選購(gòu)納米級(jí)光學(xué)測(cè)量設(shè)備,不僅要看采購(gòu)成本,更要算清全周期的使用開銷。中圖儀器SuperViewW1系列精密白光干涉光學(xué)輪廓儀,以更合理的投入覆蓋LED刻蝕、半導(dǎo)體薄膜檢測(cè)等核心需求,綜合使用成本優(yōu)勢(shì)顯著。
一方面,設(shè)備自帶EPSI復(fù)合算法與環(huán)境噪聲檢測(cè)系統(tǒng),無需額外采購(gòu)昂貴的主動(dòng)氣浮減振臺(tái),也不用依賴工程師反復(fù)調(diào)光調(diào)試,大幅節(jié)省配套硬件成本與人工工時(shí);另一方面,一鍵式自動(dòng)化掃描、批量數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)功能,可顯著縮短單樣檢測(cè)周期,加快工藝迭代速度,減少因測(cè)量數(shù)據(jù)失真導(dǎo)致的試錯(cuò)浪費(fèi)。
設(shè)備搭載自主研發(fā)的EPSI復(fù)合掃描算法,跨反射率成像能力達(dá)到行業(yè)先進(jìn)水平,可穩(wěn)定完成LED刻蝕表面三維測(cè)量、超薄臺(tái)階高度檢測(cè)等高精度任務(wù);內(nèi)置環(huán)境傳感與閉環(huán)補(bǔ)償系統(tǒng),抗振動(dòng)、抗溫漂能力可靠,無需額外投入大額資金搭建超凈隔振環(huán)境。
對(duì)于需要納米級(jí)三維形貌測(cè)量的半導(dǎo)體、光電企業(yè),進(jìn)口設(shè)備往往價(jià)格高昂,且配套服務(wù)成本高。中圖儀器SuperViewW1系列精密白光干涉光學(xué)輪廓儀,核心性能對(duì)標(biāo)行業(yè)水準(zhǔn),同時(shí)具備更突出的價(jià)格優(yōu)勢(shì),是企業(yè)提質(zhì)降本的優(yōu)選方案。
LED晶圓刻蝕檢測(cè)實(shí)測(cè)案例 復(fù)雜工況下穩(wěn)定輸出可靠數(shù)據(jù)
某光電企業(yè)在LED刻蝕工藝研發(fā)中,長(zhǎng)期面臨兩大檢測(cè)難題:一是刻蝕樣件表面高反光薄膜與低反光孔底反差大,傳統(tǒng)設(shè)備需反復(fù)調(diào)光且成像不全;二是車間環(huán)境振動(dòng)導(dǎo)致納米級(jí)臺(tái)階高度數(shù)據(jù)漂移,工藝迭代缺乏穩(wěn)定數(shù)據(jù)支撐。
引入中圖儀器SuperViewW1系列白光干涉儀后,通過EPSI復(fù)合掃描算法,單次掃描即可同時(shí)清晰呈現(xiàn)超薄介質(zhì)膜與刻蝕孔洞的3D形貌,0.2μm的微小膜層落差可精準(zhǔn)捕捉,陣列離散度極低;內(nèi)置的環(huán)境噪聲檢測(cè)與補(bǔ)償系統(tǒng),在車間常規(guī)振動(dòng)環(huán)境下,依然能維持?jǐn)?shù)據(jù)穩(wěn)定性,解決基線漂移問題。
實(shí)測(cè)覆蓋0.07μm超薄臺(tái)階至122μm大孔徑全尺度微結(jié)構(gòu),檢測(cè)效率提升顯著,無需人工反復(fù)調(diào)試,為該企業(yè)的刻蝕工藝參數(shù)迭代提供了可靠的測(cè)量支撐。
注:產(chǎn)品參數(shù)與服務(wù)可能根據(jù)技術(shù)升級(jí)實(shí)時(shí)更新,具體以新標(biāo)準(zhǔn)為準(zhǔn),詳情可咨詢客服獲取完整資料。





































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