元器件失效分析方法，這次講清楚了！

2018年失效分析技術(shù)分享活動儀準科技自2012年在北京建立以來一直受到半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)同行們的支持與鼓勵這6年來有贊美有夸獎有磕絆也有不足；感謝大家一直以來的包容與支持同行們之間的反饋與意見是我們進步的較大推動力

我們也一直在半導(dǎo)體行業(yè)中努力吸收新鮮知識緊跟行業(yè)潮流*公司設(shè)備及技術(shù)要求盡我們的較大努力去達到實驗標(biāo)準

器件一旦壞了，千萬不要敬而遠之，而應(yīng)該如獲至寶。
開車的人都知道，哪里zui能練出駕駛水平？高速公路不行，只有鬧市和不良路況才能提高水平。社會的發(fā)展就是一個發(fā)現(xiàn)問題解決問題的過程，出現(xiàn)問題不可怕，但頻繁出現(xiàn)同一類問題是非常可怕的。
失效分析基本概念
定義：對失效電子元器件進行診斷過程。
1、進行失效分析往往需要進行電測量并采用*的物理、冶金及化學(xué)的分析手段。
2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機理，提出糾正措施，防止這種失效模式和失效機理的重復(fù)出現(xiàn)。
3、失效模式是指觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式，如開路、短路、參數(shù)漂移、gong能失效等。
4、失效機理是指失效的物理化學(xué)過程，如疲勞、腐蝕和過應(yīng)力等。
失效分析的一般程序
1、收集現(xiàn)場場數(shù)據(jù)
2、電測并確定失效模式
3、非破壞檢查
4、打開封裝
5、鏡驗
6、通電并進行失效定位
7、對失效部位進行物理、化學(xué)分析，確定失效機理。
8、綜合分析，確定失效原因，提出糾正措施。
1、收集現(xiàn)場數(shù)據(jù)：
應(yīng)力類型 試驗方法 可能出現(xiàn)的主要失效模式
電應(yīng)力 靜電、過電、噪聲 MOS器件的柵擊穿、雙極型器件的pn結(jié)擊穿、gong率晶體管的二次擊穿、CMOS電路的閂鎖效應(yīng)
熱應(yīng)力 高溫儲存 金屬－半導(dǎo)體接觸的Al－Si互溶，歐姆接觸退化，pn結(jié)漏電、Au-Al鍵合失效
低溫應(yīng)力 低溫儲存 芯片斷裂
低溫電應(yīng)力 低溫工作 熱載流子注入
高低溫應(yīng)力 高低溫循環(huán) 芯片斷裂、芯片粘接失效
熱電應(yīng)力 高溫工作 金屬電遷移、歐姆接觸退化
機械應(yīng)力 振動、沖擊、加速度 芯片斷裂、引線斷裂
輻射應(yīng)力 X射線輻射、中子輻射 電參數(shù)變化、軟錯誤、CMOS電路的閂鎖效應(yīng)
氣候應(yīng)力 高濕、鹽霧 外引線腐蝕、金屬化腐蝕、電參數(shù)漂移