摘要氧分析儀Gasboard-3053搭載高穩(wěn)定性的氧化鋯核心傳感器，覆蓋25%富氧至1ppm微量氧的全范圍測量。具有測量精度高、響應時間快、穩(wěn)定性好等特點，可應用于半導體制造、空氣分離、惰性氣體焊接等領域，為關鍵的過程控制應用程序提供可靠的性能。產(chǎn)品采用緊湊型模塊化設計...

摘要ZG-30質構儀（物性分析儀）作為一種感官物性分析類儀器，可用于檢測食品、生物、制藥和化工等領域樣品的物性指標，包括硬度、彈性、酥脆性、咀嚼度、堅實度、韌性、延展性、回復性、凝膠強度等質構儀（物性分析儀）。CHZG-30質構儀為機電一體化產(chǎn)品，采用現(xiàn)代的機械設計理念和...

摘要 天津某區(qū)工況用電監(jiān)測儀項目實施案例：現(xiàn)場前端監(jiān)測設備主要為工況用電在線監(jiān)測儀及電流互感器組成，其工況用電在線監(jiān)測儀由能效監(jiān)測終端、本機顯示模塊、電源模塊、數(shù)據(jù)傳輸模塊組成。

摘要東莞剩余漏電流動作保護器綜合試驗臺主要由試驗電源柜、漏電流發(fā)生器、總壽命試驗自動測試系統(tǒng)組成。設備箱體采用優(yōu)質鋁合金鋼材組裝，板金噴涂封板，表面防靜電防銹防腐蝕噴涂，設備上部裝有不銹鋼蝕刻面板，電源開關，1種可調夾具，設備設計合理，使用方便，操作簡單,性能可靠,外型美...

摘要上海航歐專業(yè)銷售MARPOSS傳感器MARPOSS油缸MARPOSS電感觸頭MARPOSS傳感器MARPOSS平衡頭MARPOSS調節(jié)器MARPOSS氣缸MARPOSS測量頭MARPOSS電源模塊MARPOSS控制器MARPOSS探針MARPOSS平衡頭MARPOSS...

摘要DEWETRON功率分析儀，多功能一體機DEWETRON功率分析儀是一家專注于數(shù)據(jù)采集（DAQ）與測試測量的公司，其核心優(yōu)勢在于提供高度模塊化、軟硬件深度結合的解決方案。無論是需要便攜式現(xiàn)場測試，還是復雜的實驗室臺架集成，其產(chǎn)品都能將高精度功率分析、瞬態(tài)記錄、振動噪聲...

摘要 B1505A 功率器件分析儀/曲線追蹤儀是用于評測 pA 以下到 10 kV/1500 A 功率器件的一體化解決方案。 具有準確測量 10 µs 脈沖和 µΩ 導通電阻的能力。

摘要 中圖儀器WD4000晶圓厚度粗糙度三維形貌測量系統(tǒng)通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，*的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。

摘要 GHKGCJ礦用防爆真空開關插件試驗臺概述該設備主要是測量煤礦機修廠維修開關的*助手，它能提供各種開關的工作電源和大電流，及開關的動作時間，三相同步測量，漏電電阻試驗，真空管耐壓測試等。

摘要 LET-SP802 半導體圖示儀是一款測量與分析功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的專用儀器，為所有類型的功率半導體器件提供靜態(tài)參數(shù)測量解決方案。SP802 半導體測試系統(tǒng)能在 200V 和 10A 的條件下實現(xiàn)精確測量、分析功率半導體器件的靜態(tài)參數(shù)。

摘要晶閘管伏安特性測試儀庫號：M412389晶閘管伏安特性測試儀 型號:ZX/DBC-028庫號：M412389 查看hhmidwest-group 該測試儀是符合GUO標GB4023-83《半導體器件整流二極管的測試方法》和GB-4024-83《半導體反向...

摘要 進口5TE土壤溫度水分電導率傳感器可以測定土壤水分含量、電導率和溫度，震蕩頻率為70MHz。通過測定土壤的介電常數(shù)來確定含水量。三叉狀探針基部的熱敏電阻測定土溫，電導率通過其中兩根探針表面中部的螺絲測量。產(chǎn)品可同時測量3個土壤參數(shù)，可連接進入“農(nóng)氣通”監(jiān)測系統(tǒng)。

摘要 EHC MRG-100液晶配向摩擦機工作原理為：液晶配向“摩擦”工藝是指將涂有聚酰亞胺等配向膜的玻璃基板或薄膜基板按一個方向摩擦的處理。液晶分子接觸到進行了摩擦處理的配向膜后，可以簡單地按照其方向排列，使透光能ON/OFF。

摘要 半導電橡塑材料體積電阻率試驗儀-主要用于測量電纜用橡膠和塑料半導電材料中間試樣電阻率以及各種導電橡塑產(chǎn)品電阻，也可使用四端子測試夾，對金屬導體材料及產(chǎn)品的低、中值電阻進行測量。

摘要 AE1/RD1輻射率儀是一款專為測量樣品半球輻射率而設計的特殊儀器。測量樣品的面積小不能低于直徑5.7cm的圓，而且樣品表面必須平整。

摘要el缺陷檢測儀是一款專門用于檢測電致發(fā)光材料或器件內(nèi)部缺陷的高精度專業(yè)設備。它能夠通過特定的激發(fā)方式，使EL材料或器件發(fā)出光信號，再借助高靈敏度的光學檢測系統(tǒng)捕捉這些光信號，精準分析并識別出其中存在的微小缺陷，如裂紋、暗區(qū)、短路點等，為相關產(chǎn)品的質量控制和性能評估提供...

摘要 智能型除濕裝置

摘要 半導電橡塑材料體積電阻率試驗儀-主要用于測量電纜用橡膠和塑料半導電材料中間試樣電阻率以及各種導電橡塑產(chǎn)品電阻，也可使用四端子測試夾，對金屬導體材料及產(chǎn)品的低、中值電阻進行測量。

摘要ZJ-3型壓電測試儀（靜壓電系數(shù)d33測量儀）是為測量壓電材料的d33常數(shù)而設計的專用儀器，它可用來測量具有大壓電常數(shù)的壓電陶瓷，小壓電常數(shù)的壓電單晶及壓電高分子材料。此外，也可測量任意取向壓電單晶以及某些壓電器件的等效壓電d’33常數(shù)，儀器測量范圍寬，分辨率細，可靠...

摘要 MG50 B型半導體激光打標機采用了目前上的半導體泵浦技術、體積小、電光轉換效率。具有光路可見光打標預覽和打標位置指示功能。該機配備了外置水冷系統(tǒng)，溫度自動調節(jié)，可長時間不間斷連接使用，基本免維護。是一種性能優(yōu)-秀、運行穩(wěn)定、操作簡便、環(huán)保節(jié)能的新型激光打標設備。

摘要IDCB數(shù)據(jù)采集網(wǎng)絡系列產(chǎn)品是本公司基于多年工業(yè)儀表經(jīng)驗和的積累，充分考慮工業(yè)現(xiàn)場數(shù)據(jù)采集的需要，采用新微電子及全新表面貼裝工藝自主研發(fā)及的高性能遠程I/O 產(chǎn)品，可完成分散在工業(yè)現(xiàn)場的各類信號的連續(xù)高精度測量。該系列前端具有測量精度高、抗干擾能力強、接口開放性好、能...

摘要FIN1740.100.M濾波器FINMOTOR希而科供應上海希而科工業(yè)控制設備有限公司，專業(yè)進口歐盟產(chǎn)品，沒有其他中間環(huán)節(jié)，只要產(chǎn)品線還在，國家允許進口，我們幾乎都可以為客戶買到需要的產(chǎn)品。濾波器是由電容、電感和電阻組成的濾波電路。濾波器可以對電源線中特定頻率的頻點...

摘要赫爾納-供應AKW變徑公司簡介：AKW變徑是一家中等規(guī)模的私營企業(yè)，致力于提供工藝過程及設備，工廠設計、建造及服務。自從AKW變徑創(chuàng)建于1963年以來，新的產(chǎn)品理念和科技使其成長為一個業(yè)務網(wǎng)絡眾多的企業(yè)。AKW變徑總部位于德國的荷紹市，在基爾、莫斯科、上海、圣保羅等均...

摘要主控接口是井下人員管理系統(tǒng)的配套設備Z大監(jiān)控容量：可接入32個基站傳輸方式：a）與主機通信：主從、半雙工、RS232 b）與基站通信：主從、半雙工、RS485Z大傳輸距離：a）485接口與基站Z大傳輸距離10km ...

摘要產(chǎn) 品 說 明產(chǎn)品名稱：DX200電線電纜電阻率檢測儀器產(chǎn)品說明：DX200技術指標：一 測量范圍： 電阻 10-5----105Ω，分辨率 10-7 （配套夾具）線材直徑： 1mm—18mm二 測量誤差： 10-4-...

摘要華科智源分立器件測試儀系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽...

摘要華科智源分立器件測試儀/設備/系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通...

摘要IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀/設備可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動...

摘要IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽...

摘要SiC器件靜態(tài)參數(shù)測試儀設備可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動...

摘要IGBT測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車 ，風力發(fā)...

摘要半導體靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車 ...

摘要晶體管測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車 ，風力發(fā)電...

摘要半導體器件參數(shù)分析儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車 ，...

摘要半導體IV特性曲線測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車...

摘要華科智源IGBT測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車 ...

摘要SiC/IGBT功率半導體器件測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交...

摘要華科智源功率器件參數(shù)分析儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽...

摘要華科智源MOS管功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道...

摘要華科智源半導體靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)設備可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交...

摘要華科智源大功率分立器件測試設備可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電...

摘要華科智源大功率分立器件測試設備可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電...

摘要華科智源半導體分立器件來料檢測儀器可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通...

摘要華科智源半導體分立器件測試分析儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，...

摘要華科智源半導體分立器件測試設備可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電...