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公司介紹主營產(chǎn)品

西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室(簡稱長禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市*經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件測(cè)試服務(wù)，是國家CNAS 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室，屬于國家大功率器件測(cè)試服務(wù)中心。

長禾實(shí)驗(yàn)室擁有系統(tǒng)設(shè)備、專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和*的服務(wù)體系。實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的測(cè)試儀器設(shè)備100余臺(tái)套，專業(yè)測(cè)試人員20余名。我們緊跟國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，以客戶需求為導(dǎo)向，不斷創(chuàng)新服務(wù)項(xiàng)目和檢測(cè)技術(shù)，借助便利的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為合作伙伴提供優(yōu)質(zhì)高效的技術(shù)服務(wù)。

長禾實(shí)驗(yàn)室專注于功率半導(dǎo)體器件的動(dòng)、靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)、可靠性檢測(cè)、失效分析、溫循試驗(yàn)、熱阻測(cè)試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）應(yīng)用解決方案服務(wù)商。

長禾實(shí)驗(yàn)室秉承創(chuàng)新務(wù)實(shí)的經(jīng)營理念，為客戶提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)、*的解決方案技術(shù)支持；同時(shí)注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流，測(cè)試技術(shù)與服務(wù)水平不斷提升。

誠信立世，感恩回饋，歡迎選擇長禾實(shí)驗(yàn)室做您忠誠的合作伙伴，共謀發(fā)展大計(jì)！

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產(chǎn)品簡介在線詢價(jià)

產(chǎn)地	國產(chǎn)	加工定制	否

西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室(簡稱長禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，是一家從事功率半導(dǎo)體器件測(cè)試服務(wù)的企業(yè)，是CNAS 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室，屬于大功率器件測(cè)試服務(wù)中心MOSFET模塊雪崩能量測(cè)試服務(wù)實(shí)驗(yàn)室

MOSFET模塊雪崩能量測(cè)試服務(wù)實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品詳情

靜態(tài)參數(shù)測(cè)試

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012、GJB128B-2021

試驗(yàn)對(duì)象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件;

檢測(cè)能力:2000V/200A.7000V/5000A。

開關(guān)特性測(cè)試

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;

試驗(yàn)對(duì)象:Si&SiC·二極管、MOSFET、IGBT等分立器件;

試驗(yàn)?zāi)芰?1500V/300A、4500V/5000A;

試驗(yàn)參數(shù):開通/關(guān)斷時(shí)間ton/toff、上升/下降時(shí)間tr/tf、開通/關(guān)斷延遲時(shí)間td(on)/td(off)、開通/關(guān)斷損耗Eon/Eoff、電流尖峰Ic-peak max、電壓尖峰Vce-peak max、電壓變化率

dv/dt、電流變化率di/dt。

反向恢復(fù)特性測(cè)試

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;

試驗(yàn)對(duì)象:Si&SiC·二極管、MOSFET、IGBT等分立器件;

試驗(yàn)?zāi)芰?1500V/300A、4500V/5000A;

試驗(yàn)參數(shù):反向恢復(fù)電荷Qrr、反向恢復(fù)電流Irm、反向恢復(fù)時(shí)間 Trr、反向恢復(fù)電流變化率diF/dt、反向恢復(fù)損耗Erec。

柵極電荷測(cè)試

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;

試驗(yàn)對(duì)象:Si&SiC·二極管、MOSFET、IGBT等分立器件;

試驗(yàn)?zāi)芰?1500V/300A、4500V/5000A;

試驗(yàn)參數(shù):柵極電荷Qg、漏極電荷Qgs、源極電荷Qgd。

結(jié)電容Cg測(cè)試

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;

試驗(yàn)對(duì)象:Si&SiC·二極管、MOSFET、IGBT等分立器件;

試驗(yàn)?zāi)芰?頻率0.1MHz~1MHz、電壓1500V、電容范圍:10pF- 100nF;

試驗(yàn)參數(shù):輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Cres、柵極等效電阻Rg。

雪崩耐量測(cè)試

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750,IEC60747,客戶自定義;

試驗(yàn)對(duì)象:MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件;

試驗(yàn)?zāi)芰?檢測(cè)電壓:4500V,檢測(cè)電流:200A

試驗(yàn)參數(shù):雪崩能量EAS/EAR。

浪涌電流測(cè)試

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750,IEC60747,客戶自定義;

試驗(yàn)對(duì)象:DIODE(Si/SiC)、整流橋、SCR、IGBT;

試驗(yàn)?zāi)芰?檢測(cè)電流:8000A,10/8.3ms正弦半波,10us-1ms方波;

試驗(yàn)參數(shù):浪涌電流IFSM/ITSM、i2t。

熱阻測(cè)試Riath

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6;

試驗(yàn)對(duì)象:各類二極管;

試驗(yàn)?zāi)芰?瞬態(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻。

短路測(cè)試

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T 29332-

2012;

試驗(yàn)對(duì)象:二極管、MOSFET、IGBT等功率模塊;

試驗(yàn)?zāi)芰?4500V/5000A、短路電流15000A;

試驗(yàn)參數(shù):短路電流Isc、短路時(shí)間Tsc、短路能量ESC。

介電性測(cè)試

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB4793.1-2007;

試驗(yàn)對(duì)象:Si、SiC·MOSFET;

試驗(yàn)?zāi)芰?檢測(cè)電壓:100V。

高溫存儲(chǔ)HTSL試驗(yàn)

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750,GB/T 2423.2-2008、GJB548、;

試驗(yàn)對(duì)象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、

IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品;

試驗(yàn)?zāi)芰?溫度220℃;

低溫存儲(chǔ)LTSL試驗(yàn)

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ

ED-4701100、AEC-Q101、;

試驗(yàn)對(duì)象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、

IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品;

試驗(yàn)?zāi)芰?溫度-70C。

溫度循環(huán)Tc試驗(yàn)

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ

ED-4701100、AEC-Q101、;

試驗(yàn)對(duì)象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、

IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品;

試驗(yàn)?zāi)芰?溫度范圍:-40C~175C。

高溫反偏HTRB試驗(yàn)

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-

4701100、AEC-Q101;

試驗(yàn)對(duì)象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件

及IGBT模塊;

試驗(yàn)?zāi)芰?溫度150℃;電壓5000V。

高溫柵偏HTGB試驗(yàn)

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED- 4701100、AEC-Q101;

試驗(yàn)對(duì)象:MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;試驗(yàn)?zāi)芰?溫度150°℃;電壓100V。

高溫高濕反偏H3TRB試驗(yàn)

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED- 4701100、AEC-Q101;

試驗(yàn)對(duì)象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;

試驗(yàn)?zāi)芰?溫度85°℃,濕度范圍:25%-95%，電壓4500V。

功率老煉實(shí)驗(yàn)

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128,MIL-STD-750,JESD22-A108,EIAJ ED-4701100,AEC-Q101;

試驗(yàn)對(duì)象：IGBT,TVS，壓敏電阻VDR;

試驗(yàn)?zāi)芰Γ焊唠娖?20V，低電平5V.

功率循環(huán)Pc試驗(yàn)試

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128,MIL-STD-750;

試驗(yàn)對(duì)象：IGBT模塊；

檢測(cè)能力：ATj=100C，電壓30V，電流1800A.

間歇壽命oL試驗(yàn)

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128,MIL-STD-750,;

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE,BJT,MOSFET,IGBT及SiC器件等分立器件；

檢測(cè)能力：ATj≥100℃電壓60V，電流50A.

溫度沖擊試驗(yàn)

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB548,GJB 150-86,GB 2423,MIL-STD-810H,IEC60068-2-14;

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟确秶?70C~220C.

高溫蒸煮PCT試驗(yàn)

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 4937.4-2012,JESD22-A110D-2010IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008;

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟确秶?05C到142.9C之間，溫度范圍：75%到100RH，壓力范圍：0.02MPa到0.186MPa.

鹽霧試驗(yàn)

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GB/T2423.17-2008,GB/T2423.18-2000,Gb5938-86;