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技術文章

真空濺射靶材

閱讀:187發(fā)布時間:2024-7-22

濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高,一般要求如,尺寸、平整度、純度、各項雜質(zhì)含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制;較高要求或特殊要求包含:表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物(氧化物)含量與尺寸、導磁率、超高密度與超細晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的物理氣相鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上,使其被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬,合金,陶瓷化合物等。

濺射技術作為薄膜材料制備的主流工藝,其應用領域廣泛,如平面顯示、集成電路半導體、太陽能電池、信息存儲、工具改性、光學鍍膜、電子器件、高檔裝飾用品等行業(yè)。20世紀90年代以來,隨著消費電子等終端應用市場的高速發(fā)展,高性能濺射靶材的市場規(guī)模日益擴大,呈現(xiàn)高速增長的勢頭。據(jù)西南證券統(tǒng)計及預測,2013-2020年,濺射靶材市場規(guī)模將從75.6億美元上升至195.63億美元,年復合增速為14.42%。預計2021年濺射靶材市場規(guī)模將達213億美元。主要增長點包括平面顯示、集成電路半導體、太陽能電池以及記錄媒體等領域。


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