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閱讀：129發(fā)布時(shí)間：2025-10-31
多晶硅還原爐是生產(chǎn)多晶硅的核心設(shè)備，現(xiàn)有技術(shù)中的多晶硅還原爐多采用鐘形殼體和平板式底盤構(gòu)成殼體，在平板式底盤上安裝電極和硅芯，多根硅芯共處于鐘形殼體內(nèi)與原料氣反應(yīng)，采用這種結(jié)構(gòu)的多晶硅還原爐工作時(shí)爐體內(nèi)溫度分布不均勻，靠近鐘形殼體冷卻壁處的溫度較低，而位于鐘形殼體中心處的溫度較高，因此，容易造成硅芯的生長速度不一致，所生產(chǎn)出的多晶硅純度和質(zhì)量欠佳，不能達(dá)到電子級(jí)多晶硅的要求。如若在多晶硅底盤處安裝紅外熱像儀可以隨時(shí)監(jiān)控多晶硅還原爐底部的溫度分布狀況，對(duì)于溫度不均衡的地方，采取改變溫度不均衡地區(qū)的液體的流速，使得多晶硅還原爐內(nèi)的溫度均勻，各硅芯生長速度一致型號(hào)，所生產(chǎn)的多晶硅純度高、質(zhì)量好。
目前多晶硅底盤在前期生產(chǎn)過程中并沒有安裝紅外熱像儀，對(duì)于老型號(hào)的多晶硅還原爐可采用以下兩種方式，1.打開還原爐底部，直接對(duì)底部通循環(huán)液，對(duì)通過循環(huán)液的溫度狀況進(jìn)行分析。缺點(diǎn)：不能在生產(chǎn)過程中的測(cè)試，使得數(shù)據(jù)不具有參考性，可能在實(shí)際生產(chǎn)中會(huì)受其他因素的影響，使得實(shí)際的還原爐底盤的溫度和紅外熱像儀看到的有差距。2.在還原爐上方開口測(cè)量。這時(shí)對(duì)紅外熱像儀的防護(hù)性能有更高的要求，需要紅外熱像儀的高溫條件下，測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確以及穩(wěn)定，外殼的防護(hù)性能也做一定要求，耐高溫高潮濕條件，優(yōu)點(diǎn)是測(cè)試的數(shù)據(jù)準(zhǔn)確。
在多晶硅生產(chǎn)中，該客戶的還原爐爐底的溫度范圍為135-150攝氏度之間，需要的精度在0.5以內(nèi)，精度更高為好，所以我們?cè)谶x擇紅外熱像儀時(shí)可以要求紅外熱像儀的測(cè)溫段為135-150攝氏度，這樣只在這個(gè)溫度范圍內(nèi)的成像，細(xì)節(jié)會(huì)更加全面清晰。格物優(yōu)信X系列紅外熱像儀成像質(zhì)量清晰，可設(shè)置溫度監(jiān)控范圍，（推薦選用640*480分辨率，可以看清更多細(xì)節(jié)）細(xì)微差別的溫度可以在圖像上清晰的顯示，根據(jù)所拍攝的數(shù)據(jù)對(duì)還原爐或者物質(zhì)做調(diào)整，可以提高多晶硅生產(chǎn)質(zhì)量。
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