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非飽和高壓加速老化試驗(yàn)機(jī)HAST

  • 非飽和高壓加速老化試驗(yàn)機(jī)HAST
  • 非飽和高壓加速老化試驗(yàn)機(jī)HAST
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  • 非飽和高壓加速老化試驗(yàn)機(jī)HAST
參考價(jià)¥60000-¥123000/臺
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

參考價(jià):¥60000 ~ ¥123000

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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產(chǎn)地 國產(chǎn) 加工定制 否
適用領(lǐng)域 化工
非飽和高壓加速老化試驗(yàn)機(jī)HAST
非飽和HAST加速老化試驗(yàn)機(jī)(Highly Accelerated Stress Test)專為半導(dǎo)體行業(yè)可靠性驗(yàn)證設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)飽和PCT蒸煮設(shè)備不同,該設(shè)備采用溫度、濕度、壓力三參數(shù)獨(dú)立閉環(huán)調(diào)控方式,實(shí)現(xiàn)無凝露非飽和濕熱高壓環(huán)境,用于加速半導(dǎo)體封裝濕氣滲透、金屬離子遷移、塑封界面分層、絕緣層腐蝕等潛在失效模式的暴露,可縮短芯片老化驗(yàn)證周期。

非飽和高壓加速老化試驗(yàn)機(jī)HAST


一、產(chǎn)品概述

皓天鑫非飽和HAST加速老化試驗(yàn)機(jī)(Highly Accelerated Stress Test)專為半導(dǎo)體行業(yè)可靠性驗(yàn)證設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)飽和PCT蒸煮設(shè)備不同,該設(shè)備采用溫度、濕度、壓力三參數(shù)獨(dú)立閉環(huán)調(diào)控方式,實(shí)現(xiàn)無凝露非飽和濕熱高壓環(huán)境,用于加速半導(dǎo)體封裝濕氣滲透、金屬離子遷移、塑封界面分層、絕緣層腐蝕等潛在失效模式的暴露,可縮短芯片老化驗(yàn)證周期。設(shè)備適用于晶圓封測、功率半導(dǎo)體、車規(guī)IC、MEMS器件研發(fā)、來料質(zhì)檢及第三方檢測實(shí)驗(yàn)室等場景。

常規(guī)雙85濕熱老化試驗(yàn)(85℃/85%RH)需持續(xù)數(shù)千小時(shí),使用非飽和HAST設(shè)備可在較短時(shí)間內(nèi)完成等效加速測試,滿足半導(dǎo)體新品迭代及車規(guī)AEC-Q100可靠性認(rèn)證的時(shí)效要求。設(shè)備符合JEDEC、GB/T、IEC等相關(guān)測試標(biāo)準(zhǔn),數(shù)據(jù)具備可溯源性,可適應(yīng)CNAS、CMA實(shí)驗(yàn)室審核要求。

非飽和高壓加速老化試驗(yàn)機(jī)HAST



非飽和高壓加速老化試驗(yàn)機(jī)HAST



二、半導(dǎo)體行業(yè)核心應(yīng)用場景

1. 集成電路IC封裝失效分析

  • 塑封芯片濕氣敏感性分級(MSL)測試,驗(yàn)證封裝膠體與引腳界面的密封性能

  • 檢測封裝分層、氣泡、引線框架腐蝕、金線氧化、內(nèi)部漏電等失效模式

  • 無偏壓/帶電偏壓HAST老化,復(fù)現(xiàn)芯片通電濕熱工況下的漏電、短路等故障

2. 車規(guī)功率半導(dǎo)體可靠性驗(yàn)證

  • IGBT、MOSFET、SiC碳化硅器件、車載驅(qū)動(dòng)芯片的高壓濕熱加速老化,滿足AEC-Q100車規(guī)認(rèn)證要求

  • 模擬車載高低溫高濕、晝夜溫差變化條件下的濕氣侵入工況

3. 精密半導(dǎo)體元器件測試

  • MEMS傳感器、光電芯片、存儲芯片、半導(dǎo)體分立器件、晶振、連接器的防潮耐老化分析

  • PCB載板、半導(dǎo)體封裝基板的絕緣耐濕性能檢測

4. 生產(chǎn)質(zhì)檢與研發(fā)工藝優(yōu)化

  • 研發(fā)端:封裝膠水、塑封料、焊料、鈍化膜材料的耐濕熱性能對比篩選

  • 產(chǎn)線QC:批量成品可靠性抽檢,快速識別封裝工藝不良品

  • 第三方檢測機(jī)構(gòu):出具合規(guī)HAST老化檢測報(bào)告,用于產(chǎn)品認(rèn)證與供應(yīng)鏈準(zhǔn)入



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