IC693MDL930E GE模塊

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與硅相比，氮化鎵仍是一種相對較新的半導(dǎo)體材料，有時成本略高一些。盡管如此，其前景十分廣闊。Buchstaller預(yù)測：“氮化鎵材料性能優(yōu)異，生產(chǎn)過程中，它在半導(dǎo)體晶圓上占用的空間更少。長遠(yuǎn)來看，它的成本講降到比硅的成本更低。”

西門子免費提供Tapas，它性能數(shù)據(jù)令人驚嘆。它們不僅比傳統(tǒng)變頻器的適用范圍更廣，而且失真極小，動態(tài)反應(yīng)速度高達(dá)常規(guī)系統(tǒng)的10到50倍，外型亦更緊湊。因此，它們十分適用于要求高精度和高速度的機器人應(yīng)用。然而，Tapas變頻器的應(yīng)用范圍遠(yuǎn)比這更廣闊，譬如，它也可用于無線充電、3D打印、LED和激光技術(shù)等。

面向開發(fā)人員開放源代碼

創(chuàng)新的靈活變頻技術(shù)的實現(xiàn)，不只靠采用氮化鎵材料。新的軟件、高速信號處理器和特種高性能濾波器等，也有助于發(fā)揮氮化鎵材料的潛力，提高靈活度。

僅需修改軟件即可對通用型變頻器進(jìn)行調(diào)整，因此，西門子將這種新設(shè)備稱為“軟件定義的變頻器（SDI）”。在一定限度內(nèi)，這種全新的變頻器更像是理想的放大器，而不是傳統(tǒng)的高功率電子系統(tǒng)。此外，這些設(shè)備的潛在應(yīng)用范圍極為廣闊，西門子僅憑一己之力難以遍涉，因此，西門子決定向公眾提供這項技術(shù)。

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