u主要用途

芯片的電路修補(bǔ)、斷面切割、透射電鏡樣品制備。

u

性能參數(shù)

a)著陸電壓范圍 - 電子束：350V~30kV

                - 離子束：500V~30kV

b)zui小分辨率 - 電子束：0.8nm/30kV

              - 離子束：2.5nm/30kV

c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可實(shí)現(xiàn)更高分辨率的離子束成像、磨削和沉積

u

應(yīng)用范圍

1.定點(diǎn)切割

2.穿透式電子顯微鏡試片

3.IC線路修補(bǔ)和布局驗(yàn)證

4.制程上異常觀察分析

5.晶相特性觀察分析

6.故障位置定位用被動(dòng)電壓反差分析