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武漢普賽斯儀表有限公司
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  • 半導(dǎo)體功率循環(huán)測(cè)試數(shù)據(jù)采集卡

    普賽斯儀表A400半導(dǎo)體功率循環(huán)測(cè)試數(shù)據(jù)采集卡,是一款普賽斯自主設(shè)計(jì)開發(fā)的插卡式,支持可變速率采樣和大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的高精度數(shù)據(jù)采集卡。采集卡使用高性能ADC芯片...

    型號(hào): A400 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:59:37 對(duì)比
    數(shù)據(jù)采集卡采集卡半導(dǎo)體可靠性測(cè)試功率循環(huán)測(cè)試
  • 憶阻器IV測(cè)試脈沖恒壓源

    憶阻器IV測(cè)試脈沖恒壓源是武漢普賽斯儀表推出的窄脈寬、高精度、寬量程插卡式脈沖恒壓源。設(shè)備支持窄脈沖電壓輸出,并同步完成輸出電壓及電流測(cè)量;支持多設(shè)備觸發(fā)實(shí)現(xiàn)器...

    型號(hào): CP501 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:58:00 對(duì)比
    脈沖恒壓源憶阻器IV測(cè)試憶阻器測(cè)試高速器件IV測(cè)試脈沖電源
  • IGBT測(cè)試設(shè)備+igbt測(cè)試儀

    普賽斯IGBT測(cè)試設(shè)備+igbt測(cè)試儀,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)...

    型號(hào): E300 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:56:28 對(duì)比
    IGBT測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試設(shè)備
  • 精密電流源and恒流源

    武漢普賽斯是國內(nèi)生產(chǎn)源表的廠家,產(chǎn)品系列豐富:產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍,產(chǎn)已經(jīng)過了市場(chǎng)的考驗(yàn)、市面有近500臺(tái)源表在使用;精密電流源and恒流源認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀...

    型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:54:14 對(duì)比
    電流源精密電流源數(shù)字源表恒流源精密恒流源
  • S型源表測(cè)試光電二極管電性能參數(shù)

    光電二極管是一種將光轉(zhuǎn)換為電流的半導(dǎo)體器件,在p(正)和n (負(fù))層之間,存在一個(gè)本征層。光電二極管接受光能作為輸入以產(chǎn)生電流。光電二極管也被稱為光電探測(cè)器、光...

    型號(hào): S200B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:52:15 對(duì)比
    源表S型源表光電二極管測(cè)試二極管電性能電性能參數(shù)
  • 大功率激光器IV測(cè)試脈沖恒壓源

    大功率激光器IV測(cè)試脈沖恒壓源脈沖電流大,Z高可至10A;脈沖寬度窄,Z小可低至100ns;支持直流、脈沖兩種電壓輸出模式;支持線性,對(duì)數(shù),以及自定義多種掃描工...

    型號(hào): CP502 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:50:37 對(duì)比
    脈沖恒壓源激光器IV測(cè)試大功率激光器測(cè)試高速器件IV測(cè)試
  • 半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備

    通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,過程既復(fù)雜又耗時(shí),還占用過多測(cè)試臺(tái)的空間。實(shí)施特性參數(shù)分析的工具之一是數(shù)字源表(SMU)。普賽斯歷時(shí)多年打造了高...

    型號(hào): S型 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:46:58 對(duì)比
    半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備參數(shù)測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體測(cè)試儀半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀
  • 30A脈沖電源+脈寬1us脈沖源

    普賽斯儀表PL系列30A脈沖電源+脈寬1us脈沖源超窄至1us的脈寬,大到30A的脈沖電流,兼容CW和QCW模式,豐富的軟件接口,可廣泛用于LD脈沖電流、脈沖電...

    型號(hào): PL201/202 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:44:45 對(duì)比
    脈沖電流源脈沖電源脈沖源30A電流源1us電流源
  • 半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀

    通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,過程既復(fù)雜又耗時(shí),還占用過多測(cè)試臺(tái)的空間。實(shí)施特性參數(shù)分析的工具之一是半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀之?dāng)?shù)字源表(SMU)。普賽...

    型號(hào): S型 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:42:18 對(duì)比
    半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)分析儀半導(dǎo)體參數(shù)分析半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備
  • 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)

    半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件(DUT)施加電壓或電流,然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng);通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,過程既復(fù)雜又耗時(shí),還...

    型號(hào): S200B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:40:13 對(duì)比
    分立器件測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備分立器件測(cè)試分立器件測(cè)試儀
  • 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀支持高電壓+大電流

    普賽斯半導(dǎo)體參數(shù)分析儀支持高電壓+大電流集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下納安級(jí)測(cè)...

    型號(hào): S型 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:38:20 對(duì)比
    半導(dǎo)體參數(shù)分析參數(shù)分析儀半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試高電壓參數(shù)分析大電流參數(shù)分析
  • 直流3A國產(chǎn)電流源

    普賽斯S系列、P系列源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,Y秀的性價(jià)比,良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持,普賽斯儀表是手家國產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠家,產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代*,對(duì)標(biāo)2400、...

    型號(hào): S300B型 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:36:08 對(duì)比
    國產(chǎn)電流源國產(chǎn)源表直流源表直流電流源國產(chǎn)數(shù)字源表
  • 1000A電流傳感器測(cè)試電源

    1000A電流傳感器測(cè)試電源可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合,使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-...

    型號(hào): HCPL100 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:33:49 對(duì)比
    1000A電流源1000A大電流源電流傳感器測(cè)試電源傳感器測(cè)試電源
  • 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備

    半導(dǎo)體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)等產(chǎn)品,半導(dǎo)體分立器...

    型號(hào): S100 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:31:38 對(duì)比
    分立器件測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體器件測(cè)試半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備分立器件測(cè)試分立器件測(cè)試儀
  • 高電流大電壓寬禁帶材料測(cè)試設(shè)備

    普賽斯高電流大電壓寬禁帶材料測(cè)試設(shè)備,主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件,以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī),...

    型號(hào): PMST-6000... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥10000更新時(shí)間:2024/1/2 8:30:07 對(duì)比
    寬禁帶材料測(cè)試材料測(cè)試設(shè)備高電流測(cè)試大電壓測(cè)試材料測(cè)試平臺(tái)
  • SiC靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備6000A

    普賽斯SiC靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備6000A,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)...

    型號(hào): PMST-6000... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥10000更新時(shí)間:2024/1/2 8:25:43 對(duì)比
    靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試設(shè)備SiC靜態(tài)測(cè)試SiC靜態(tài)參數(shù)第三代半導(dǎo)體測(cè)試
  • 直流3A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

    直流3A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀就找普賽斯儀表,S系列源表是普賽斯歷時(shí)多年打造的高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、數(shù)字觸摸的帥先國產(chǎn)化的源表,集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z...

    型號(hào): S型 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:24:11 對(duì)比
    半導(dǎo)體參數(shù)分析參數(shù)分析儀半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試直流參數(shù)分析直流分析儀
  • 半導(dǎo)體特性曲線分析儀

    半導(dǎo)體特性曲線分析儀找武漢普賽斯儀表,普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高...

    型號(hào): S200B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:22:09 對(duì)比
    半導(dǎo)體特性曲線特性曲線分析儀半導(dǎo)體器件測(cè)試儀半導(dǎo)體分析儀特性曲線分析儀
  • 國產(chǎn)源表IV測(cè)試雪崩光電二極管電性能參數(shù)

    雪崩光電二極管(APD)是一種具有內(nèi)部增益的光電二極管,其原理類似于光電倍增管。在加上一個(gè)較高的反向偏置電壓后(在硅材料中一般為100-200V),利用電離碰撞...

    型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:20:11 對(duì)比
    源表國產(chǎn)源表光電二極管測(cè)試二極管電性能測(cè)試國產(chǎn)數(shù)字源表
  • VCSEL激光器測(cè)試窄脈沖LIV測(cè)試系統(tǒng)

    VCSEL激光器測(cè)試窄脈沖LIV測(cè)試系統(tǒng)認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,PL系列脈沖電流源超窄至1us的脈寬,大到30A的脈沖電流,兼容CW和QCW模式,豐富的軟件接口,可廣泛...

    型號(hào): PL201/202 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:18:10 對(duì)比
    VCSEL測(cè)試激光器測(cè)試窄脈沖LIV測(cè)試脈沖LIV測(cè)試LIV測(cè)試系統(tǒng)

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