【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】近日，依托先進(jìn)光場顯示芯片與系統(tǒng)全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，北京理工大學(xué)前沿交叉科學(xué)院/物理學(xué)院武旭教授、邵巖教授課題組在過渡金屬二硫化物(TMD)相結(jié)構(gòu)調(diào)控領(lǐng)域取得研究進(jìn)展。團(tuán)隊(duì)提出了一種光刻工藝兼容的應(yīng)力層制備策略，使用圖案化的Al2O3納米膜作為應(yīng)力層，局域改變TaS2薄片的相變規(guī)律。該成果以“Lithography-Compatible Al2O3 Stressor for Strain-Modulated T-to-H Phase Evolution of TaS2”為題發(fā)表在國際知名期刊《ACS Applied Materials & Interfaces》(DOI：https://doi.org/10.1021/acsami.6c05570)，論文第一作者為北理工前沿交叉科學(xué)院/物理學(xué)院2023級(jí)碩士研究生王梓瑞同學(xué)，通訊作者為北京理工大學(xué)武旭教授、邵巖教授和李娟副教授。
 

　　TMD材料具有獨(dú)特的晶格構(gòu)型，通過對相結(jié)構(gòu)的調(diào)控，可以實(shí)現(xiàn)多種不同的物性。相結(jié)構(gòu)規(guī)律的調(diào)控研究能夠推動(dòng)低維材料體系在納米電子等方向的應(yīng)用。研究表明應(yīng)力是相變的重要調(diào)控方法之一，但在微納尺度上實(shí)現(xiàn)基于應(yīng)力的相變調(diào)控仍然是一個(gè)重大挑戰(zhàn)。
 

　　針對上述問題，本研究采用標(biāo)準(zhǔn)光刻微納加工工藝，制備了圖案化的Al2O3應(yīng)力層，在微米尺度調(diào)控1T-TaS2的相變規(guī)律。高精度拉曼光譜與掃描透射電子顯微鏡表征結(jié)果，證明了 Al2O3應(yīng)力層帶來的局域應(yīng)力能夠改變TaS2相變規(guī)律。該工作為實(shí)現(xiàn)在微納尺度上調(diào)控低維材料的相變行為提供了新的策略和工藝技術(shù)，推動(dòng)了低維材料在基礎(chǔ)研究和加工應(yīng)用方面的研究。
 

　　論文詳情：Zi-Rui Wang et al., Lithography-Compatible Al2O3 Stressor for Strain-Modulated T-to-H Phase Evolution of TaS2, ACS Applied Materials & Interfaces,
 

　　DOI: https://doi.org/10.1021/acsami.6c05570
 

　　論文鏈接：https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acsami.6c05570
 

　　附作者介紹：
 

　　武旭，共同通訊作者，前沿交叉科學(xué)院/物理學(xué)院教授、博導(dǎo)，國家級(jí)海外高層次青年人才、北京市科技新星、北京理工大學(xué)特立青年學(xué)者、德國洪堡獎(jiǎng)學(xué)金獲得者。研究方向?yàn)槔梅肿邮庋?、掃描探針顯微鏡等高精度制備與表征技術(shù)，開展新型二維半導(dǎo)體/有機(jī)薄膜異質(zhì)結(jié)構(gòu)筑、復(fù)雜有機(jī)薄膜制備、新型低維光電器件等方面的研究，在Nature、Nat. Mater.、Nat. Commun.、Adv. Mater.等共計(jì)發(fā)表SCI論文30余篇，申請及授權(quán)專利10余項(xiàng)，擔(dān)任多個(gè)國內(nèi)外著名期刊審稿人。
 

　　邵巖，共同通訊作者，集成電路與電子學(xué)院教授、博導(dǎo)。國家級(jí)青年人才、北京理工大學(xué)特立青年學(xué)者。主要研究方向?yàn)槊嫦蚣呻娐窇?yīng)用的低維量子信息材料原子制備、表征與物性調(diào)控等。相關(guān)研究文章發(fā)表在Nat. Mater.、Nat. Commun.、Adv. Mater.、Nano Lett.等期刊上，在超薄半導(dǎo)體原子制造領(lǐng)域共授權(quán)6項(xiàng)發(fā)明專利。
 

　　引用：北理工課題組在低維材料相結(jié)構(gòu)調(diào)控研究方面取得重要進(jìn)展 北京理工大學(xué)學(xué)術(shù)網(wǎng)【引用時(shí)間：2026年5月26日】