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閱讀：83發(fā)布時(shí)間：2025-1-23
高密度硅電容器采用半導(dǎo)體MOS工藝開發(fā)，并使用3D結(jié)構(gòu)來(lái)大幅增加電極表面，因此在給定的占位面積內(nèi)增加了靜電容量。硅技術(shù)以嵌入非結(jié)晶基板的單片結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)（單層MIM和多層MIM—MIM是指金屬 / 絕緣體 / 金屬）。
更小的封裝，更高的性能
這種的3D拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可在驚人的100µm厚度內(nèi)，使開發(fā)的有效靜電容量面積相當(dāng)于80個(gè)陶瓷層（可視需求提供更低值）。由于使用非常線性和低色散的電介質(zhì)，小型化、靜電容量值和電氣性能實(shí)現(xiàn)了優(yōu)化。
可靠性高達(dá)MLCC電容器技術(shù)的10倍
硅電容器與半導(dǎo)體MOS工藝源自相同的DNA，具有以經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的一致性數(shù)據(jù)建立的全模塊默認(rèn)模型，因此提供了可預(yù)測(cè)、極為可靠的性能。相較于其他電容器技術(shù)，硅電容器技術(shù)在可靠性方面提高了10倍，這主要得益于在高溫固化過(guò)程中生成的氧化物。此外，所有的電氣測(cè)試都在生產(chǎn)步驟結(jié)束時(shí)完成，這就避免了早期故障。
Sicap與MLCC和Ta cap的對(duì)比
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