以達(dá)到1200度，采用30段程序溫控儀表，K型熱電偶，爐膛為高純氧化鋁陶瓷纖維,此設(shè)備可用于生長納米線或用CVD方法制備各種薄膜?！井a(chǎn)品型號(hào)】MFLPE...

摘要原子層沉積（Atomiclayerdeposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。應(yīng)用領(lǐng)域原...

摘要 Picosun R-200 系列原子層沉積系統(tǒng)是一款多功能的原子層沉積平臺(tái)，是用于研發(fā)的理想選擇，適用于 IC 器件、MEMS 器件、顯示器、LED、激光器以及透鏡、光學(xué)部件、珠寶、硬幣、醫(yī)療植入物等 3D 部件的研發(fā)。

摘要 PICOSUN® R-200 標(biāo)準(zhǔn) ALD 系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如 IC 組件、MEMS 設(shè)備、顯示器、LED、激光器和 3D 對象，例如透鏡、光學(xué)器件、珠寶、硬幣和醫(yī)療植入物。

摘要PICOSUN™ P-300 系統(tǒng)擁有的熱壁、獨(dú)立的前驅(qū)體管路和特殊的載氣設(shè)計(jì)，確?？梢陨a(chǎn)出具有優(yōu)異的成品率、低顆粒水平和的電學(xué)和光學(xué)性能的高質(zhì)量 ALD 薄膜。高效緊湊的設(shè)計(jì)使得維護(hù)更加方便、快捷，大限度減少系統(tǒng)的維護(hù)停工期和使用成本。擁有技術(shù)的 Pi...

摘要 金屬有機(jī)物前驅(qū)體和反應(yīng)氣體在真空腔體交替填充、覆蓋且反應(yīng)，形成原子級(jí)精度（厚度和原子排布）的薄膜。

摘要 RFID超高頻智能書架天線分支器UAFZ系列是一款高性能的UHF超高頻智能分支器，可以實(shí)現(xiàn)多達(dá)32個(gè)子分支器和256路天線的任意接入，并且能夠?qū)崟r(shí)提供當(dāng)前天線連接情況，從而完成將UHF讀寫器的一路射頻切換到最多256路天線中任意一個(gè)輸出

摘要RFID超高頻UHF天線分支器UAFZ，是一款高性能的UHF超高頻智能分支器，工作頻率860～960MHz，支持EPCglobalUHFClass1Gen2/ISO18000-6CISO18000-6B協(xié)議，可以實(shí)現(xiàn)多達(dá)32個(gè)子分支器和256路天線的任意接入，并且能夠...

摘要“世界上沒有一個(gè)ALD公司能擁有像Picosun那樣的資質(zhì)?！?Picosun的研究歷史和背景始于原子層沉積領(lǐng)域研究起步時(shí)期。ALD原子層沉積系統(tǒng)是由Dr. Tuomo Suntola 于1974年在芬蘭發(fā)明的，他現(xiàn)在是Picosun董事會(huì)成員之一。Picosun的創(chuàng)...

摘要 金屬有機(jī)物前驅(qū)體和反應(yīng)氣體在真空腔體交替填充、覆蓋且反應(yīng)，形成原子級(jí)精度（厚度和原子排布）的薄膜。

摘要PICOSUN™ P-300 系統(tǒng)擁有的熱壁、獨(dú)立的前驅(qū)體管路和特殊的載氣設(shè)計(jì)，確?？梢陨a(chǎn)出具有優(yōu)異的成品率、低顆粒水平和的電學(xué)和光學(xué)性能的高質(zhì)量 ALD 薄膜。高效緊湊的設(shè)計(jì)使得維護(hù)更加方便、快捷，大限度減少系統(tǒng)的維護(hù)停工期和使用成本。擁有技術(shù)的 Pi...

摘要 PICOSUN® R-200 標(biāo)準(zhǔn) ALD 系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如 IC 組件、MEMS 設(shè)備、顯示器、LED、激光器和 3D 對象，例如透鏡、光學(xué)器件、珠寶、硬幣和醫(yī)療植入物。

摘要 Picosun R-200 系列原子層沉積系統(tǒng)是一款多功能的原子層沉積平臺(tái)，是用于研發(fā)的理想選擇，適用于 IC 器件、MEMS 器件、顯示器、LED、激光器以及透鏡、光學(xué)部件、珠寶、硬幣、醫(yī)療植入物等 3D 部件的研發(fā)。

摘要MFLPECVD408-12是一款PECVD系統(tǒng)的管式爐系統(tǒng)。由真空管式爐、射頻電源、供氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)組成。溫度可以達(dá)到1200度，采用30段程序溫控儀表，K型熱電偶，爐膛為高純氧化鋁陶瓷纖維,此設(shè)備可用于生長納米線或用CVD方法制備各種薄膜。【產(chǎn)品型號(hào)】MFLPE...

摘要 PECVD系統(tǒng)，它由管式爐，石英真空室、真空系統(tǒng)、供氣系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)等組成

摘要 詳細(xì)技術(shù)參數(shù)TL1200-PECVD系統(tǒng)TL1200-1200-1200管式爐型號(hào)TL1200-PECVD-（Dia150）功率7.8KW爐管尺寸高純石英

摘要 詳細(xì)技術(shù)參數(shù)TL1200-1200-1200三溫區(qū)PECVDTL1200-1200-1200管式爐型號(hào)TL1200-1200-1200-PECVD-ITL1200-1200-1200-PECVD-IITL1200-1200-1200-PECVD-III功率5

摘要 1200℃-1400℃-1200℃三溫區(qū)PECVD系統(tǒng)

摘要 詳細(xì)技術(shù)參數(shù)TL1200-1200管式爐型號(hào)TL1200-1200-PECVD-ITL1200-1200-PECVD-IITL1200-1200-PECVD-IIITL1200-1200-PECVD-IV功率3

摘要 詳細(xì)技術(shù)參數(shù)TL1200-PECVD系統(tǒng)TL1200管式爐型號(hào)TL1200-PECVD-ITL1200-PECVD-IITL1200-PECVD-IIITL1200-PECVD-IV功率3

摘要 詳細(xì)技術(shù)參數(shù)TL1200-S管式爐型號(hào)TL1200-S-H-PECVD-ITL1200-S-H-PECVD-II功率1

摘要 主要技術(shù)參數(shù)TL1200滑動(dòng)管式爐型號(hào)TL1200-H-PECVD-ITL1200-H-PECVD-IITL1200-H-PECVD-III功率2

摘要 詳細(xì)技術(shù)參數(shù)TL1200-S管式爐型號(hào)TL1200-S-PECVD-ITL1200-S-PECVD-II功率1

摘要 RTL1200-PECVD系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)RTL1200管式爐型號(hào)RTL1200-PECVD功率3

摘要 1200度滑竿式雙溫區(qū)PECVD系統(tǒng)

摘要 詳細(xì)技術(shù)參數(shù)VTL1200立式管式爐型號(hào)VTL1200-PECVD-IVTL1200-PECVD-IIVTL1200-PECVD-III功率3

摘要 詳細(xì)技術(shù)參數(shù)TL1200-1200管式爐型號(hào)TL1200-1200-PECVD-ITL1200-1200-PECVD-II功率3

摘要 設(shè)備規(guī)格工藝溫度：溫度范圍：RT~500°C（可定制）前驅(qū)體路數(shù)：支持6路前驅(qū)體氣路（可定制)

摘要 設(shè)備規(guī)格工藝溫度：溫度范圍：RT~500°C（可定制）前驅(qū)體路數(shù)：支持6路前驅(qū)體氣路（可定制)

摘要 設(shè)計(jì)PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應(yīng)力、電學(xué)特性和濕法化學(xué)刻蝕速率的前提下，生產(chǎn)均勻性好且沉積速率高的薄膜。 詢價(jià) 增加到詢價(jià)列表 在詢價(jià)列表中查看此產(chǎn)品

摘要PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝性能。直開式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸，是科學(xué)研究、原型設(shè)計(jì)和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實(shí)現(xiàn)高...

摘要The PlasmaPro 800 offers a flexible solution for Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) processes on large wafer batches a...

摘要This ICPCVD process module is designed to produce high quality films at low growth temperatures, enabled through high-density remote p...