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公司介紹主營產(chǎn)品

北京三禾泰達(dá)技術(shù)有限公司成立于2003年1月21日2018~2020年間共取得11項(xiàng)產(chǎn)品軟件著作權(quán)2018年激光干涉測平儀項(xiàng)目獲得北京市朝陽區(qū)頒發(fā)的研發(fā)能力提升獎(jiǎng)勵(lì)2020年被認(rèn)定為企業(yè)。2021年被認(rèn)定為中關(guān)村企業(yè)2021年2月有10項(xiàng)實(shí)用新型申請(qǐng)被國家局受理。十幾年來公司通過在測量領(lǐng)域的深耕和拓展，為市場提供了數(shù)款性價(jià)比的測量儀器，其中7種儀器。公司產(chǎn)品主要面向五個(gè)大的市場方向: 半導(dǎo)體WAFER平面度/厚度檢測、光學(xué)玻璃幾何參數(shù)特征檢測、利用近紅外光進(jìn)行砷化鎵/硅晶體缺陷檢測、壓電水晶諧振器電學(xué)參數(shù)檢測以及激光傳感器應(yīng)用研究，我們的產(chǎn)品包括：LINT-208G型WAFER平坦度半自動(dòng)測試儀，該儀器目前；LINT-208G型WAFER平坦度/厚度全自動(dòng)測試系統(tǒng)，該儀器目前；LST-208H型共聚焦法平面度測試儀，該系統(tǒng)處于國內(nèi)水平；ALC-2120型在線自動(dòng)研磨頻率控制儀，該儀器當(dāng)年；ALC-SI型硅在線自動(dòng)研磨厚度控制儀，該儀器當(dāng)年；TCS-A型電渦流在線研磨厚度控制儀，該儀器目前；ABS-2000型壓電水晶BLANK頻率分選機(jī)TMI-A型激光厚度測量儀，該儀器目前；WMS-208AT型WAFER 激光全自動(dòng)厚度分選機(jī)，該儀器市場反應(yīng)良好；我們的宗旨是通過向世界提供高技術(shù)高精度的測量儀器和高水平的服務(wù)提升中國在檢測及激光傳感器領(lǐng)域的總體水平。我們的目標(biāo)是在激光測量領(lǐng)域做到世界。

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產(chǎn)品簡介在線詢價(jià)

WMS-208AT型激光非接觸式厚度分選機(jī)設(shè)備性能及技術(shù)參數(shù)：1.設(shè)備功能實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)對(duì)碳化硅、單晶硅、多晶硅、鍺、砷化鎵、藍(lán)寶石、陶瓷板、手機(jī)面板玻璃、藍(lán)玻璃、石英晶體片材等各種WAFER平板材料厚度等幾何特征及電學(xué)參數(shù)的精確測量及記錄

WMS-208AT型激光非接觸式厚度分選機(jī) 產(chǎn)品詳情

WMS-208AT型激光非接觸式厚度分選機(jī)

設(shè)備性能及技術(shù)參數(shù)： 1.設(shè)備功能

實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)對(duì)碳化硅、單晶硅、多晶硅、鍺、砷化鎵、藍(lán)寶石、陶瓷板、手機(jī)面板玻璃、藍(lán)玻璃、石英晶體片材等各種 WAFER 平板材料厚度等幾何特征及電學(xué)參數(shù)的精確測量及記錄。

2.適用范圍

可用于測量工件尺寸為 Φ2---Φ8（INCH）直徑的圓形及方型晶片或其它任意材質(zhì)的平板。

3.測量精度及量程

厚度量程：100---1800um，測量精度與 WAFER 表面光潔度有些許聯(lián)系，即：

測量重復(fù)精度（半導(dǎo)體類雙拋表面 WAFER）：±0.5um ;

測量重復(fù)精度（半導(dǎo)體類研磨表面 WAFER）: ±1um ;

測量重復(fù)精度（藍(lán)寶石類單拋表面 WAFER）：±2um ; 4.工作模式選擇

本機(jī)共有五種測量模式以對(duì)應(yīng)用戶不同的需求。

4.1 標(biāo)準(zhǔn)一電測量：按照半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)對(duì) WAFER 中心點(diǎn)的厚度進(jìn)行測量。

4.2 標(biāo)準(zhǔn) 5 點(diǎn)測量：按照半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)對(duì) WAFER 的靠近邊沿的 4 點(diǎn)（左上、左下、右上及右下）及中心點(diǎn)的厚度進(jìn)行測量。

4.3 企業(yè)內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)一點(diǎn)測量：用戶自己定義的 WAFER 缺口附近的一個(gè)點(diǎn)的厚度進(jìn)行測量。

4.420 點(diǎn)以內(nèi)隨機(jī)點(diǎn)測：用戶自己根據(jù)生產(chǎn)需要可以在 20 個(gè)點(diǎn)以內(nèi)，用鼠標(biāo)在 WAFER 上選擇任意位置并對(duì)其厚度進(jìn)行測量。

4.5 連續(xù)點(diǎn)測量：在由兩個(gè)端點(diǎn)確定的一條直線路徑上可以進(jìn)行 100 點(diǎn)的連續(xù)厚度測量以檢查晶片的表面形態(tài)。

5.分選速度

為了保證不造成對(duì) WAFER 表面造成損傷，研究人員建議的安全分選速度為：

>單點(diǎn)或中心測量模式速度: ≥130 片/小時(shí)

>標(biāo)準(zhǔn) 5 點(diǎn)測量速度：≥110 片/小時(shí)

關(guān)鍵詞：標(biāo)準(zhǔn)

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產(chǎn)品名稱	參考價(jià)	地區(qū)	公司名稱	更新時(shí)間
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