CET 華瑞產(chǎn)品應用
1、Power Tools（電動工具）：CEP50N06 CEP6060R
2、Power Inverter（逆變器，UPS電源）：CEP3205 CEP50N06 CEP9060R CEP70N06 CEP60N10 CEPF640 CEPF630 CEPF634 CEP740N CEP740A
3、E-bike（電動車控制器）：CEP3205 CEP9060R CEP50N06 CEP70N06 CEP7060R CEP8096 CEP80N75 CEP60N10
我專業(yè)代理中國臺灣CET產(chǎn)品。，CEP系列MOS管現(xiàn)貨有如下型號
CEP83A3G；　　CEP3205；　　CEP6056；　　CEP60N10；
*，歡迎洽談。

華瑞成立於1984年，是國內(nèi)競爭力之功率半導體元件製造廠。本公司已取得多項產(chǎn)品發(fā)明，并經(jīng)ISO14001、QS9000、*。
華瑞是中國臺灣*家自行研發(fā)、生產(chǎn)、銷售Power MOSFETs自有品牌的公司。從元件設計、晶圓加工、封裝、特性分析、測試全程作業(yè)以及客戶服務，行銷。本公司產(chǎn)品已被廣泛應用於M/B、NB、UPS、Power Inverter、CCFL、DC Fan、SMPS、Adapter、Lighting、Battery、DC-DC、LCD Monitor…等領(lǐng)域。
華瑞擁有非常齊全的功率金氧半電晶體的產(chǎn)品線及高壓閘極絕緣雙極性電晶體產(chǎn)品，也可以依客戶需求客製化製作產(chǎn)品。華瑞擁有二十多年IC封裝經(jīng)驗以及中國臺灣功率半導體元件經(jīng)驗zui豐富、zui悠久的設計團隊。未來將以此為基礎，開發(fā)更*之產(chǎn)品，以客戶服務為導向，提供*的品質(zhì)與交期，以期滿足客戶之需求。

2007 10 取得中國臺灣「自我對準溝渠式功率金氧半場效電晶體（MSOFET）裝置及其製造方法」之發(fā)明（發(fā)明第I 287840號）
2005 10 取得美國「Lower the on-resistance in protection circuit of rechargeable battery by using flip-chip technology」之發(fā)明（美國發(fā)明第6,917,117號）
2005 10 取得大陸「功率金屬氧化物半導體場效晶體管裝置及其製造方法」之發(fā)明（大陸發(fā)明第ZL01144661.7號）
2005 5 取得中國臺灣「降低功率金氧半場效電晶體（MOSFET）導通電阻之封裝打線改良裝置」之新型（新型第M262837號）
2005 4 取得大陸「無焊線式半導體裝置及其封裝方法」之發(fā)明（大陸發(fā)明第ZL02102821.4號）
2004 12 取得大陸「導線架」之發(fā)明（大陸發(fā)明第ZL99123960.1號）
2004 5 取得中國臺灣「利用防衛(wèi)環(huán)（Guard Ring）連接技術(shù)以達成功率半導體元件積體電路化之方法及裝置」之發(fā)明（發(fā)明第196136號）
2004 5 取得大陸「充電電池保護電路用功率場效應晶體管的覆晶安裝方法」之發(fā)明（大陸發(fā)明第ZL01110591.7號）
2004 4 取得中國臺灣「高耐雪崩崩潰電壓元件之裝置，以及提高元件耐雪崩崩潰電壓之方法」之發(fā)明（發(fā)明第194175號）
2003 12 取得中國臺灣「改變功率電晶體閘極結(jié)構(gòu)改善其切換速度之方法」之發(fā)明（發(fā)明第182953號）
2003 9 取得中國臺灣「無焊線式半導體裝置及其封裝方法（一）」之發(fā)明（發(fā)明第176589號）
2003 7 取得中國臺灣「單相降壓型直流電源轉(zhuǎn)換器整合式封裝構(gòu)造」之新型（新型第199864號）
2003 5 取得中國臺灣「用於降低導通電阻之充電電池保護電路用功率電晶體的覆晶安裝方法」之發(fā)明（發(fā)明第168017號）
2003 4 取得中國臺灣「半導體功率元件之封裝方法及及其裝置」之發(fā)明（發(fā)明第163944號）
2003 3 取得中國臺灣「無焊線式半導體裝置及其封裝方法（二）」之發(fā)明（發(fā)明第165175號）
2002 9 取得中國臺灣「利用井區(qū)漸層式摻雜降低功率MOSFET漏電流及提昇崩潰電壓之方法及其裝置」之發(fā)明
（發(fā)明第154006號）
2002 9 取得中國臺灣「降低磊晶層電阻值之溝渠式功率MOSFET裝置及其製造方法」之發(fā)明（發(fā)明第152521號）
2002 8 取得中國臺灣「具有減少反向漏電流急變且提高耐雪崩崩潰電流能力之功率MOSFET裝置及其製造方法」 之發(fā)明（發(fā)明第151542號）
2002 7 取得中國臺灣「用於控制絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT）裝置切換速率之方法,以及絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT）
裝置及其製造方法」之發(fā)明（發(fā)明第151899號）
2002 6 取得中國臺灣「低導通電阻值功率MOSFET裝置及其製造方法」之發(fā)明（發(fā)明 第151091號）
2002 6 取得中國臺灣「在相同元件面積下以平面式技術(shù)取得具有溝渠式技術(shù)低導通電阻值之功率MOSFET裝置及其製造方法」之發(fā)明（發(fā)明第151089號）
2002 6 取得中國臺灣「平面式超低導通電阻值之功率MOSFET裝置及其製造方法」之發(fā)明（發(fā)明第151088號）
2002 5 取得中國臺灣「具有低接觸電阻值之功率MOSFET裝置」之新型（新型第185499號） 
2002 4 取得中國臺灣「降低導通電阻值及增加耐雪崩崩潰電流能力之功率MOSFET裝置及其製造方法」之發(fā)明
（發(fā)明第147333號） 
2002 3 取得中國臺灣「利用離子植入技術(shù)提升功率MOSFET電晶體開關(guān)速率之方法及其裝置」之發(fā)明
（發(fā)明第145832號） 
2002 3 取得中國臺灣「溝渠式功率MOSFET之改良結(jié)構(gòu)及其製造方法」之發(fā)明（發(fā)明第144201號） 
2001 4 取得中國臺灣「高功率電晶體在塑膠封裝產(chǎn)品的導線架設計（一）」之新型（新型第153576號）