SiPM(Silicon Photo-multiplier,硅光電倍增探測器)是近年來逐漸興起的一種用于光探測領(lǐng)域的光電探測器件。與傳統(tǒng)的PMT(Photo-multiplier tube,光電倍增管)相比,它有著尺寸小、工作電壓低、幾乎不受磁場影響等優(yōu)點,但其缺點是對環(huán)境溫度變化較敏感。為了掌握SiPM性能指標(biāo)隨環(huán)境溫度的變化規(guī)律,搭建了SiPM溫度特性實驗系統(tǒng),通過改變環(huán)境溫度來實時測量記錄SiPM的雪崩臨界電壓和增益,從而定量得出SiPM的溫度特性,并通過理論計算對實驗數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。

簡單集成化探測系統(tǒng)

取代過去He3探測組件

可擴展性能 *性價

抗沖擊和振動，特別適用于惡劣環(huán)境下