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真空蒸鍍與膜厚測量儀測膜厚的實時監(jiān)控原理

時間:2019/4/25閱讀:1257
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   真空蒸鍍與膜厚測量儀測膜厚的實時監(jiān)控原理
  膜厚測量儀中薄膜的聲阻抗和密度是進行膜厚計算的關鍵參數(shù)。對于國內外公司生產(chǎn)的膜厚測量儀的軟件中已經(jīng)具備一定數(shù)量材料的薄膜密度和聲阻抗,但主要是金屬和金屬化合物等無機材料,缺乏常用的有機半導體材料的參數(shù),同時這方面數(shù)據(jù)也很難查到,基于以上事實特進行研究。可先假定使用一套已有數(shù)據(jù),然后將測得膜厚與膜厚儀顯示的膜厚進行比較,通過數(shù)學軟件計算可以確定具體值。
  真空蒸鍍與膜厚實時監(jiān)控原理:
  真空蒸發(fā)鍍膜法(簡稱真空蒸鍍)是在真空室中,加熱蒸發(fā)容器中待形成薄膜的原材料,使其原子或分子從表面氣化逸出,形成蒸汽流,入射到固體(稱為襯底或基片)表面,凝結形成固態(tài)薄膜的一種工藝。真空蒸發(fā)沉積技術屬于物理氣相沉積的一種。蒸發(fā)源是蒸發(fā)裝置的關鍵部件,根據(jù)蒸發(fā)源不同,真空蒸發(fā)鍍膜法又可以分為電子束蒸發(fā)源蒸鍍法、電阻蒸發(fā)源蒸鍍法、高頻感應蒸發(fā)源蒸鍍法、激光束蒸發(fā)源蒸鍍法等。
  采用的是電阻蒸發(fā)源蒸鍍法。在蒸鍍薄膜時,在真空腔內安裝有膜厚儀探頭,時刻將腔室內薄膜生長速率、薄膜沉積的厚度反映出來。膜厚測量儀測量膜厚及生長速率采用的是晶體振蕩原理。晶體振蕩器是根據(jù)晶體的固有振蕩頻率隨其質量而變化的特性制造的。晶體的諧振基頻與晶體厚度t有如下關系:
  J==v/A=v/2t;
  式中,是在厚度t方向上波長為A的彈性橫波的傳播速度。如果在晶體上沉積一層薄膜,其密度為D,厚度為A,只要Af足夠小,則膜本身的彈性尚未起作用,其總體性能仍接近于晶體本身的彈性,因而可以認為晶體增加了厚度(Df/D)Af,其中D為晶體的密度。

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