晶體定向、電導率和電阻率檢查要確保晶體是否達到定向和電阻率的規(guī)格要求。晶體定向是由X射線衍射或者平行光衍射來確定的，晶體的一端被腐蝕或拋光來去除損傷層，再將晶體安放到衍射儀上，X或平行光反射晶體表面到成像板上，從而可以看到晶體的晶向。晶棒黏放在一個切割塊上來保證晶圓從晶體正確的晶向切割。由于晶體是經(jīng)過摻雜的，一個重要的電學性能檢查是導電類型(N型或者P型)，以保證使用了正確的摻雜物。而進入晶體的摻雜物數(shù)量由電阻率測量來確定。

　　滾磨定向一旦晶體在切割塊上定好晶向，就沿著軸滾磨出一個參考面，這個參考面將會在每個晶圓上出現(xiàn)，稱之為主參考面。對于更大直徑的晶圓，在晶體上磨出一個槽用來標識晶圓的晶向，有些情況下在晶體上磨出一個簡單的凹槽來作為生產(chǎn)晶向的定位。

　　切片用有金剛石涂層的內(nèi)圓刀片把晶圓從晶棒上切下來，這些刀片是中心有圓孔的薄圓鋼片。對于大直徑的晶圓使用線切割可以保證小錐度的平整表面和少量的刀口損失。

　　磨片半導體晶圓的表面要規(guī)則沒有切割損傷，并且要平整，平整度是小尺寸圖片必須的條件，*的光刻工藝把所需的圖案投影到晶圓表面，如果表面不平整，將會發(fā)生扭曲。為了保證晶圓的平整度，一般分為磨片和化學機械拋光，磨片的主要目的是為了去除切片工藝殘留的表面損傷。化學機械拋光是以堿性拋光液在晶圓表面形成一層薄的二氧化硅，拋光墊以持續(xù)的機械摩擦來去除氧化物，這樣晶圓表面的高點被除掉，直到獲得特別平整的表面。

　　晶圓壓膜

　　中國臺灣ELT科技是*制程設備制造商，其中硅片真空壓膜機 晶圓級壓膜機是8寸/12寸晶圓貼合設備，填充率高，無氣泡，高深寬比，全自動調(diào)節(jié)溫度壓力，是晶片制程后期的設備。