臺(tái)式X熒光光譜儀主要包括光源、激發(fā)單色器、樣品池、熒光單色器及探測(cè)器等主要部件。而探測(cè)器是很重要的一環(huán)，它的重要作用是接受和分辨信號(hào)，由于探測(cè)器性能的不同，在選用探測(cè)器時(shí)，就需要綜合考慮多種因素。

好的探測(cè)器不僅需要具有高分辨率和高計(jì)數(shù)率，還需要有較寬的元素分析范圍和有效活性區(qū)。其應(yīng)用領(lǐng)域和使用環(huán)境等也是需要關(guān)注之一。

就目前X熒光光譜儀常用的三種X射線探測(cè)器而言，產(chǎn)生一個(gè)離子對(duì)的平均能量，在Si(Li）探測(cè)器、流氣式正比計(jì)數(shù)器、閃爍計(jì)數(shù)器之間大約相差一個(gè)量級(jí)，而分辨率與統(tǒng)一個(gè)光子產(chǎn)生的電子數(shù)的平方根成正比，故三者之間的分辨率也粗略相差三倍。由人射光子在探測(cè)器中產(chǎn)生的等價(jià)離子對(duì)數(shù)目與人射光子能量成正比，與產(chǎn)生離子對(duì)的平均能量成反比。

三種X射線探測(cè)器的比較：

1、流氣式正比計(jì)數(shù)器適用波長(zhǎng)范圍0.15～5.0/nm，平均能量/離子對(duì)26.4eV，電子數(shù)305/光子，分辨率1.2/keV。

2、NaI閃爍計(jì)數(shù)器適用波長(zhǎng)范圍0.02~0.2/nm，平均能量/離子對(duì)350eV，電子數(shù)23/光子，分辨率3.0/keV。

3、Si(Li)探測(cè)器適用波長(zhǎng)范圍0.05～0.8/nm，平均能量/離子對(duì)3.6cV，電子數(shù)2116/光子，分辨率0.16/keV。

盡管X熒光光譜儀由于使用分光晶體而達(dá)到約12eV的分辨率，但新的能量探測(cè)器已經(jīng)可達(dá)到4eV，在分辨率方面已取得優(yōu)勢(shì)。

事實(shí)上如果新型能量探測(cè)器在計(jì)數(shù)率和制造工藝的穩(wěn)定性方面能取得突破，則X熒光光譜儀有可能在未來(lái)逐步取代復(fù)雜的波長(zhǎng)色散X熒光光譜設(shè)備，成為X熒光光譜分析領(lǐng)域的主流。

臺(tái)式X熒光光譜儀