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深圳市世紀(jì)天源儀器有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第6年

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降低CAF離子遷移風(fēng)險(xiǎn)的工藝改進(jìn)措施與測(cè)試驗(yàn)證

時(shí)間:2026/9/15閱讀:45
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  針對(duì)PCB生產(chǎn)全流程實(shí)施針對(duì)性工藝改進(jìn),可有效降低CAF離子遷移的發(fā)生概率,而配套的測(cè)試驗(yàn)證環(huán)節(jié),能確保改進(jìn)措施的實(shí)際效果落地,形成從工藝優(yōu)化到效果確認(rèn)的完整閉環(huán)。


離子遷移.png



  首先是層壓工藝的優(yōu)化調(diào)整。通過(guò)調(diào)整半固化片的預(yù)熱溫度、升溫速率和保溫時(shí)長(zhǎng),保證樹(shù)脂充分流動(dòng),填充玻纖束之間的微小空隙,減少玻纖與樹(shù)脂界面的裸露通道。同時(shí)適當(dāng)延長(zhǎng)高溫保溫階段的時(shí)長(zhǎng),提升樹(shù)脂的交聯(lián)密度,降低板材的整體吸水率,從基材內(nèi)部切斷水汽滲透的快速路徑。改進(jìn)后需通過(guò)切片分析確認(rèn)半固化片內(nèi)部無(wú)明顯空隙,再進(jìn)入后續(xù)CAF測(cè)試驗(yàn)證環(huán)節(jié)。

  其次是鉆孔與金屬化工藝的優(yōu)化。調(diào)整鉆孔的進(jìn)給速度與主軸轉(zhuǎn)速,減少孔壁周邊的基材裂紋與玻纖凸起,降低孔壁與介質(zhì)層之間的微間隙生成概率。在沉銅電鍍環(huán)節(jié),優(yōu)化藥水組分與電流參數(shù),保證孔壁銅層均勻完整,避免局部銅層厚度不足引發(fā)的早期氧化,減少可遷移銅離子的來(lái)源。工藝調(diào)整后需通過(guò)金相切片檢查孔壁質(zhì)量,再開(kāi)展CAF測(cè)試驗(yàn)證。

  第三是阻焊與表面處理工藝的優(yōu)化。嚴(yán)格控制阻焊油墨的固化溫度與時(shí)長(zhǎng),避免阻焊層出現(xiàn)局部固化不足的情況,減少板面污染物與水汽的附著通道。表面處理環(huán)節(jié)選擇有機(jī)保焊膜等低離子殘留的工藝,降低板面可遷移離子的含量,避免額外引入加速離子遷移的雜質(zhì)。

  所有工藝改進(jìn)完成后,需按照標(biāo)準(zhǔn)CAF離子遷移測(cè)試條件開(kāi)展驗(yàn)證,對(duì)比改進(jìn)前后的失效時(shí)長(zhǎng)與絕緣電阻變化曲線,確認(rèn)改進(jìn)措施確實(shí)提升了板材的抗CAF性能,避免僅靠理論優(yōu)化卻無(wú)法落地的情況。

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