詳細(xì)摘要： 技術(shù)參數(shù)：1電子槍能量范圍：50eV~5keV
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詳細(xì)摘要： 技術(shù)參數(shù)：1電子槍能量范圍：50eV~5keV
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詳細(xì)摘要： 技術(shù)參數(shù)：1電子槍能量范圍：100eV~10keV
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詳細(xì)摘要： 技術(shù)參數(shù)：1電子槍能量范圍：100eV~10keV
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詳細(xì)摘要： 技術(shù)參數(shù)：1電子槍能量范圍：5eV～1keV
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詳細(xì)摘要： 技術(shù)參數(shù)：1能量范圍:100eV~5000eV
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詳細(xì)摘要： 技術(shù)參數(shù)：1電子槍能量范圍：50eV~1500eV
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詳細(xì)摘要： 技術(shù)參數(shù)：1電子槍能量范圍：1eV~2keV
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詳細(xì)摘要： 技術(shù)參數(shù)：1電子槍能量范圍：5eV~1000eV
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詳細(xì)摘要： 規(guī)格參數(shù)：1材質(zhì)：316L，全金屬密封設(shè)計(jì)
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詳細(xì)摘要： CIGS薄膜太陽能電池具有光吸收能力強(qiáng)，發(fā)電穩(wěn)定性好、轉(zhuǎn)化效率高，白天發(fā)電時間長、發(fā)電量高、生產(chǎn)成本低以及能源回收周期短等諸多優(yōu)勢，已成為新型太陽能電池的熱點(diǎn)發(fā)...
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詳細(xì)摘要： 矽碁還專為客戶定制過性價比的PECVD與RIE聯(lián)合系統(tǒng)，該聯(lián)合系統(tǒng)采用統(tǒng)一的真空氣路及電控系統(tǒng)，在實(shí)現(xiàn)多功能的前提下有效節(jié)省成本
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詳細(xì)摘要： 矽碁科技利用PEALD和PECVD各自鍍膜的特點(diǎn)為用戶開發(fā)了PECVDPEALD聯(lián)合鍍膜系統(tǒng)，用于半導(dǎo)體工藝中的薄膜封裝
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詳細(xì)摘要： 熱絲輔助化學(xué)氣相沉積(HotWireAssistedChemicalVaporDeposition,HWCVD)是指在加熱絲輔助的條件下進(jìn)行薄膜化學(xué)氣相沉積，適...
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詳細(xì)摘要： 等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）
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詳細(xì)摘要： 特殊的腔體設(shè)計(jì)和工藝設(shè)計(jì)，可以使得ALD技術(shù)應(yīng)用于工業(yè)量產(chǎn)，并且可以提高鍍膜效率
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詳細(xì)摘要： 電感耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(ICPChemicalVaporDeposition,ICPVD)利用ICP線圈將反應(yīng)氣體高度離化，是的CVD可以在高溫下...
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