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行業(yè)產(chǎn)品

  • 行業(yè)產(chǎn)品

邁浦特機(jī)械(四川)有限公司


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碳化硅功率器件測試用高低溫一體機(jī)

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參   考   價(jià): ¥ 85000

訂  貨  量: ≥1 臺

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號

品       牌邁浦特MAIPT

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地蘇州市

聯(lián)系方式:馬斌查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2025-10-27 09:48:55瀏覽次數(shù):189次

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經(jīng)營模式:生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品:196條

所在地區(qū):四川成都市

聯(lián)系人:馬斌 (銷售經(jīng)理)

產(chǎn)品簡介

碳化硅功率器件測試用高低溫一體機(jī)(適配碳化硅 MOSFET、IGBT、二極管等功率器件,覆蓋低溫特性測試、高溫功率循環(huán)、冷熱沖擊、長期可靠性測試,控溫范圍 - 60℃-250℃,控溫精度 ±0.1℃,溫變速率 0.5-15℃/min 可調(diào),測試艙容積 50-500L,支持 1-8 通道器件同步測試,符合 JEDEC JESD22-A104、A108 測試標(biāo)準(zhǔn))是碳化硅功率器件。

詳細(xì)介紹

一、產(chǎn)品簡介
碳化硅功率器件測試用高低溫一體機(jī)(適配碳化硅 MOSFET、IGBT、二極管等功率器件,覆蓋低溫特性測試、高溫功率循環(huán)、冷熱沖擊、長期可靠性測試,控溫范圍 - 60℃-250℃,控溫精度 ±0.1℃,溫變速率 0.5-15℃/min 可調(diào),測試艙容積 50-500L,支持 1-8 通道器件同步測試,符合 JEDEC JESD22-A104、A108 測試標(biāo)準(zhǔn))是碳化硅功率器件 “性能驗(yàn)證 + 可靠性評估 + 惡劣工況適配" 的核心測試設(shè)備。其核心價(jià)值在于解決三大行業(yè)痛點(diǎn):
  1. 寬溫域精準(zhǔn)控溫:碳化硅器件需模擬 - 55℃(工業(yè)低溫環(huán)境)與 175℃(高溫運(yùn)行工況),傳統(tǒng)設(shè)備溫場均勻性差(艙內(nèi)溫差超 ±2℃),導(dǎo)致器件閾值電壓測試偏差超 5%,本設(shè)備通過多維度氣流設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)艙內(nèi)任意點(diǎn)溫差≤±1℃,器件表面溫差≤±0.5℃,測試數(shù)據(jù)重復(fù)性≥99.5%;

  1. 快速溫變與循環(huán):JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)要求功率循環(huán)測試需完成 1000 次冷熱循環(huán)(單次循環(huán) 10min,累計(jì) 10000min),傳統(tǒng)設(shè)備單循環(huán)耗時(shí) 15min,本設(shè)備溫變速率達(dá) 15℃/min(從 - 55℃至 175℃僅需 15min),循環(huán)效率提升 33%,縮短測試周期;

  1. 低電磁干擾:碳化硅器件測試需高精度電參數(shù)測量(如漏電流、導(dǎo)通電阻),傳統(tǒng)設(shè)備電磁輻射超 50dBμV/m,干擾測試儀器(誤差超 10%),本設(shè)備采用全金屬屏蔽艙體 + EMC 濾波設(shè)計(jì),電磁輻射≤30dBμV/m,滿足 Class A 電磁兼容要求。

設(shè)備連續(xù)運(yùn)行壽命≥18000h,直接決定碳化硅器件測試通過率(溫場不均使測試失敗率從 8% 升至 22%)、研發(fā)周期(測試效率低使研發(fā)周期延長 40%)與產(chǎn)品可靠性(測試數(shù)據(jù)失真導(dǎo)致戶外壽命評估偏差超 25%),廣泛服務(wù)于英飛凌、意法半導(dǎo)體、比亞迪半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)等企業(yè)及第三方檢測機(jī)構(gòu)。
二、應(yīng)用場景
  1. 1.英飛凌碳化硅 MOSFET 研發(fā)測試

適配英飛凌 1200V/200A 碳化硅 MOSFET 研發(fā)實(shí)驗(yàn)室,高低溫一體機(jī)通過 JEDEC A104 標(biāo)準(zhǔn) - 55℃-175℃冷熱沖擊測試(1000 次循環(huán)),器件表面溫差≤±0.5℃,測試后導(dǎo)通電阻變化率僅 8%,漏電流 3μA,研發(fā)周期從 18 個(gè)月縮短至 12 個(gè)月,新品上市時(shí)間提前 6 個(gè)月,年新增銷售額超 3 億元。
  1. 2.斯達(dá)半導(dǎo)碳化硅二極管檢測

服務(wù)斯達(dá)半導(dǎo) 650V/100A 碳化硅二極管生產(chǎn)線,設(shè)備以 - 60℃-25℃梯度低溫測試,每 10℃停留 20 分鐘測量電參數(shù),測試誤差≤2%,二極管反向擊穿電壓一致性提升 15%,合格率從 95% 提升至 99.8%,年減少不良品損失 200 萬元。
  1. 3.比亞迪半導(dǎo)體 IGBT 模塊可靠性驗(yàn)證

針對比亞迪半導(dǎo)體 1700V/300A 碳化硅 IGBT 模塊,高低溫一體機(jī)以 150℃恒溫功率循環(huán)測試(10000 次通斷),測試后模塊結(jié)溫變化≤5℃,綁定線脫落率 0.05%,滿足新能源汽車 “15 年 / 30 萬公里" 壽命要求,模塊車規(guī)認(rèn)證通過率提升 25%。




關(guān)鍵詞:標(biāo)準(zhǔn)

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