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閱讀：73發(fā)布時(shí)間：2025-10-16
由銦和銻構(gòu)成的重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料。 因?yàn)槠淙埸c(diǎn)低，熔點(diǎn)時(shí)的離解凍小，所以50年代制造了單晶體。
銻化銦( InSb )是一種研究迅速、研究深入的Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料。 其晶體呈銀色脆、閃鋅礦結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)為6.48?，禁帶寬窄：0.18eV，電子遷移率高達(dá)：7800cm2/V·s，可用于紅外探測(cè)器、光磁探測(cè)器和Hall器件的制備。 銻化銦的熔點(diǎn)為525℃，與其他Ⅲ-Ⅴ族化合物相比，生長(zhǎng)單晶提純都非常簡(jiǎn)易，因此多為Ⅲ-Ⅴ族化合物的固體理論研究時(shí)選擇的對(duì)象。
銻化銦InSb單晶電子遷移率高，是非常好的霍爾元件、紅外探測(cè)元件、磁阻元件的襯底材料。 例如，與大氣透過(guò)窗對(duì)應(yīng)的3~5μm頻帶的攝像元件或InSb焦平面陣列元件。 在電荷注入裝置中，銻化銦InSb裝置的位數(shù)已達(dá)到128×128陣列。 3~5μm頻帶的InSb光伏檢測(cè)器，作為傳感器元件構(gòu)成的混合焦平面陣列也大幅發(fā)展，制作元數(shù)多的二維陣列。
銻化銦( InSb )
分子式：InSb
分子量：236.578
熔點(diǎn)：535℃
密度：5.76g/cm3
制備：銻和銦的化合物。金屬銻和銦在高溫熔合而得。具閃鋅礦型結(jié)構(gòu)的晶體。
銻化銦( InSb )霍爾元件
Akm旭化成HW-108A,HW108線性霍爾元件
AKM旭化成HW-102A,HW102A線性霍爾元件
AKM旭化成HW-101A-4T霍爾效應(yīng)元件
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