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公司介紹主營產(chǎn)品

邁浦特科技2010年成立于香港，蘇州邁浦特機減有限公司是邁浦特機械在大陸設(shè)立的生產(chǎn)基地，并于2017年在南通成立南通邁浦特機械有限公司，于2021年在廣東深圳成立深圳邁浦特機械有限公司以及2024年在四川成立邁浦特機械有限公司公司一直致力于TCU溫控系統(tǒng)，新能源溫控測試系統(tǒng)、高低溫一體機，模具溫度控制機，冷水機，冷熱一體機等溫度控制機的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)和技術(shù)咨詢，提供工業(yè)溫度控制技術(shù)及解決方案的供應(yīng)商

邁浦特信助于多年成功經(jīng)驗，以專業(yè)技術(shù)，在壓鑄，食品化工，醫(yī)療，印刷，包裝，復(fù)合材料，電池包、測試機，橡膠壓延等科研行業(yè)提供所需的各種溫控設(shè)備和技服務(wù)，為客戶們提供各種應(yīng)用工藝過程中加熱或冷卻，恒溫的技術(shù)服務(wù)，不僅僅是提供設(shè)備，我們提供更多的是解決方案以及對使用者的合理建議，注重客戶的使用感受，對設(shè)備品質(zhì)孜孜不的追求，得到業(yè)界和使用客戶一致認(rèn)可，是替代進口設(shè)備的可靠選擇

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產(chǎn)品簡介在線詢價

半導(dǎo)體刻蝕冷卻工業(yè)冷水機丨反應(yīng)腔冷卻產(chǎn)品詳情

一、產(chǎn)品概述

半導(dǎo)體刻蝕冷卻工業(yè)冷水機是為半導(dǎo)體刻蝕工藝（等離子刻蝕、濕法刻蝕、深硅刻蝕）研發(fā)的高精度制冷設(shè)備，核心作用是為刻蝕機射頻電源、電極、反應(yīng)腔、噴淋系統(tǒng)等關(guān)鍵部件提供 5℃-35℃的循環(huán)冷卻，控制冷卻水溫穩(wěn)定性（波動≤±0.1℃）、流量精度（偏差≤±0.5%）及熱交換效率（熱阻≤0.04℃/W），確?？涛g過程中的晶圓尺寸精度（線寬偏差≤±1nm）、刻蝕均勻性（片內(nèi)均勻性≤1%）及設(shè)備使用壽命（≥30000 小時）。在半導(dǎo)體刻蝕中，溫度波動 0.5℃可能導(dǎo)致刻蝕速率偏差≥5%、晶圓圖形轉(zhuǎn)移失真率上升 3%，傳統(tǒng)冷卻設(shè)備存在潔凈度不足（Class 100 級）、耐腐蝕性差（無法耐受氟基刻蝕氣體）、與刻蝕機聯(lián)動弱等問題，導(dǎo)致刻蝕良率不足 90%。

二、產(chǎn)品描述

超精密溫控系統(tǒng)：實現(xiàn) 5℃-35℃寬域控溫（靜態(tài)精度 ±0.5℃）。針對刻蝕機多部件協(xié)同冷卻需求（射頻電源與反應(yīng)腔獨立回路），支持 2-4 路隔離式潔凈冷卻回路，通過 PID 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法與納米級流量調(diào)節(jié)技術(shù)，確保電極與噴淋頭溫差≤±0.2℃，刻蝕區(qū)域溫度梯度≤0.1℃/cm。相比傳統(tǒng)設(shè)備，等離子刻蝕的線寬偏差從 ±3nm 縮至 ±0.8nm，深硅刻蝕的高深寬比偏差從 ±5% 降至 ±1%，有效減少因溫度波動導(dǎo)致的刻蝕缺陷（如線邊緣粗糙度≥1nm 的發(fā)生率≤0.1%）。

刻蝕工藝聯(lián)動技術(shù)：搭載工業(yè)級 PLC 與PT100溫度傳感器，實時采集刻蝕溫度（60-100℃）、射頻功率（500-3000W）、真空度（10?3-10??Pa）、刻蝕氣體流量（10-500sccm）等 16 項參數(shù)，通過等離子體 - 熱耦合模型動態(tài)調(diào)節(jié)制冷量。支持與刻蝕機控制系統(tǒng)對接（兼容應(yīng)用材料、東京電子協(xié)議），根據(jù)刻蝕階段（等離子體激發(fā)→刻蝕→清除）自動切換冷卻模式：刻蝕階段維持水溫 15℃±0.05℃確?？涛g速率穩(wěn)定，清除階段提升 10% 流量快速帶走殘留熱量。針對氟基 / 氯基刻蝕氣體的腐蝕特性，設(shè)備實時監(jiān)測冷卻水路 pH 值（4-10），異常時 3 秒內(nèi)啟動備用回路。

抗腐蝕潔凈設(shè)計：與冷卻介質(zhì)接觸部件采用哈氏合金 C276（耐氟化物腐蝕測試≥10000 小時），密封件選用全氟醚橡膠（FFKM，可萃取物≤0.005mg/g），耐受刻蝕過程中逸出的 HF、Cl?等腐蝕性氣體及清洗用 SC1/SC2 溶液侵蝕。水路系統(tǒng)配備五級過濾（1μm 精濾 + 0.1μm 超濾 + 0.01μm 納濾 + UV 殺菌 + 離子交換），水質(zhì)達到 SEMI C12 標(biāo)準(zhǔn)（電阻率≥18.2MΩ?cm，顆粒數(shù)≤1 個 /mL≥0.05μm）。設(shè)備內(nèi)部氣流經(jīng) ULPA 過濾器（過濾效率≥99.999%@0.12μm）循環(huán)，運行時周圍環(huán)境粒子濃度≤10 粒 /m3（≥0.1μm），滿足半導(dǎo)體潔凈室 Class 1 級要求，避免微粒污染導(dǎo)致的晶圓缺陷（缺陷密度≤0.1 個 /cm2）。

三、應(yīng)用場景

邏輯芯片等離子刻蝕車間：用于 14nm 邏輯芯片柵極刻蝕，控制反應(yīng)腔溫度 18℃±0.05℃，使線寬偏差≤±1nm，刻蝕均勻性（CD uniformity）≤0.8%，滿足邏輯芯片的制程要求（符合 SEMI P37 標(biāo)準(zhǔn)）。

存儲芯片深硅刻蝕車間：在 3D NAND 閃存深溝刻蝕（深度≥10μm）中，提供 12℃±0.05℃冷卻水，確?？涛g高深寬比偏差≤±1%，側(cè)壁粗糙度≤0.5nm，適應(yīng)存儲芯片高密度集成需求。

化合物半導(dǎo)體刻蝕車間：針對 GaN HEMT 器件刻蝕，通過雙回路冷卻（射頻電源 15℃±0.05℃、電極 20℃±0.05℃），使器件閾值電壓偏差≤±0.1V，擊穿電壓提升 5%（達到 1200V），滿足高頻功率器件性能要求。

MEMS 器件濕法刻蝕車間：用于硅基 MEMS 加速度傳感器濕法刻蝕，控制蝕刻槽溫度 25℃±0.1℃，使刻蝕速率偏差≤±0.5nm/min，結(jié)構(gòu)釋放后的殘余應(yīng)力≤5MPa，確保傳感器靈敏度（偏差≤±1% FS）。

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關(guān)鍵詞：標(biāo)準(zhǔn) 冷水機過濾器制冷設(shè)備控制系統(tǒng)

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