Langmuir 吸附等溫方程――Langmuir 比表面（1） Langmuir 理論模型
吸附劑的表面是均勻的，各吸附中心的能量相同；
吸附粒子間的相互作用可以忽略；
吸附粒子與空的吸附中心碰撞才有可能被吸附，一個吸附粒子只
占據(jù)一個吸附中心，吸附是單層的，定位的；
在一定條件下，吸附速率與脫附速率相等，達到吸附平衡。
（2） 等溫方程
吸附速率：
ra∝(1-θ)P ra=ka(1-θ)P
脫附速率rd∝θ rd=kdθ
達到吸附平衡時：ka(1-θ)P=kdθ
其中，θ=Va/Vm（Va―氣體吸附質(zhì)的吸附量；Vm--單分子層飽和吸附容量，mol/g），為吸附劑表面被氣體分子覆蓋的分數(shù)，即覆蓋度。
設(shè)B= ka/kd ，則：θ= Va/Vm=BP/（1+BP），
整理可得：
P/V = P/ Vm+ 1/BVm
以P/V～P作圖，為一直線，根據(jù)斜率和截距，可以求出B和Vm值（斜率的倒數(shù)為Vm），因此吸附劑具有的比表面積為：
Sg=Vm·A·σm
A— Avogadro常數(shù) (6.023x1023/mol)
σm— 一個吸附質(zhì)分子截面積(N2為 16.2x10-20m2)，即每個氮氣分子在吸附劑表面上所占面積。
本公式應(yīng)用于：含純微孔的物質(zhì)；化學(xué)吸附。
