青島佳鼎分析儀器有限公司
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閱讀：572發(fā)布時間：2024-7-18
集成電路工藝主要包括如下幾點內(nèi)容：圖形轉(zhuǎn)換，摻雜，制膜。
1.1 圖形轉(zhuǎn)換：光刻技術(shù)。
光刻三要素：光刻膠、掩膜版和光刻機。
光刻膠：又稱光致抗蝕劑，受到特定波長光線的作用后，導致其化學結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，使光刻膠在某種特定溶液中的溶解特性改變。
正膠：曝光后可溶，分辨率高，在超大規(guī)模集成電路工藝中，一般只采用正膠。
負膠：曝光后不可溶，分辨率差，適用于加工線寬≥3us的線條。
幾種常見的光刻方法：
超細線條光刻技術(shù)
1.2 圖形轉(zhuǎn)換：刻蝕技術(shù)。
濕法刻蝕：利用液態(tài)化學試劑或溶液通過化學反應(yīng)進行刻蝕的方法。
干法刻蝕：利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基（處于激發(fā)態(tài)的分子、原子及各種原子基團等）與材料發(fā)生化學反應(yīng)或通過轟擊等物理作用而達到刻蝕的目的。
2. 摻雜：將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導體區(qū)域中，以達到改變半導體電學性質(zhì)，形成PN結(jié)、電阻和歐姆接觸。磷或砷形成N型硅，硼形成P型硅。
2.1 擴散
2.2 離子注入：將具有很高能量的雜質(zhì)離子射入半導體襯底中的摻雜技術(shù)，摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量和質(zhì)量決定，摻雜濃度由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目（劑量）決定。
2.3 退火，也叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮氣不活潑氣氛中進行的熱處理過程，稱為退火。退火方式有爐退火，快速退火。
3.1 制模：氧化工藝
制備SiO2層：十分理想的電絕緣材料，化學性質(zhì)非常穩(wěn)定。常作為MOS器件的絕緣柵介質(zhì)，擴散時的掩蔽層，隔離介質(zhì)材料，電容器絕緣介質(zhì)材料，鈍化材料等。
SiO2制備方法：熱氧化法，化學氣相淀積法、熱分解淀積法、濺射法
3.2 制模：化學汽相淀積（CVD），通過氣態(tài)物質(zhì)的化學反應(yīng)在襯底上淀積一層薄膜材料的過程。
方法：常壓化學汽相淀積；低壓化學汽相淀積；等離子增強化學汽相淀積。
舉例1：單晶硅的化學汽相淀積（外延）：一般，將在襯底上生產(chǎn)單晶材料的工藝叫做外延，生長有外延層的晶體片叫做外延片。
舉例2：二氧化硅的化學汽相淀積：可以作為金屬化時的介質(zhì)層，還可以作為離子注入或擴散的掩蔽膜。
3.3 制模：物理汽相淀積（PVD）
蒸發(fā)：真空系統(tǒng)中，金屬原子獲得足夠能量后，便可以脫離表面的束縛成為蒸汽原子，淀積在晶片上。
濺射：真空系統(tǒng)中充入惰性氣體，在高壓電場作用下，氣體放電形成的離子被強電場加速，轟擊靶材料，使靶原子逸出并被濺射到晶片上。
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