詳細摘要： KDB-1涂層/薄膜方塊電阻測試儀本方阻測試新產(chǎn)品為薄膜測試提供機械、電氣兩方面的保護，在寬廣的量程范圍內(nèi)，使各種電子薄膜能得到準(zhǔn)確、無損的方塊電阻測量結(jié)果。
產(chǎn)品型號：所在地：北京市更新時間：2025-09-08 在線留言北京金時速儀器設(shè)備經(jīng)營部
北京金時速儀器設(shè)備經(jīng)營部
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詳細摘要： KDB-1涂層/薄膜方塊電阻測試儀本方阻測試新產(chǎn)品為薄膜測試提供機械、電氣兩方面的保護，在寬廣的量程范圍內(nèi)，使各種電子薄膜能得到準(zhǔn)確、無損的方塊電阻測量結(jié)果。
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詳細摘要： KDB-2B金屬薄膜方塊電阻測試儀配有雙數(shù)字表：一塊數(shù)字表在測量顯示硅片電阻率的同時，另一塊數(shù)字表（以萬分之幾的精度）適時監(jiān)測全過程中的電流變化，使操作更簡便，...
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詳細摘要： KDB-3雙組合四探針方阻/電阻率測試儀是根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)SEMI MF1529設(shè)計，雙組合測試方法使用四探針的方式不同于其他ASTM測量半導(dǎo)體電阻率或薄層電阻的方法。
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詳細摘要： STY-2R全類型整流法導(dǎo)電型號測試儀是嚴格按照標(biāo)準(zhǔn)SEMI MF42-1105及國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1550中的全類型整流法設(shè)計生產(chǎn)。
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詳細摘要： LT-1高頻光電導(dǎo)少子壽命測試儀 儀器采用GB/T1553-1997中硅單晶少數(shù)載流子壽命測定高頻光電導(dǎo)衰減法；測試硅單晶電阻率范圍：ρ﹥2Ω·㎝，測電子級參雜...
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詳細摘要： LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀該設(shè)備是按照國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導(dǎo)衰減法"設(shè)計制造。
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詳細摘要： WJ-100A型微波光電導(dǎo)載流子復(fù)合壽命測試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)MF1535-0707及國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 26068-2010設(shè)計制造。
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詳細摘要： LT-1B高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)MF1535-0707及國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 26068-2010設(shè)計制造。
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詳細摘要： WJ-100C型微波光電導(dǎo)載流子復(fù)合壽命測試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)MF1535-0707及國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 26068-2010設(shè)計制造。
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詳細摘要： WJ-100C型微波光電導(dǎo)載流子復(fù)合壽命測試儀-配工控機是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)MF1535-0707及國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 26068-2010設(shè)計...
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詳細摘要： KDY-2成套兩探針電阻率測試儀（測檢磷檢硼棒）KDY-2型兩探針電阻率測試儀（以下簡稱兩探針儀）是按照我國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1551-1995及美國材料與試驗協(xié)...
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詳細摘要： 成套兩探針測試儀（測細硅芯）KDY-2KDY-2型兩探針電阻率測試儀（以下簡稱兩探針儀）是按照我國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1551-1995及美國材料與試驗協(xié)會（AST...
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詳細摘要： 成套兩探針測試儀（測鍺錠）KDY-2KDY-2型兩探針電阻率測試儀是按照我國國家標(biāo)準(zhǔn)及美國材料與試驗協(xié)會（ASTM）*的材料驗收檢測方法“兩探針法"設(shè)計。
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詳細摘要： KDY-2型兩探針電阻率測試儀是按照我國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1551-1995及美國材料與試驗協(xié)會（ASTM）*的材料驗收檢測方法“兩探針法"設(shè)計
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詳細摘要： KDY-4四探針電阻率測試儀是嚴格按照硅片電阻率測量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）及國家標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計制造，并針對目前常用的四探針電阻率測試儀存在的問題加以改進。
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詳細摘要： KDY-1A便攜式電阻率測試儀（成套）符合半導(dǎo)體材料電阻率的及國家標(biāo)準(zhǔn)測試方法。
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詳細摘要： HP系列四探針探頭是一種專門測量半導(dǎo)體薄層電阻（面電阻）的方塊電阻測試儀配用的四探針測試探頭，可用于測量一般半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電薄膜（ITO透明氧化膜），金屬薄膜…...
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詳細摘要： ST-21L型方塊電阻測試儀是一種依照類似的國家標(biāo)準(zhǔn)和美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)，專門測量半導(dǎo)體薄層電阻（表面電阻）的新型儀器，可用于測量一般半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電薄膜（...
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詳細摘要： SDY-5型雙電測四探針測試儀采用了四探針雙位組合測量技術(shù),利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，能自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機械游...
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詳細摘要： SDY-4型四探針測試儀是根據(jù)單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計的半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）測試儀器.
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