IGBT產(chǎn)品，按照封裝形式和集成程度的不同，可分為IGBT裸片、IGBT單管、IGBT模塊以及IPM/PIM模塊。其中，IGBT模塊主要構(gòu)成為，芯片（包含IGBT芯片和Diode芯片），散熱基板、DBC基板，焊料層，鍵合引線等。在IGBT模塊封裝過程中，主要工藝有焊接，鍵合，注膠與固化，測(cè)試等。

普賽斯儀表推出的HCPL100大電流脈沖源，E系列高電壓源，數(shù)據(jù)采集卡等產(chǎn)品，也主要是針對(duì)IGBT模塊封裝過程中動(dòng)靜態(tài)測(cè)試，以及可靠性測(cè)試中使用。

1. IGBT測(cè)試

IGBT規(guī)格參數(shù)

IGBT產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)較多，一般會(huì)包含如下幾種類型參數(shù)：靜態(tài)參數(shù)，動(dòng)態(tài)參數(shù)，熱參數(shù)。

靜態(tài)參數(shù)：

靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的，與其工作條件無關(guān)的相關(guān)參數(shù)，相關(guān)參數(shù)主要有：門極開啟電壓、門極擊穿電壓，集電極發(fā)射極間耐壓、集電極發(fā)射極間漏電流，寄生電容：輸入電容、轉(zhuǎn)移電容、輸出電容，以及以上參數(shù)的相關(guān)特性曲線的測(cè)試。

動(dòng)態(tài)參數(shù)

動(dòng)態(tài)參數(shù)是指開關(guān)過程中的相關(guān)參數(shù)，這些參數(shù)會(huì)隨著開關(guān)條件如電壓，工作電流，驅(qū)動(dòng)電壓，驅(qū)動(dòng)電阻等的改變而變化，相關(guān)參數(shù)有柵極電荷，導(dǎo)通延遲時(shí)間、上升時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、下降時(shí)間、開通損耗、關(guān)斷損耗、反向恢復(fù)電流、反向恢復(fù)時(shí)間以及反向恢復(fù)能量等。

熱參數(shù)

熱參數(shù)主要指IGBT模塊散熱性能，以及溫度適用范圍。使用環(huán)境溫度，以及IGBT模塊的散熱能力，會(huì)對(duì)模塊內(nèi)部各種組件，以及工作特性參數(shù)，產(chǎn)生重要影響。常見的熱參數(shù)主要為熱阻，如模塊結(jié)殼熱阻，瞬間組態(tài)熱阻抗等。

IGBT測(cè)試類型

靜態(tài)測(cè)試

靜態(tài)測(cè)試，主要是關(guān)于IGBT靜態(tài)參數(shù)的測(cè)試。測(cè)試方法，一般選取在模塊兩個(gè)端子，加載電壓或者電流，測(cè)試這兩端，或者第三端的電壓，電流能力，I-V曲線等。

動(dòng)態(tài)測(cè)試

動(dòng)態(tài)測(cè)試，主要是用于測(cè)試IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)，目前，主要采用雙脈沖測(cè)試方案。其測(cè)試主要方法是，加載脈沖電壓，用獲取IGBT在開啟，或者關(guān)閉瞬間的電壓，電流變化情況，并計(jì)算出相應(yīng)的參數(shù)。

可靠性測(cè)試

IGBT可靠性測(cè)試，主要是結(jié)合IGBT額定的電參數(shù)值，對(duì)其進(jìn)行可靠性驗(yàn)證，或者失效分析，從而完成對(duì)它性能評(píng)估，篩選，以及分析。測(cè)試方法有多種，主要包括，高溫反偏測(cè)試(HTRB)，高溫柵偏測(cè)試(HTGB)，高溫高濕反偏測(cè)試(HTRB)，功率循環(huán)，溫度循環(huán)等。