長禾實驗室擁有的系統(tǒng)設備的技術團隊和*的服務體系。實驗室現(xiàn)有的測試儀器設備100余臺套測試人員20余名。我們緊跟國際國內(nèi)標準，以客戶需求為導向，不斷創(chuàng)新服務項目和檢測技術，借助便利的服務網(wǎng)絡，為合作伙伴提供的技術服務。

長禾實驗室專注于功率半導體器件的動、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領域的技術服務。業(yè)務范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風力發(fā)電、科研單位院所、工業(yè)控制船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導體（寬禁帶半導體）應用解決方案服務商。

長禾實驗室秉承創(chuàng)新務實的經(jīng)營理念，為客戶提供的服務、*的解決方案及的技術支持；同時注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流，測試技術與服務水平不斷提升。

靜態(tài)參數(shù)測試

執(zhí)行標準:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012、GJB128B-2021

試驗對象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件;

檢測能力:2000V/200A.7000V/5000A。

開關特性測試

執(zhí)行標準:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;

試驗對象:Si&SiC·二極管、MOSFET、IGBT等分立器件;

試驗能力:1500V/300A、4500V/5000A;

試驗參數(shù):開通/關斷時間ton/toff、上升/下降時間tr/tf、開通/關斷延 遲時間td(on)/td(off)、開通/關斷損耗Eon/Eoff、電流尖 峰Ic-peak max、電壓尖峰Vce-peak max、電壓變化率

dv/dt、電流變化率di/dt。

反向恢復特性測試

執(zhí)行標準:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;

試驗對象:Si&SiC·二極管、MOSFET、IGBT等分立器件;

試驗能力:1500V/300A、4500V/5000A;

試驗參數(shù):反向恢復電荷Qrr、反向恢復電流Irm、反向恢復時間 Trr、反向恢復電流變化率diF/dt、反向恢復損耗Erec。

柵極電荷測試

執(zhí)行標準:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;

試驗對象:Si&SiC·二極管、MOSFET、IGBT等分立器件;

試驗能力:1500V/300A、4500V/5000A;

試驗參數(shù):柵極電荷Qg、漏極電荷Qgs、源極電荷Qgd。

結(jié)電容Cg測試

執(zhí)行標準:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T29332- 2012;

試驗對象:Si&SiC·二極管、MOSFET、IGBT等分立器件;

試驗能力:頻率0.1MHz~1MHz、電壓1500V、電容范圍:10pF- 100nF;

試驗參數(shù):輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Cres、柵極等 效電阻Rg。

雪崩耐量測試

執(zhí)行標準:MIL-STD-750,IEC60747,客戶自定義;

試驗對象:MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半導體器件等單管器件;

試驗能力:檢測電壓:4500V,檢測電流:200A

試驗參數(shù):雪崩能量EAS/EAR。

浪涌電流測試

執(zhí)行標準:MIL-STD-750,IEC60747,客戶自定義;

試驗對象:DIODE(Si/SiC)、整流橋、SCR、IGBT;

試驗能力:檢測電流:8000A,10/8.3ms正弦半波,10us-1ms方波;

試驗參數(shù):浪涌電流IFSM/ITSM、i2t。

熱阻測試Riath

執(zhí)行標準:JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6;

試驗對象:各類二極管;

試驗能力:瞬態(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻。

短路測試

執(zhí)行標準:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T 29332-

2012;

試驗對象:二極管、MOSFET、IGBT等功率模塊;

試驗能力:4500V/5000A、短路電流15000A;    

試驗參數(shù):短路電流Isc、短路時間Tsc、短路能量ESC。

介電性測試

執(zhí)行標準:GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB4793.1-2007;

試驗對象:Si、SiC·MOSFET;

試驗能力:檢測電壓:100V。

高溫存儲HTSL試驗

執(zhí)行標準:MIL-STD-750,GB/T 2423.2-2008、GJB548、;

試驗對象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、

IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品;

試驗能力:溫度220℃;

低溫存儲LTSL試驗

執(zhí)行標準:GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ

ED-4701100、AEC-Q101、;

試驗對象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、

IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品;

試驗能力:溫度-70C。

溫度循環(huán)Tc試驗

執(zhí)行標準:GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ

ED-4701100、AEC-Q101、;

試驗對象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、

IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品;

試驗能力:溫度范圍:-40C~175C。

高溫反偏HTRB試驗

執(zhí)行標準:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-

4701100、AEC-Q101;

試驗對象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件

及IGBT模塊;

試驗能力:溫度150℃;電壓5000V。

高溫柵偏HTGB試驗

執(zhí)行標準:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED- 4701100、AEC-Q101;

試驗對象:MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;試驗能力:溫度150°℃;電壓100V。

高溫高濕反偏H3TRB試驗

執(zhí)行標準:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED- 4701100、AEC-Q101;

試驗對象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;

試驗能力:溫度85°℃,濕度范圍:25%-95%，電壓4500V。

功率老煉實驗

執(zhí)行標準：GJB128,MIL-STD-750,JESD22-A108,EIAJ ED-4701100,AEC-Q101;

試驗對象：IGBT,TVS，壓敏電阻VDR;

試驗能力：高電平520V，低電平5V.

功率循環(huán)Pc試驗試

執(zhí)行標準：GJB128,MIL-STD-750;

試驗對象：IGBT模塊；

檢測能力：ATj=100C，電壓30V，電流1800A.

間歇壽命oL試驗

執(zhí)行標準：GJB128,MIL-STD-750,;

試驗對象：DIODE,BJT,MOSFET,IGBT及SiC器件等分立器件；

檢測能力：ATj≥100℃電壓60V，電流50A.

溫度沖擊試驗

執(zhí)行標準：GJB548,GJB 150-86,GB 2423,MIL-STD-810H,IEC60068-2-14;

試驗對象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；

試驗能力：溫度范圍：-70C~220C.

高溫蒸煮PCT試驗

執(zhí)行標準：GB/T 4937.4-2012,JESD22-A110D-2010IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008;

試驗對象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器

試驗能力：溫度范圍：105C到142.9C之間，溫度范圍：75%到99%RH，壓力范圍：0.02MPa到0.186MPa.

鹽霧試驗

執(zhí)行標準:GB/T2423.17-2008,GB/T2423.18-2000,Gb5938-86;

試驗對象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品。

可焊性試驗

執(zhí)行標準：MIL-STD-202G,MIL-STD-883G,GB2423,IEC60068;

試驗對象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品。

機械沖擊試驗

執(zhí)行標準：IEC 60068-2-27,GB/T 2423.5,MIL-STD-810G,GB/T21563-2018;

試驗對象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品。

振動試驗

執(zhí)行標準：GJB 150.25-86,GB-T 4857.23-2003,GBT4857.10-2005;

試驗對象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品。

引出端彎曲試驗

執(zhí)行標準：GJB 150.25-86,GB-T 4857.23-2003,GBT4857.10-2005;

試驗對象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品。

引出端拉力試驗

執(zhí)行標準：MIL-STD-883,JEDEC JESD22-B104,JEDEC JESD22-B109,IPC-9701;

試驗對象：DIODE,BJT,SCR,MOSFET,IGBT,SiC器件等分立器件，IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品。