宸遠科電子有限公司
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閱讀：18發(fā)布時間：2026-6-29
村田開始量產(chǎn)市面1210英寸（3.2×2.5mm）尺寸、額定電壓1.25kV、具備C0G特性的15nF多層片式陶瓷電容器
株式會社村田制作所（以下簡稱“村田"）初次開發(fā)(1)并開始量產(chǎn)了1210英寸（3.2×2.5mm）尺寸、額定電壓1.25kV、具備C0G特性的、15nF靜電容量的多層片式陶瓷電容器（以下簡稱“本產(chǎn)品"）。該產(chǎn)品可用于車載充電器（OBC）(2)及高性能民用電子設(shè)備的電源電路，有助于實現(xiàn)高效率的電力變換，并在高電壓條件下穩(wěn)定運行。
(1)由村田調(diào)查得出。截至2025年12月1日。
(2)車載充電器（OBC）：安裝于電動汽車（EV）上，從外部電源為車載電池充電的裝置。
在電動汽車搭載的車載充電器以及民用設(shè)備的電源電路中，通常會包含用于高效電力變換的諧振電路，以及用于遏制電流、電壓峰值的緩沖（吸收）電路。由于這兩類電路中高電壓與大電流反復(fù)作用，元件性能的輕微變化就可能導(dǎo)致效率下降、設(shè)備發(fā)熱，進而可能引發(fā)工作異?；蚬收?。因此，市場亟需具備在溫度變化下性能穩(wěn)定、損耗低且能承受高電壓的電容器。
近年來，電源電路中的開關(guān)器件(3)正從Si MOSFET(4)向能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率與高速開關(guān)的SiC MOSFET轉(zhuǎn)移。SiC MOSFET(5)通常要求1.2kV的耐壓規(guī)格，因此對額定電壓高于該水平的電容器需求在增加。
(3)開關(guān)器件：以高速對電流進行通斷控制，實現(xiàn)電壓與頻率變換的半導(dǎo)體器件。
(4)Si MOSFET：采用硅半導(dǎo)體的電力控制用開關(guān)器件。多用于低至中耐壓場景。
(5)SiC MOSFET：采用碳化硅的高耐壓、高效率電力控制用開關(guān)器件。多用于超過1.2kV的場景。
為此，村田通過的陶瓷素體與內(nèi)部電極薄層化技術(shù)，在1210英寸尺寸實現(xiàn)了額定電壓1.25kV、具備C0G特性、靜電容量為15nF的本產(chǎn)品，并已開始量產(chǎn)。借助C0G特性的低損耗及電容隨溫度變化的穩(wěn)定性，本產(chǎn)品適用于諧振電路與緩沖（吸收）電路。
今后，村田將繼續(xù)推進多層片式陶瓷電容器的小型化、電容值擴展以及額定電壓的提高，擴充產(chǎn)品陣容以滿足市場需求，從而助力電子設(shè)備的小型化、高性能化與多功能化。同時，村田將通過在MLCC制造過程中更有效地利用天然資源、減少廢棄物并推進循環(huán)利用等舉措，以降低環(huán)境負荷。
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