北京精科智創(chuàng)科技發(fā)展有限公司
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更新時間：2025-12-14 08:36:13瀏覽次數(shù)：95次
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GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統(tǒng)（包含薄膜
| GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統(tǒng)（包含薄膜，塊體功能） GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統(tǒng)（包含薄膜，塊體功能） 關(guān)鍵詞：四探針，電阻，方阻 GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統(tǒng)（包含薄膜，塊體功能）是為了更方便的研究在高溫條件下的半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能，該系統(tǒng)可以實現(xiàn)在高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴散層和離子層的方塊電阻及測量其他方塊電阻。 二、符合： 1、符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、 2、符合GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》 3、符合美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn) 二、產(chǎn)品應(yīng)用： 1、測試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻； 2、可測柔性材料導(dǎo)電薄膜電阻率/方阻 3、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）電阻率/方阻 4、納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻 5、電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測量 6、可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻 三、主要技術(shù)參數(shù) 溫度范圍：RT-1000℃ 數(shù)據(jù)傳輸：USB 工作濕度：+40 ℃ 時，相對濕度高達(dá) 95%（無冷凝）
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