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武漢普賽斯儀表有限公司
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普賽斯儀表測(cè)試SiC MOS電性能方案詳解2025/12/16
碳化硅（SiC）之所以被電動(dòng)車大量采用，因具有“高耐壓”、“低導(dǎo)通電阻”、“高頻”這三個(gè)特性，相較硅基半導(dǎo)體更適合車用。首先，從材料特性上看，碳化硅（SiC）具有更低電阻，電流傳導(dǎo)時(shí)的功率損耗更小，不...
如何利用數(shù)字源表進(jìn)行納米材料納米發(fā)電機(jī)電特性表征2025/10/16
隨著全球能源需求日益增長(zhǎng)同時(shí)對(duì)環(huán)境保護(hù)的重視，傳統(tǒng)化學(xué)能發(fā)電已逐漸不適應(yīng)當(dāng)代社會(huì)的復(fù)雜要求。同時(shí)能源的需求和應(yīng)用領(lǐng)域也越發(fā)多樣化，基于這些現(xiàn)實(shí)需求，應(yīng)新材料為切入點(diǎn)，重點(diǎn)關(guān)注新材料的發(fā)電研究∶基于納米...
如何優(yōu)化碳化硅功率模塊導(dǎo)通電阻和導(dǎo)通壓降的測(cè)試方法2025/9/1
在“碳達(dá)峰”“碳中和”等國(guó)家戰(zhàn)略背景下，以新能源汽車為代表的“雙碳經(jīng)濟(jì)”迎來前未有的發(fā)展機(jī)遇，電動(dòng)汽車、光伏、風(fēng)能綠色能源、智能電網(wǎng)等新的電力電子應(yīng)用的發(fā)展，迫切要求電力電子器件在性能上更新?lián)Q代”。電...
如何用數(shù)字源表簡(jiǎn)化元器件iv電性能測(cè)試方案？2025/8/14
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀優(yōu)勢(shì)分析2025/8/12
半導(dǎo)體參數(shù)分析儀（器件分析儀）是一種集多種測(cè)量和分析功能于一體的測(cè)試儀器，可準(zhǔn)確執(zhí)行電流-電壓（IV）和電容測(cè)量（CV(電容-電壓)、C-f(電容-頻率)以及C–t(電容-時(shí)間)測(cè)量），并快速、輕松地...
iv曲線測(cè)試儀器選購(gòu)小技巧2025/7/22
IV曲線測(cè)試（電流-電壓特性曲線測(cè)試）是一種用于評(píng)估電子元件（如二極管、晶體管、太陽(yáng)能電池等）電氣特性的基本方法。其原理是通過測(cè)量元件在不同電壓下的電流響應(yīng)，繪制出電流（I）與電壓（V）之間的關(guān)系曲線...
IGBT產(chǎn)品可分為哪些？細(xì)數(shù)IGBT性能指標(biāo)及相關(guān)應(yīng)對(duì)測(cè)試方案2025/7/17
IGBT產(chǎn)品，按照封裝形式和集成程度的不同，可分為IGBT裸片、IGBT單管、IGBT模塊以及IPM/PIM模塊。其中，IGBT模塊主要構(gòu)成為，芯片（包含IGBT芯片和Diode芯片），散熱基板、DB...
功率半導(dǎo)體器件IGBT測(cè)試難點(diǎn)及常見測(cè)試指標(biāo)有哪些？2025/7/4
新能源汽車受800V驅(qū)動(dòng)，以主逆變?yōu)榇淼腟iC滲透全面提速，貢獻(xiàn)最大下游市場(chǎng)并帶動(dòng)充電樁、光儲(chǔ)及UPS市場(chǎng)逐步增長(zhǎng)。碳化硅器件當(dāng)前以電壓等級(jí)600-1700V，功率等級(jí)10kW-1MW的硅基IGBT...
高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)解決方案2025/6/10
為應(yīng)對(duì)各行各業(yè)對(duì)IGBT的測(cè)試需求，武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造了一款高精密電壓-電流的IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升...
國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表搭建鈣鈦礦電池片IV測(cè)試系統(tǒng)方案2025/3/12
作為新一代太陽(yáng)能電池，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池在光伏領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力。目前，鈣鈦礦電池正處在從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化的初期，由于其材料特性的影響，產(chǎn)業(yè)化I-V測(cè)試面臨著巨大的挑戰(zhàn)，傳統(tǒng)的測(cè)試方案存在明顯局限。測(cè)...
如有用SMU數(shù)字源表搭建霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)半導(dǎo)體材料2025/3/5
霍爾效應(yīng)測(cè)試霍爾效應(yīng)是一種電磁感應(yīng)現(xiàn)象，當(dāng)電流垂直于外磁場(chǎng)通過半導(dǎo)體時(shí)，載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，垂直于電流和磁場(chǎng)的方向會(huì)產(chǎn)生一附加電場(chǎng)，如下圖所示?；魻栃?yīng)測(cè)試中我們一般測(cè)試霍爾電壓VH、電阻率ρ、霍爾系數(shù)R...
細(xì)數(shù)數(shù)字源表在光伏行業(yè)的應(yīng)用2025/3/4
一、太陽(yáng)能電池測(cè)試常見測(cè)試項(xiàng):開路電壓(Voc)、短路電流(ISC)、峰值功率(Pmax)、峰值電壓(Vmax)、峰值電流(Imax)、填充因子(FF)、轉(zhuǎn)換效率(n)。二、常見測(cè)試需求及方案:1、光...
SMU數(shù)字源表搭建晶圓級(jí)微電子材料器件測(cè)試系統(tǒng)2024/12/24
在半導(dǎo)體材料和器件的研究中，電性能測(cè)試是不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的提升，微電子工藝逐漸復(fù)雜，如何對(duì)微電子材料器件進(jìn)行高效率測(cè)試成為業(yè)內(nèi)關(guān)注的重點(diǎn)。普賽斯儀表陸續(xù)推出多型號(hào)國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表SMU，為進(jìn)...
數(shù)字源表選購(gòu)技巧2024/12/18
數(shù)字源表也稱為源測(cè)量單元(SMU),集數(shù)字萬(wàn)用表、電壓源、電流源、電子負(fù)載以及脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器等功能于一體，同時(shí)可精確限流保護(hù)器件不受損壞。在功率半導(dǎo)體測(cè)試，光電子器件研究、晶體管檢定等方面被廣...
SiC GaN三代半功率器件測(cè)試挑戰(zhàn)及應(yīng)對(duì)測(cè)試方案2024/11/21
功率半導(dǎo)體應(yīng)用現(xiàn)狀隨著新能源汽車800V高壓快充技術(shù)的興起，SiC憑借其高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率以及高鍵合能等一系列顯著優(yōu)勢(shì)，成為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)相追逐的“風(fēng)口”。在實(shí)際應(yīng)用中，搭載碳...
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