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徠卡精研一體機(jī)TXP可以對(duì)樣品進(jìn)行精確定位研磨，高效率的處理以往難以制備的樣品。徠卡三離子束切割拋光儀TIC3X可對(duì)樣品進(jìn)行無應(yīng)力損傷和無磨料污染的氬離子束切割拋光，確保樣品適合高倍率掃描電鏡圖像觀察，或者EDS和EBSD分析。徠卡超薄切片機(jī)UC7是利用鉆石刀對(duì)樣品進(jìn)行精細(xì)準(zhǔn)確切割，非常適合于銅、鋁和高分子膜層的截面制備。
TXP是徠卡研發(fā)的集切割、研磨、拋光、銑削和沖鉆五位一體的多功能精研一體機(jī)。
以TXP制備電子樣品的應(yīng)用舉例：
芯片缺陷點(diǎn)剖析
樣品描述 樣品為厚度400微米長度25左右毫米的硅片基底芯片，反面粘有塑料薄片。（缺陷點(diǎn)的記號(hào)筆標(biāo)記位置） 使用金相顯微鏡放大200倍后發(fā)現(xiàn)右起第三根指針有一小截與第四根指針相連，為缺陷位置，需要從中間刨開。 （紅圈為目標(biāo)位置，大約 8μm） 步 用金剛石鋸片切斷樣品，距離目標(biāo)位置800μm左右。（TXP精研一體機(jī)省去包埋） （加工角度，樣品傾斜30度觀察） 第二步 轉(zhuǎn)速1500轉(zhuǎn)/分鐘，400#碳化研磨砂紙，研磨量600μm。研磨過程芯片邊緣不破損，平整無倒角！ （芯片正面觀察角度，400#碳化硅砂紙研磨之后） 第三步 轉(zhuǎn)速2300轉(zhuǎn)/分鐘，9微米金剛石砂紙研磨，研磨量120μm，研磨之后樣品劃痕變細(xì)。 第四步 轉(zhuǎn)速2300轉(zhuǎn)/分鐘，2微米金剛石砂紙研磨，研磨量為60μm，研磨之后樣品劃痕變細(xì)！ 第五步 轉(zhuǎn)速2300轉(zhuǎn)/分鐘，0.5μm金剛石砂紙研磨，研磨量為20μm，研磨之后樣品面到達(dá)觀察分析要求！ 芯片制樣結(jié)果 （芯片表面觀察角度） （芯片截面觀察角度） 
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