1. 多維參數(shù)可控
設(shè)備采用相位可控的高功率脈沖技術(shù)，不僅使靶材離化率提升 3 倍以上，更能通過調(diào)節(jié)離子能量（0V~1000V 偏壓）與入射角度，精準(zhǔn)控制薄膜晶體結(jié)構(gòu)、界面結(jié)合力與致密性。搭配 **≤1×10?2Pa 高真空本底 ** 與室溫 - 800℃可調(diào)基底加熱系統(tǒng)，可制備出無針孔、晶粒均勻的高性能薄膜，膜厚均勻性誤差控制在 ±3% 以內(nèi)。
2. 三靶靈活配置，研發(fā)效率倍增
集成三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)靶位（標(biāo)配Ф50mm Au/Ag/Pt 貴金屬靶，支持異質(zhì)靶材定制），無需破真空即可快速切換沉積模式：既能依次濺射形成多層功能膜，也能共濺射制備成分漸變的復(fù)合材料。例如在光電材料研發(fā)中，可通過調(diào)節(jié) Ti、Si、N 靶功率比，實(shí)現(xiàn) TiSiN 抗氧化薄膜的性能優(yōu)化，較傳統(tǒng)單靶方案縮短研發(fā)周期 60%。
3. 智能系統(tǒng)加持，操作安全可靠
搭載全自動 PLC 控制系統(tǒng)與循環(huán)水冷系統(tǒng)，可一鍵完成預(yù)濺射（3min~30min）、沉積等流程，實(shí)時(shí)監(jiān)控真空度、氣體流量（5Sccm~100Sccm）等關(guān)鍵參數(shù)。設(shè)備采用閉合磁場設(shè)計(jì)減少電子損耗，配合脈沖電源抑制電弧放電，確保 300 小時(shí)以上穩(wěn)定運(yùn)行，極大降低薄膜缺陷率。
三、全場景覆蓋：賦能多學(xué)科創(chuàng)新研究
?? 新材料研發(fā)
可制備納米功能薄膜、催化材料與傳感器敏感層，在高熵合金涂層研究中，通過三靶共濺射實(shí)現(xiàn) 5 種以上元素的精準(zhǔn)配比，突破單靶成分調(diào)控局限。
?? 微納電子與光學(xué)
用于半導(dǎo)體器件電極制備、ITO 透明導(dǎo)電膜及光學(xué)濾光片研發(fā)，憑借低缺陷沉積技術(shù)，使器件擊穿電壓提升 40%，光學(xué)透過率達(dá) 95% 以上。
?? 生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域
定制抗菌涂層與生物傳感器界面，通過 Ag 靶與陶瓷靶協(xié)同沉積，實(shí)現(xiàn)薄膜生物相容性與抗菌性的優(yōu)化平衡。
?? 教學(xué)與科研
適配物理、材料等學(xué)科實(shí)驗(yàn)教學(xué)，直觀展示磁控濺射原理，同時(shí)滿足前沿課題需求，如非平衡磁場調(diào)控下的多孔薄膜制備。
四、設(shè)備價(jià)值：實(shí)驗(yàn)室的創(chuàng)新基石
作為國產(chǎn)鍍膜設(shè)備代表，三靶磁控濺射鍍膜儀以 “精準(zhǔn)調(diào)控 + 高效靈活" 的核心優(yōu)勢，打破進(jìn)口設(shè)備技術(shù)壟斷。其緊湊設(shè)計(jì)適配實(shí)驗(yàn)室場景，定制化樣品臺可滿足不同基底尺寸需求，從基礎(chǔ)研究到中試開發(fā)賦能，助力科研人員加速實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破與成果轉(zhuǎn)化。
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