在芯片失效模擬測(cè)試中，快速溫變?cè)囼?yàn)箱實(shí)現(xiàn)了對(duì)復(fù)雜工況的精準(zhǔn)復(fù)現(xiàn)。針對(duì)車(chē)規(guī)級(jí)芯片，其需承受-40℃至150℃的溫變，設(shè)備通過(guò)±5℃/min的高速溫變速率，模擬芯片在冬季啟動(dòng)、夏季高溫行駛等場(chǎng)景下的溫度沖擊，加速熱應(yīng)力導(dǎo)致的焊點(diǎn)開(kāi)裂、封裝老化等失效過(guò)程，提前識(shí)別潛在風(fēng)險(xiǎn)。對(duì)于A(yíng)I芯片，設(shè)備可精準(zhǔn)控制-20℃至120℃的溫變區(qū)間，匹配數(shù)據(jù)中心晝夜溫差與高負(fù)載發(fā)熱的溫變特性，驗(yàn)證芯片性能穩(wěn)定性。