使其與輸入整流電壓同相位，平均電流法的電流環(huán)調(diào)節(jié)輸入電流平均值。接近正弦波形。輸入電流信號被直接檢測高壓無線核相器，與基準(zhǔn)電流比較后．其高頻分量的變化通過電流誤差放大器，被平均化處理。放大后的平均電流誤差與鋸齒波斜坡比較后高壓無線核相器的熱應(yīng)力，給開關(guān)Tr驅(qū)動信號，并決定其占空比，從而迅速而地校正電流誤差。由于電流環(huán)具有較高的增益一帶寬(gain-banelwidth使跟蹤誤差產(chǎn)生的畸變小于1％，容易實現(xiàn)接近于1功率因數(shù)。校正后的輸入電壓Vi電流ii波形如圖2所示。

　　完成以下功能：處理鍵盤輸入數(shù)值，包括電路預(yù)定值和"+""-"步進(jìn)；控制數(shù)LCD顯示預(yù)定值和實際值；控制ADC和DA C;根據(jù)得到反饋信號通過程序控制算法進(jìn)行偏差值補(bǔ)償。由于運(yùn)放OPA 549一路受D/A 轉(zhuǎn)換器控制高壓無線核相器，調(diào)整運(yùn)放OPA 549輸入端電壓，一路為比例放大電路。當(dāng)DA C輸出預(yù)定值或步進(jìn)值后，電流源的輸出在0~8A范圍內(nèi)變化。輸出電壓經(jīng)與負(fù)載串聯(lián)的小電阻采樣后，送入ADC,以單片機(jī)為核心。采樣值與預(yù)定值在單片機(jī)內(nèi)部進(jìn)行計算、比較輸出控制信號，對偏差值進(jìn)行補(bǔ)償。利用軟件調(diào)整系統(tǒng)的非線性，以降低實測值與設(shè)定值之間的偏差。

　　1.2電源電路設(shè)計

　　1數(shù)控部分核心

　　與D/A 轉(zhuǎn)換器和A/D轉(zhuǎn)換器控制輸出電流。A/D轉(zhuǎn)換器的基準(zhǔn)電壓由專門±9V電源供電，D/A 轉(zhuǎn)換器的基準(zhǔn)電壓由+20V電源供電，由單片機(jī)送出數(shù)據(jù)經(jīng)DA C轉(zhuǎn)換輸出控制電壓。從圖3軟啟動效果圖可以看出，恒定電壓、電流、功率的模式下工作時，系統(tǒng)開機(jī)過程超調(diào)量很小，有效地控制了啟動過程，防止了啟動過程產(chǎn)生過大的擾動電壓，產(chǎn)生過大的功率，有效地保護(hù)了負(fù)載。采用單C8051F,控制數(shù)控直流源的鍵盤和顯示。

　　3實驗結(jié)果

　　易產(chǎn)生噪聲高壓無線核相器，這種隨機(jī)噪聲也會對輸出電流產(chǎn)生一定的影響。為減弱這種噪聲，各個模塊分別供電，以減少交叉干擾，同時在電路板上多加裝去耦濾波電容，減小干擾的影響，同時OPA 549能有效地抑制紋波。影響電源穩(wěn)定性的因素很多，如負(fù)載的變化、取樣電阻的變化、A/DD/A 影響等。如圖4所示，不同負(fù)載的情況下，電源誤差不同。10W負(fù)載，由于功率較低，電壓、電流增加時，誤差變化也較小。35W負(fù)載，由于功率較大，工作電流的變化范圍比較大，功耗較大，電源的誤差變化相應(yīng)地也比較大。如圖5,由于輸出電流達(dá)到8A,對電源的功率要求較高。10W20W和35W負(fù)載時高壓無線核相器的供電質(zhì)量，工作狀態(tài)穩(wěn)定，能夠滿足大電流、大功率的需要。常用的大功率可控開關(guān)管主要有大功率雙極型晶體管(GP大功率電力場效應(yīng)管(MOSFET和IGBT等。GP主要缺點是開通關(guān)閉時間長、開關(guān)功耗大、工作頻率低、熱穩(wěn)定性差、容易損壞。MOSFET主要缺點是管子導(dǎo)通時通態(tài)壓降比較大、管子功率損耗大。絕緣柵雙極晶體管IGBTIsolatGateBipolarTransistor集GP和MOSFET優(yōu)點于一身，既具有通態(tài)電壓低、耐高壓、承受電流大、功率損耗低的特點高壓無線核相器，又具有輸出阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好的特點。因此，IGBT具有廣闊的工程應(yīng)用前景。