一體化熱電阻的作用原理是利用物質(zhì)在溫度變化時本身電阻值也隨著發(fā)生變化的特
性來測量溫度的，熱電阻的受熱部分（感溫元件）是細金屬絲均勻地雙繞在（或?qū)⒔饘贋R射到）
絕緣材料制作的骨架（基片）上。
概 述
一體化熱電阻的作用原理是利用物質(zhì)在溫度變化時本身電阻值也隨著發(fā)生變化的特
性來測量溫度的，熱電阻的受熱部分（感溫元件）是細金屬絲均勻地雙繞在（或?qū)⒔饘贋R射到）
絕緣材料制作的骨架（基片）上。當被測介質(zhì)有溫度梯度存在時，則所測得的是感溫元件所在范
圍內(nèi)介質(zhì)層中的平均溫度。一體化熱電阻在目前發(fā)現(xiàn)的金屬中，鉑和銅是制造熱電阻較為合適的材料。因為金屬鉑的提純及加工工藝
日益成熟，在氧化介質(zhì)中又具有*穩(wěn)定性和良好的復現(xiàn)性，而成為制造熱電阻的材料；
純銅易加工且價格低廉，所以也被選用作為制造熱電阻測量低溫區(qū)的材料。
技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品名稱 | 分度號 | R及允差 | 測量范圍 | 自熱影響 | 允許工作電源 | 絕緣電阻 |
鉑熱電阻 | PT100 | 1級 100±0.06Ω ±（0.15+0.002t） 2級 100±0.12Ω ±（0.3+0.005t） | 陶瓷元件：-200～+600℃ 薄膜元件：-200～+400℃ | ≤0.3℃ | ≤5mA | ≥100MΩ |
銅熱電阻 | Cu50 | 50±0.05Ω ±（0.3+0.006t） | -50～150℃ | ≤0.4℃ | ≤5mA | ≥20MΩ |
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