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半導體行業(yè)碳化硅長晶爐應用案例

時間:2025/2/11閱讀:1569
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物理氣相傳輸法(PVT)是制備碳化硅(SiC)晶體的主流方法之一,PVT法生長SiC單晶,溫度高達2300℃,生長過程需嚴格控制生長溫度梯度,其溫度控制系統(tǒng)為閉環(huán)控制,由紅外測溫儀、溫控器、加熱電源以及加熱器(感應線圈)組成。

系統(tǒng)框圖:

圖片1.png

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1、AI-8x9系列

2、AI-MODBUS-TCP1-24VDC

成功應用于國內(nèi)某半導體裝備制造頭部企業(yè)碳化硅長晶爐,該系統(tǒng)溫度的精確控制,儀表兼容多類型輸入/輸出規(guī)格,具備可調(diào)的控制周期及報警功能,通訊兼容RS485及RS232,且可匹配外部TCP模塊實現(xiàn)MODBUS-TCP便捷通訊。

溫度控制效果:

圖片2.png

圖片3.png

圖片4.png

溫度控制效果:溫度波動≤±0.5℃@2200℃,溫度超調(diào)、穩(wěn)定時間等指標均與英國競品水平相當,經(jīng)終端客戶驗證,可平替國外競品,成功實現(xiàn)國產(chǎn)替代。



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