摘要 實驗室自動涂膜機產(chǎn)品簡介：AFA-II自動涂膜機是為了使試驗人員能方便地在不同底材上涂布出精確的涂膜，減小或消除由于涂布速度及施加壓力不同等人為因素造成的誤差

摘要真空電阻式熱蒸發(fā)鍍膜機CRTE直徑觀察口匹配雙級旋轉葉片泵的渦輪分子真空泵系統(tǒng)帶沉積控制器的石英晶體厚度傳感器帶數(shù)字顯示和讀數(shù)的全量程真空計最多四個帶獨立百葉窗的電阻熱源半自動控制系統(tǒng)真空電阻式熱蒸發(fā)鍍膜機具有箱形或D形腔室，其數(shù)量與的源數(shù)量相同,標準真空系統(tǒng)是渦輪或...

摘要 NadetechND-DC浸漬鍍膜機是一種自動化的單元，是一款采用垂直提拉法的浸漬鍍膜機

摘要 智能控制滾筒等離子清洗機，觸摸屏控制，該清洗機內置高純石英倉體，有效容積為500ml，結構為國際上的通用的真空石英法蘭密封結構。

摘要 一、產(chǎn)品簡介：自動涂膜機是涂膜儀器，方便地在不同的底材上自動完成濕膜制備器或線棒涂布器的涂布運動，避免了涂膜過程中的人為因素誤差，能有效地提高制膜的重現(xiàn)性

摘要BEVS 1818H微型自動涂膜機（帶真空加熱床）用于制備均一可溯的涂膜（手工涂膜經(jīng)常不協(xié)調，特別是不同操作人員之間，這就使得試樣的比較很困難，甚*是不可靠），其重現(xiàn)性好。因為影響涂膜的因素是剪切速率和加在施工工具上的重量。該儀器使用一個可控制的線棒或涂膜器，以選定的...

摘要 上海伯東代理有機材料熱蒸鍍設備針對研究等級的實驗室, 推出玻璃對玻璃封裝的對位壓合機構. 整合涂膠系統(tǒng) (UV或liquid gate) 和紫外光燈可安裝于手套箱或是獨立的一個壓合腔體內, 且可手動進行放片, 也可以透過自動傳片系統(tǒng)使用.

摘要熱蒸發(fā)是物理氣相沉積 PVD 中較常用方法, 也是 PVD 的形式之一. 使用電加熱的蒸發(fā)源可用于沉積大多數(shù)的有機和無機薄膜, 其中以電阻式加熱法較為常見. 這些蒸發(fā)源的優(yōu)點為它們可以提供一種簡單的薄膜沉積方法, 以電流通過其容納材料的舟為方式, 從而加熱材料, 當沉...

摘要 上海伯東代理超高真空磁控濺射鍍膜機. 真空度高 5E-10 Torr, 特比適合生長高質量的薄膜或超薄膜, 金屬與絕緣材料. 使用德國 Pfeiffer 分子泵和美國 KRI 離子源.

摘要隨著 LCD 面板和制造所需玻璃的尺寸的增加, 制造設備也隨著變得更大, 需要越來越大的設備投資. 上海伯東代理磁控濺鍍設備 FPD-PVD 針對中小尺寸的需求開發(fā)串集的 PVD 設備, 擁有 4個單獨的濺鍍腔體, 讓客戶能任意搭配沉積的材料, 同時保有彈性和具有選擇...

摘要 上海伯東代理 E-Beam 電子束蒸發(fā)鍍膜機 ( 電子蒸鍍 ), zui大真空度可達 5E-10 torr, 提供客制化服務.

摘要上海伯東代理脈沖激光沉積設備 PLD-18L, 它可以與濺射槍, 積液池, 高壓流變, 激光束控制相結合, 可以放置 8×1 英寸的樣品或 4×2 英寸的樣品, 在真空狀態(tài)下通過 load lock chamber 進行更換, 使用高速激光掃描儀,...

摘要上海伯東代理分子束外延設備 MBE-8 可以成長三寸以下的樣品, 樣品溫度可以加到 900 攝氏度, 如果是兩寸以下的樣品可以到 1100 攝氏度. 可以裝置 8個束源爐, zui大容量 40cc. 配備晶振, 束流監(jiān)控器, 高能電子槍以及監(jiān)控軟件. 可以裝置固體源,...

摘要 上海伯東代理分子束外延設備 MBE-10 可以成長四寸～六寸的樣品, 樣品溫度可以加到 900攝氏度, 如果是兩寸以下的樣品可以到 1100 攝氏度.可以裝置 10個束源爐, zui大容量 40cc. 分子束外延設備 MBE-10 配備晶振, 束流監(jiān)控器.

摘要 上海伯東代理超高真空離子刻蝕機 IBE, 我們數(shù)十年來一直致力于超高壓沉積技術, 幫客戶定制設備完成特殊應用, 在客戶預算內提供設備和*的設計！

摘要熱沉積式的 ALD 需要較高的制程溫度 (傳統(tǒng)為 150-350°C). 上海伯東代理原子層沉積設備可以精準的控制 ALD 的制程, 薄膜的厚度和均勻度皆小于 +/- 1％, 廣泛應用于 OLED 和硅太陽能電池的鈍化層, 微機電系統(tǒng), 納米電子學, 納米孔...

摘要 上海伯東針對薄膜封裝推出電漿輔助式化學氣相沉積, 原子層沉積和聚對二甲苯沉積等三種設備, 且使用低溫的沉積技術, 分別在 OLED 上堆疊多層薄膜, 廣泛應用于有機發(fā)光二極體, 有機光伏打電池和材料科學研究.

摘要 上海伯東代理的金屬熱蒸鍍設備加裝美國 KRI 離子源, 可以精準的控制蒸發(fā)速度, 為客戶提供品質的復合式薄膜, 且薄膜的厚度和均勻度小于+/- 3％, 廣泛應用于納米薄膜, 太陽能電池等行業(yè)以及金屬材料的研究等.

摘要 上海伯東代理的連續(xù)式多腔磁控濺鍍設備可準確控制其濺鍍制程條件, 為客戶提供更優(yōu)質的薄膜, 廣泛應用于納米研究技術, 材料研究, 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究, 太陽能電池和觸碰螢幕等行業(yè).

摘要 上海伯東代理多層膜磁控濺鍍設備 Multilayer sputter 擁有基板公自轉機構, 搭配美國 KRI 離子源可實現(xiàn)多層膜結構并可以一次批量生產(chǎn), 廣泛應用于半導體, 納米科技, 太陽能電池, 科研等行業(yè), 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.

摘要 上海伯東代理超高真空磁控濺鍍設備 UHV Sputter 廣泛應用于半導體, 納米科技, 太陽能電池,科研等行業(yè), 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.

摘要上海伯東代理的磁控共濺鍍腔提供了準確控制多個磁控濺鍍的制程條件, 加裝美國 KRi 離子源為客戶提供更好質量的復合式薄膜.單片和多片式的loading chamber, 可節(jié)省其制程腔體的抽氣時間, 進而節(jié)省整體實驗時間. 廣泛應用于半導體, 納米科技, 太陽能電池等...

摘要 上海伯東代理剝離成形電子束設備可以準確的控制蒸發(fā)速度, 因此薄膜厚度和均勻度皆小于 ±3％, 客制化的基板尺寸, z大直徑可達 12寸晶圓, 腔體的極限真空度約為 10-8 Torr.

摘要上海伯東代理 SYSKEY 中國臺灣矽碁科技超高真空電子束蒸鍍設備腔體極限真空度約為 10-10Torr, 針對超高真空和高溫加熱設計基板旋轉鍍膜機構, 使用陶瓷培林旋轉, 并在內部做水冷循環(huán)來保護機構以確保長時間運轉的穩(wěn)定性, 可以提供高質量的薄膜, 薄膜均勻度小于...

摘要上海伯東代理 SYSKEY 中國臺灣矽碁科技電子束蒸鍍設備是一種實用且高度可靠的系統(tǒng), 蒸鍍系統(tǒng)可針對量產(chǎn)使用單一坩堝也可以有多個坩堝來達到產(chǎn)品多層膜結構. 在基板乘載上針對半導體研究和大型設備設計, 單片和多片公自轉的設計可以控制蒸發(fā)速率, 薄膜厚度和均勻度小于 +...

摘要 KSVNIMADipCoater浸漬鍍膜機儀器簡介：儀器用途：用于溶液中的物質在基片上的成膜儀器原理：固體基片在沒有表面壓縮時

摘要 把待鍍膜的基片或工件置于真空室內，通過對鍍膜材料加熱使其蒸發(fā)氣化而沉積基體或工件表面并形成薄膜或涂層的工藝過程，稱為真空蒸發(fā)鍍膜，簡稱蒸發(fā)鍍膜或蒸鍍

摘要 利用優(yōu)異保溫效果的坩堝實現(xiàn)有機物材料的穩(wěn)定蒸發(fā)，同時借助超高精度的石英晶振達到蒸發(fā)速率的確控制，矽碁科技可提供性能穩(wěn)定的有機物蒸發(fā)鍍膜機，主要用于有機物材料驗證，OELD器件鍍膜機，OPV器件鍍膜機，有機CMOS鍍膜機等

摘要 立式線性連續(xù)磁控濺射適用于大尺寸基板產(chǎn)品的研發(fā)及生產(chǎn)，設備由進樣室，濺鍍室，出樣室和基片傳遞機構組成，可實現(xiàn)連續(xù)鍍膜，廣泛應用于顯示器件及光伏電池薄膜的開發(fā)及生產(chǎn)

摘要 對傳統(tǒng)熱蒸發(fā)技術難以實現(xiàn)的材料蒸發(fā)，可采用電子束蒸發(fā)(E-beamEvaporation)的方式來實現(xiàn)

摘要 多工位磁控濺射鍍膜機可同時放置多片基片，適應研發(fā)線或中試線的小批量生產(chǎn)

摘要 矽碁超高真空磁控濺射鍍膜機采用國際UHV配件及金屬密封件，本底真空可達到10-9~10-10Torr量級

摘要 磁控濺射是物理氣相沉積技術(PhysicalVaporDeposition,PVD)的一種

摘要 手動磁控濺射系統(tǒng)適用于本科生教學，研究生科研訓練，也可以應用于科研工作

摘要 Anautomateddippingmechanism浸漬鍍膜機臂長：38;48;58;68;78mm;更長可定制浸漬鍍膜機控制：全自動與手動控制模式浸漬鍍膜機控制移動精度：1

摘要 磁控濺射

摘要 NadetechND-DC浸漬鍍膜機是一種自動化的單元，是一款采用垂直提拉法的浸漬鍍膜機

摘要 AFA-II自動涂膜機AFA-II自動涂膜機是為了使試驗人員能方便地在不同底材上涂布出的涂膜，減小由于涂布速度及施加壓力不同等人為因素造成的誤差

摘要YZ-DC300浸漬提拉鍍膜機是適用于溶膠-凝膠法（Sol--Gel法，簡稱SG法）制備薄膜的浸漬提拉法的一款高精度儀器。主要部件采用進口配件，準確控制提拉速度，多次重復鍍膜無位置偏差。提拉速度、提拉高度、浸漬時間、循環(huán)鍍膜次數(shù)、浸漬時間、下降速度、停留時間均可以通過...

摘要 參數(shù)電源：220V功率：50W提拉速度：1mm/min-200mm/min速度穩(wěn)定性：±0.05%樣件尺寸：75mm×25mm×2.5mm

摘要NMC-4000 MOVPE設備：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置（各帶獨立的冷卻槽）、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的...

摘要NLD-3500（A）全自動原子層沉積設備：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原...

摘要NLD-4000（A）全自動原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原...

摘要NLD-4000（ICPA）全自動PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得A...

摘要NMC-3000等離子輔助MOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置（各帶獨立的冷卻槽）、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工...