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SMU源表搭建MOS電容CV特性測試實驗平臺

時間:2024/5/29閱讀:903
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 本科生微電子器件及材料實驗?zāi)康?/strong>

通過實驗動手操作,加深對半導(dǎo)體物理理論知識的理解,掌握半導(dǎo)體材料和不同器件性能的表征方法及基本實驗技能,培養(yǎng)分析問題和解決問題的能力。


本科生微電子器件及材料實驗?zāi)夸?/strong>
實驗一:金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管特性IV特性測試實驗
實驗二:四探針法測量半導(dǎo)體電阻率測試實驗
實驗三:        MOS電容的CV特性測試實驗
實驗四:半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實驗實驗
實驗五:激光二極管LD的LIV特性測試實驗
實驗六:太陽能電池的特性表征實驗


本科生微電子器件及材料實驗測試平臺優(yōu)勢

滿足本科生基礎(chǔ)教學實驗中微電子器件和材料測試需求
測試設(shè)備簡單易用,專業(yè)全威,方便學生動手操作
核心設(shè)備測試精度高,滿足新材料和新器件的指標要求
測試軟件功能齊全,平臺化設(shè)計,有專人維護支持,與專業(yè)測試軟件使用相同架構(gòu)
以基礎(chǔ)平臺為起點,可逐步升級,滿足日益增加的實驗室測試需求


本科生微電子器件及材料實驗測試平臺基本功能

實驗名稱

測試參數(shù)

金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管特性的IV特性測試實驗

l 輸出特性曲線

l 轉(zhuǎn)移特性曲線

l 跨導(dǎo)gm

l 擊穿電壓BVDS

l 

四探針法測量半導(dǎo)體電阻率測試實驗

 

l 四探針法電阻率ρ

l 材料阻值R

MOS電容的CV特性測試實驗(低頻 +                                           高頻)

l CV特性曲線

半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實驗

l 霍爾電壓VH

l 霍爾電阻率ρ

l 霍爾系數(shù)RH

l 載流子濃度n

l 霍爾遷移率u

 

激光二極管LD的LIV特性測試

 

l LIV特性曲線

l 閾值電流Ith

l 閾值電流對應(yīng)電壓值Vth

l 拐點Kink

l 線性電阻Rs

太陽能電池的特性表征

 

l 開路電壓Voc

l 短路電流Isc

l 功率最大值Pmax

l 填充因子FF

l 轉(zhuǎn)換效率η

l 串聯(lián)電阻Rs

l 旁路電阻Rsh






本科生微電子器件及材料實驗測試平臺核心

測試平臺的核心– 源測量單元(源表, SMU)

普賽斯國產(chǎn)源表四表合一 四象限模式
四線/開爾文測試功能
小信號測試
滿足先進器件和材料測試需求


交流測試使用LCR表

 


探針臺:4寸或6寸手動探針臺


 

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